在聊混频器群时延之前，我们先聊一聊群时延。
2025-12-28 17:23:25
3148 
超小型8引脚MSOP封装形式呈现，展现了现代射频器件的精密工艺。这款混频器内部采用GaAs肖特基二极管与创新的平面变压器平衡-不平衡转换器设计，使其在3.5-8GH
2025-12-17 14:49:10
CMD181是Qorvo（原Custom MMIC与TriQuint合并后品牌）推出的一款通用双平衡混频器裸片（MMIC），具备宽频特性，可灵活应用于上变频及下变频系统，满足高频通信、雷达等场景
2025-11-28 08:45:18
CMD177C3是 Qorvo（原Custom MMIC）推出的一款6–14 GHz 双平衡无源混频器，采用 3×3 mm QFN 无铅表贴封装，该器件可配合外部 90° 混合器与功分器，快速搭出
2025-10-16 09:17:28
° 相位差）的中频，利用它们的相位关系在数字域把镜像分量相加抵消、而把有用信号相长叠加，从而“抑制”了镜像频率。1. 镜像是怎么来的？• 任何单路混频器都满足 f_IF = |f_RF – f_LO
2025-09-08 09:43:41
电子发烧友网为你提供()表面贴装混频器/检测器肖特基二极管相关产品参数、数据手册，更有表面贴装混频器/检测器肖特基二极管的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，表面贴装混频器/检测器肖特基二极管真值表，表面贴装混频器/检测器肖特基二极管管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2025-07-17 18:32:15
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2025-07-17 18:31:22
HMC-C035是一款由Analog Devices（ADI）生产的通用型双平衡混频器模块，以下是其主要特点和技术参数：### 产品特点- **频率范围**：23 GHz至37 GHz。- **宽
2025-06-11 14:06:34
MM1-0726HSM-2 是一款由 Marki Microwave 生产的无源 GaAs 双平衡 MMIC 混频器，适用于上变频和下变频应用。以下是其详细信息：### 技术参数- **频率范围
2025-06-09 15:33:39
Analog Devices ADMV1555宽带I/Q混频器采用表面贴装技术(SMT)和焊盘栅格阵列(LGA)封装。ADMV1555紧凑型同相/正交(I/Q)混频器可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。
2025-05-26 15:59:42951 
Analog Devices ADMV1550双平衡混频器采用无引线、符合RoHS指令的表面贴装技术 (SMT) 封装，便于在15GHz至65GHz之间用作上变频器或下变频器。ADMV1550通用双平衡混频器在中频(IF)端口上提供直流至20GHz的宽带宽，支持灵活的频率规划，避免仿制品。
2025-05-26 15:40:53659 
电子发烧友网为你提供()1200 – 1700 MHz 高增益和线性度分集下变频混频器相关产品参数、数据手册，更有1200 – 1700 MHz 高增益和线性度分集下变频混频器的引脚图、接线图、封装
2025-05-22 18:33:35
电子发烧友网为你提供()集成整数 N 分频 PLL 和 VCO 的 350-5000 MHz 宽带接收混频器相关产品参数、数据手册，更有集成整数 N 分频 PLL 和 VCO 的 350-5000
2025-05-22 18:31:27
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2025-05-22 18:30:04
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2025-05-22 18:29:33
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2025-05-21 18:34:45
电子发烧友网为你提供()700-1000 MHz 高增益和线性度单下变频混频器相关产品参数、数据手册，更有700-1000 MHz 高增益和线性度单下变频混频器的引脚图、接线图、封装手册、中文资料
2025-05-21 18:33:02
电子发烧友网为你提供()用于 2G/3G 收发器的 1700-2200 MHz 高增益和线性度单下变频混频器相关产品参数、数据手册，更有用于 2G/3G 收发器的 1700-2200 MHz 高增益
2025-05-21 18:32:24
电子发烧友网为你提供()200-5000 MHz 单下变频混频器相关产品参数、数据手册，更有200-5000 MHz 单下变频混频器的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，200-5000
2025-05-21 18:31:01
电子发烧友网为你提供()700–1000 MHz 高线性度、单通道上/下变频混频器相关产品参数、数据手册，更有700–1000 MHz 高线性度、单通道上/下变频混频器的引脚图、接线图、封装手册
2025-05-21 18:30:27
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2025-05-20 18:34:20
电子发烧友网为你提供()用于 2G/3G 收发器的 700-1000 MHz 高增益和线性度单下变频混频器相关产品参数、数据手册，更有用于 2G/3G 收发器的 700-1000 MHz 高增益
2025-05-20 18:33:43
