HMC520A 6GHz至10GHz、GaAs、MMIC、I/Q混频器技术手册

概述
HMC520A是一款砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器，采用符合RoHS标准的24引脚、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合器件，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。HMC520A为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC520A无需线焊，可以使用表贴制造技术。
数据表：*附件：HMC520A 6GHz至10GHz、GaAs、MMIC、I Q混频器技术手册.pdf

应用

• 点对点微波无线电
• 点对多点无线电
• 视频卫星(VSAT)
• 数字无线电
• 仪器仪表
• 自动测试设备(ATE)

特性

• 射频(RF)范围：6 GHz至10 GHz
• 本振(LO)输入频率范围：6 GHz至10 GHz
• 转换损耗：典型值8 dB（6 GHz至10 GHz时）
• 镜像抑制：典型值23 dBc（6 GHz至10 GHz时）
• LO至RF隔离：43 dB（典型值）
• LO至中频(IF)隔离：25 dB（典型值）
• 输入三阶交调截点(IP3)：19 dBm（典型值）
• 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：典型值10 dBm（7.1 GHz至8.5 GHz时）
• 宽IF频率范围：DC至3.5 GHz
• 24引脚、4 mm × 4 mm、陶瓷无铅芯片载体封装

框图

引脚配置描述

接口示意图

应用信息

图83展示了HMC520A的典型应用电路。要选择合适的边带，需要一个外部90°混合耦合器。对于不需要直流工作的应用，使用片外隔直电容。对于需要抑制输出端本振（LO）信号的应用，如图83所示，使用偏置三通或射频馈电。确保每个中频（IF）端口用于本振抑制的源电流或灌电流小于12微安，以防止损坏器件。每个中频端口的共模电压为0V。

若用作上变频器来选择上边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的90°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的0°端口。若选择下边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的0°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的90°端口。输入来自混合耦合器的和端口，差端口接50Ω终端。

若用作下变频器且本振处于低端（low - side LO）时选择上边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的0°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的90°端口。若本振处于高端（high - side LO）时选择下边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的90°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的0°端口。输出来自混合耦合器的和端口，差端口接50Ω终端。