HMC-MDB172 I/Q混频器/IRM芯片技术手册

概述
HMC-MDB172是一款单芯片I/Q混频器，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用，外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。

所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB172 I/Q MMIC混频器可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。
数据表：*附件：HMC-MDB172 I Q混频器 IRM芯片技术手册.pdf

特性

• 宽IF带宽： DC - 5 GHz
• 高镜像抑制： 35 dB
• LO至RF高隔离： 28 dB
• 无源： 无需直流偏置
• 裸片尺寸： 2.2 x 2.0 x 0.1 mm

应用

• 点对点无线电
• VSAT
• 军用雷达、ECM和EW
• 测试和测量设备
• 卫星通信

框图

外形图

焊盘描述

应用电路
应用电路 1 展示了混频器等效电路。应用电路 2 描绘了使用 90° 混合耦合器实现信号镜像抑制的混频器。所有中频（IF）参数均基于理想的 90° 混合耦合器在 IF 输出端口进行设定。在应用电路 1 中，将端口 1 和 / 或端口 2（混频器）端接为 50Ω 后测量转换损耗。三阶输入截点（IP3）表示为一个输入 IP3 数值，它是在假定存在理想混合耦合器的情况下得出的。