电子发烧友网为你提供()1700–2100 MHz 高线性度、单通道上/下变频混频器相关产品参数、数据手册，更有1700–2100 MHz 高线性度、单通道上/下变频混频器的引脚图、接线图、封装手册
2025-05-20 18:32:49
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2025-05-20 18:32:07
### CMD254C3 产品概述**CMD254C3** 是 Qorvo 公司推出的一款高 IP3 双平衡混频器，采用无引脚表面贴装（SMT）封装，适用于 11 至 20 GHz 的上变频和下变频
2025-05-16 15:35:53
### CMD253C3 产品概述**CMD253C3** 是 Qorvo 公司推出的一款高 IP3 双平衡混频器，采用无引脚表面贴装（SMT）封装，适用于 6 至 14 GHz 的上变频和下变频
2025-05-16 15:34:08
### CMD180C3 产品概述**CMD180C3** 是 Qorvo 公司推出的一款通用双平衡混频器，采用无引脚表面贴装（SMT）封装，适用于 20 至 32 GHz 的上变频和下变频
2025-05-16 15:22:18
CMD179 是 Qorvo 公司推出的一款通用双平衡混频器单片微波集成电路（MMIC）芯片，适用于 16 至 26 GHz 的上变频和下变频应用。### 产品参数- **工作频率范围
2025-05-16 15:19:21
CMD178C3 是 Qorvo 公司推出的一款通用双平衡混频器单片微波集成电路（MMIC），采用无引脚表面贴装（SMT）封装，适用于 11 至 20 GHz 的上变频和下变频应用。### 产品参数
2025-05-16 15:17:54
CMD177C3 是 Qorvo 公司推出的一款通用双平衡混频器，采用无引脚表面贴装封装，适用于 6 至 14 GHz 的上变频和下变频应用。### 产品参数- **工作频率范围**：
2025-05-16 15:13:54
HMC-C049是一款双平衡混频器，在7至14 GHz的频率下工作，提供低转换损耗、高隔离和宽IF带宽。 这款混频器不需要直流偏置，可在+9 dBm的LO功率水平下工作。 封装采用密封模块，其装配和测试符合MIL-883-STD要求。
2025-04-08 09:20:45864 
HMC-C046是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。
2025-04-03 17:23:19824 
HMC-C044是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。
2025-04-03 17:16:59789 
HMC-C042是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。
2025-04-03 17:10:38991 
HMC-C041是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。
2025-04-03 17:06:49788 
HMC-C015是一款通用型双平衡混频器，封装在微型密封模块中，可用作24至38 GHz频率范围的上或下变频器。 此混频器无需外部元件或匹配电路。 HMC-C015采用经过优化的巴伦结构，提供出色的LO至RF及LO至IF抑制性能。
2025-04-03 10:40:49793 
HMC-C014是一款通用型无源双平衡混频器，封装在微型密封模块中，可用作16至32 GHz频率范围的上变频器或下变频器。 此混频器无需外部元件或匹配电路。 HMC-C014采用经过优化的巴伦结构，提供出色的LO至RF及LO至IF抑制性能。
2025-04-03 10:28:21797 
HMC-C009是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs
2025-04-03 10:17:12716 
HMC8193是一款无源同相/正交(I/Q)单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器，工作频率范围为2.5 GHz至8.5 GHz。 HMC8193
2025-04-02 14:31:34937 
HMC292ALC3B是一款通用型双平衡单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装，在14 GHz至30 GHz频率范围内可用作上变频器或下变频器
2025-04-01 15:14:51817 
HMC129ALC4是一款通用型双平衡单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装，在4 GHz至8 GHz工作频段内可用作上变频器或下变频器
2025-04-01 13:57:35789 
HMC218BMS8GE是一款超小型双平衡混频器，采用8引脚表贴塑料封装(MSOP)。 无源MMIC混频器采用GaAs Schottky二极管和新颖的平面变压器片内巴伦结构。 该器件可用作上变频器
2025-04-01 13:57:35764 
HMC1106是一款双平衡混频器，可作为上变频器或下变频器，IF端口范围为DC至24 GHz，LO端口为20至50 GHz，RF端口为15至36 GHz。 此款无源MMIC混频器采用GaAs
2025-04-01 11:48:58876 
HMC1081是一款双平衡混频器。 它可用作上变频器或下变频器，IF端口频率范围为DC至26 GHz，RF端口频率范围为50至75 GHz。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管
2025-04-01 11:38:09860 
HMC1063LP3E是一款紧凑型I/Q MMIC混频器，采用“无铅”SMT封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均
2025-04-01 11:25:48773 
HMC1056LP4BE是一款紧凑型I/Q MMIC混频器，采用“无铅”SMT封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均
2025-04-01 11:02:52818 
HMC-MDB218是一款次谐波(x2)MMIC混频器，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用，外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。
2025-04-01 10:43:07875 
HMC-MDB172是一款单芯片I/Q混频器，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用，外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。
2025-04-01 10:30:16820 
HMC-MDB171是一款单芯片I/Q混频器，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频
2025-04-01 10:20:13982 
HMC-MDB169是一款无源双平衡MMIC混频器，采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术，可用作上变频器或下变频器。 这款紧凑型混频器具有宽IF带宽、低转换损耗、LO至RF和LO
2025-04-01 10:04:54902 
MAX2690是一款微型、低噪声、低功耗下变频混频器，适用于便携式消费电子设备。RF输入端口的信号与本地振荡器(LO)端口的信号使用一个双平衡混频器进行混频。RF端口频率范围为400MHz至
2025-04-01 09:51:38962 
MAX2680/MAX2681/MAX2682微型、低成本、低噪声下变频混频器专为低电压工作而设计，非常适合便携式通信设备应用。RF输入端口的信号与本地振荡器(LO)端口的信号使用一个双平衡混频器
2025-04-01 09:25:241136 
MAX2680/MAX2681/MAX2682微型、低成本、低噪声下变频混频器专为低电压工作而设计，非常适合便携式通信设备应用。RF输入端口的信号与本地振荡器(LO)端口的信号使用一个双平衡混频器
2025-04-01 09:18:31998 MAX2680/MAX2681/MAX2682微型、低成本、低噪声下变频混频器专为低电压工作而设计，非常适合便携式通信设备应用。使用双平衡混频器将RF输入端口的信号与本地振荡器(LO)端口的信号混合
2025-03-31 16:51:22871 
LT5511 是专为满足电缆电视 (CATV) 基础设施下行发射器和无线基础设施发射系统的高线性度要求而设计的。 该 IC 包括一个用于驱动一个双平衡混频器的差分 LO 缓冲器放大器。 LO、RF
2025-03-31 16:42:24923 
LT5512 是一款有源双平衡混频器 IC，专为高线性度 HF、VHF 和 UHF 应用而优化。 该 IC 包括一个用于驱动混频器的集成 LO 缓冲器放大器和一个用于改善 LO-RF 隔离度的 RF
2025-03-31 16:35:121068 
变压器、一个双输入LO可选开关、一个LO缓冲器、一个双平衡混频器和一个差分IF输出放大器。MAX9993需要典型值为+3dBm的LO驱动，确保电源电流低于230mA。
2025-03-31 16:18:28996 
LT5522 有源下变频混频器专为包括电缆和无线基础设施在内的高线性度下变频应用而优化。该 IC 包括一个用于驱动双平衡混频器的高速差分 LO 缓冲放大器。LO 缓冲器被内部匹配成宽带单端操作方式，且无需外部组件。
2025-03-31 16:10:41943 
LT5520 混频器专为满足无线和电缆基础设施传输应用的高线性度要求而设计。 一个高速、内部匹配的 LO 放大器用于驱动一个双平衡混频器内核，因而允许采用一个低功率、单端 LO 信号源。 该器件集成
2025-03-31 16:02:14844 
LT5519 混频器是专为满足无线和电缆基础设施发射系统的高线性度要求而设计的。一个高速、内部 50Ω 匹配的 LO 放大器负责驱动一个双平衡混频器内核，允许使用一个低功率的单端 LO 信号源。该
2025-03-31 15:56:18865 
LT5521 是一款专为低失真和低 LO 泄漏应用而优化的高线性度混频器。 该芯片包括一个具有单端输入的高速 LO 缓冲器和一个双平衡有源混频器。 LT5521 只需 -5dBm 的 LO 输入功率
2025-03-31 15:22:33872 
。
该器件在RF和LO端口集成了平衡非平衡转换器、双输入LO可选开关、LO缓冲器、两个双平衡混频器和一对差分IF输出放大器。MAX9995需要典型值为0dBm的LO驱动，确保电源电流低于380mA。
2025-03-31 15:15:17846 
LT 5525 是一款专为诸如点对点数据传输、高性能无线电和无线基础设施系统等高线性度应用而优化的低功率宽带混频器。该器件包括一个用于驱动双平衡有源混频器内核的内部 50Ω 匹配高速 LO 放大器
2025-03-31 14:44:02854 
LT5527 有源混频器专为高线性度、宽动态范围下变频器应用而优化。该 IC 包括一个用于驱动双平衡混频器的高速差分 LO 缓冲放大器。RF 和 LO 输入端上的宽带、集成变压器提供了单端 50
2025-03-31 14:01:431246 
AD831是一款低失真、宽动态范围、单芯片混频器，适合诸如HF和VHF接收机中的RF-IF下变频、DMR基站中的第二混频器、直流-基带变频、正交调制和解调以及超声成像中的多普勒频移检测等应用。该混频器内置一个LO驱动器和一个低噪声输出放大器，同时提供用户可编程功耗和三阶交调截点。
2025-03-31 13:44:172205 
LT5560 是一款低功率、高性能宽带有源混频器。该双平衡混频器可采用一个单端 LO 电源来驱动，而且只需要 -2dBm 的 LO 功率。这种平衡设计使 LO 到输出泄漏低，而且集成输入放大器
2025-03-31 11:38:59980 
LT5557 有源混频器专为高线性度、宽动态范围下变频器应用而优化。该 IC 包括一个用于驱动双平衡混频器的高速差分 LO 缓冲放大器。RF 和 LO 输入端上的宽带、集成变压器负责提供单端 50
2025-03-31 10:26:50765 
ADL5350是一款高线性度、上/下变频混频器，能够在较宽的输入频率范围内工作，非常适合要求高灵敏度和高效抗扰度的蜂窝基站混频器设计。这款器件基于GaAs pHEMT、单端混频器架构，能提供出色的输入线性度和低噪声系数，而无需高功耗本机振荡器(LO)驱动。
2025-03-31 10:15:171010 
LTC5510 是一款高线性度混频器，专为要求非常宽输入带宽、低失真和低 LO 泄漏的应用而优化。 该芯片包括一个双平衡有源混频器以及一个输入缓冲器和一个高速 LO 放大器。 输入专为使用 1:1
2025-03-28 11:48:091136 
ADRF6658是一款高性能、低功耗、宽带、双通道无线电频率(RF)下变频器，集成中频(IF)数字控制放大器(DGA)，适用于宽带、低失真基站无线电接收机。
双通道Rx混频器为双平衡吉尔伯特
2025-03-28 11:05:48971 
HMC557A是一款通用型双平衡混频器，采用符合RoHS标准的24引脚陶瓷无铅芯片载体封装。该器件可用作频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。
2025-03-28 10:28:251025 
HMC260ALC3B是一款通用型双平衡、单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装。在10 GHz至26 GHz频率范围内可用作上变频器或下变频器。HMC260ALC3B混频器无需外部元件或匹配电路。
2025-03-27 16:51:58756 
HMC8191是一款无源、宽带I/Q单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器。HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的射频(RF)和本振(LO
2025-03-27 16:51:581074 
LTC5553 是一款高性能、微波双平衡无源混频器，其可用于上变频或下变频。
LTC5553 的混频器和集成化 RF 平衡-不平衡变压器专为覆盖3GHz至 20GHz RF频率范围而优化。该器件
2025-03-27 16:51:581061 
HMC219B是一款超小型通用双平衡混频器，采用8引脚超小型塑料表贴封装，带裸露焊盘(MINI_SO_EP)。该无源单芯片微波集成电路(MMIC)混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管
2025-03-27 16:51:58764 
HMC787A是一款通用型双平衡混频器，采用符合RoHS标准的12引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装，可用作3 GHz至10 GHz范围内的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属
2025-03-27 16:51:58928 
HMC412BMS8GE 是无源双平衡 混频器，工作频率范围为 8 至 16 GHz。这 HMC412BMS8GE 在 LO 驱动器电平下工作 介于 9 至 15 dBm 之间，并提供 8 dB 的转换 loss。这 Mixer 不需要外部元件或偏置。
2025-03-27 16:51:58884 
。该混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合器件，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。HMC520A为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC520A无需线焊，可以使用表贴制造技术。
2025-03-27 16:12:22836 
HMC774ALC3B是一款通用型双平衡混频器，采用无铅RoHS兼容型表贴封装，可用作7 GHz至34 GHz范围内的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。HMC774ALC3B采用经过优化的巴伦结构，提供出色的LO至RF及LO至IF隔离性能。
2025-03-27 11:48:13992 
HMC553ALC3B是一款通用型双平衡、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装。HMC553ALC3B可用作频率范围为6 GHz至14 GHz的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。
2025-03-27 11:26:01851 
HMC524ALC3B是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q混频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT陶瓷封装。 该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准双平衡混频器单元
2025-03-27 11:18:04767 
HMC1048ALC3B是一款通用型单芯片微波集成电路(MMIC)、双平衡混频器，可用作下变频器，中频(IF)端口范围为DC至4 GHz，射频(RF)端口为2.25 GHz至18 GHz。该混频器无需外部元件或匹配电路。
2025-03-27 11:05:11955 
。该混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合器件，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。HMC525ALC4为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC525ALC4无需线焊，可以使用表贴制造技术。
2025-03-27 10:57:41898 
HMC292A芯片是一款微型、无源、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、双平衡混频器，可用作14 GHz至32 GHz RF频率范围内的上变频器或下变频器，芯片面积较小。片内巴伦提供
2025-03-27 10:44:06846 
HMC260A 是一款通用型双平衡混频器芯片，可用作 10 GHz 至 26 GHz 的上变频器或下变频器。此微型单片混频器 (MMIC) 不需要外部组件或匹配电路。
2025-03-27 10:04:07799 
HMC554ALC3B 是一款通用型双平衡混频器，采用符合 RoHS 指令的无引线芯片载体 (LCC) 封装，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓
2025-03-27 09:42:22932 
HMC774A是一款通用型砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、双平衡混频器芯片，可用作7 GHz至40 GHz频率范围内的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。
2025-03-27 09:35:03944 
HMC773A是一款通用型双平衡混频器芯片，可用作6 GHz至26 GHz频率范围的上变频器或下变频器。此混频器芯片无需外部元件或匹配电路。HMC773A芯片采用经过优化的巴伦结构，提供出色的LO至
2025-03-27 09:16:53997 
HMC329ALC3B是一款通用型双平衡混频器，采用无引脚RoHS兼容型SMT封装，可用作24至32 GHz范围内的上变频器或下变频器。 此混频器无需外部元件或匹配电路。 HMC329ALC3B采用
2025-03-26 18:09:57861 
HMC220B是一款超小型、双平衡混频器，采用带裸焊盘（MINI_SO_EP）的 8 引脚微型小型封装。此基本的单片微波集成电路混频器由砷化镓（GaAs）肖特基二极管和片内平面变压器巴伦组成。
2025-03-26 16:30:30855 
混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准、双平衡混频器单元和一个90°混合耦合器，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。低频正交混合器件用于产生100 MHz中频(IF)输出。该
2025-03-26 11:26:35834 
HMC554ACHIPS 是一款通用型双平衡混频器，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制成
2025-03-26 11:16:19749 
HMC8192是一款无源、宽带、同相/正交(I/Q)、单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器。HMC8192LG具有20 GHz至42 GHz的射频
2025-03-26 11:05:26997 
HMC560A 芯片是砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、双平衡混频器，可以在较小的芯片面积内用作 24 GHz至38 GHz 的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。
2025-03-26 10:09:16803 
ADMV1530是一款通用型双平衡混频器，采用无铅RoHS兼容型表贴技术(SMT)封装，可用作5 GHz至30 GHz范围内的上变频器或下变频器。中频(IF)端口具有0 GHz至10 GHz的宽带
2025-03-26 10:01:08885 
ADMV1550是一款通用型双平衡混频器，采用无铅RoHS兼容型表贴技术(SMT)封装，可用作15 GHz至65 GHz范围内的上变频器或下变频器。中频(IF)端口上具有DC至20 GHz的宽带
2025-03-26 09:53:37869 
电子发烧友网站提供《HMC213BMS8E超小型双平衡混频器英文手册.pdf》资料免费下载
2025-03-17 17:16:56
0 在电子通信领域中，混频器和调制器是两种至关重要的设备，它们在信号处理、无线通信、雷达系统等多个方面发挥着关键作用。尽管两者在电路形式和工作原理上有一定的相似性，但它们在功能、输入/输出信号以及应用场
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2025-01-22 09:00:46
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