ADMV1550 15GHz至65GHz，GaAs，MMIC，双平衡混频器技术手册

概述

ADMV1550是一款通用型双平衡混频器，采用无铅RoHS兼容型表贴技术(SMT)封装，可用作15 GHz至65 GHz范围内的上变频器或下变频器。中频(IF)端口上具有DC至20 GHz的宽带宽，可进行灵活的频率规划以免出现杂散产物。该混频器采用砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。ADMV1550采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至IF抑制性能。该混频器采用15 dBm（典型值）的LO幅度运行。符合RoHS标准的ADMV1550无需线焊，可使用表贴制造技术。ADMV1550采用紧凑型4 mm × 4 mm、18引脚基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。
数据表：*附件：ADMV1550 15GHz至65GHz，GaAs，MMIC，双平衡混频器技术手册.pdf

应用

• 微波和小型卫星地面站(VSAT)无线电
• 测试设备
• 军事电子战(EW)
• 电子对抗(ECM)
• 指挥、控制、通信和情报

特性

• 转换损耗：8 dB（典型值，15 GHz至50 GHz时）
• 输入IP3（下变频器）：20 dBm（典型值，15 GHz至50 GHz时）
• 输入IP2（下变频器）：40 dBm（典型值，15 GHz至50 GHz时）
• 输入P1dB（上变频器）：11 dBm（典型值）
• LO至RF隔离：35 dB（典型值）
• LO至IF隔离：35 dB（典型值）
• RF至IF隔离：45 dB（典型值，15 GHz至50 GHz时）
• 符合RoHS标准的18引脚、4 mm × 4 mm LGA封装

功能框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息
图121显示了ADMV1550的典型应用电路。ADMV1550是一款无源器件，不需要任何外部元件。LO和RF引脚内部交流耦合。IF引脚内部DC耦合。对于不要求DC操作的应用，DC使用一个串联电容器从外部阻塞该端口，该电容器的值被选择为通过必要的lIF频率范围。当中频工作需要DC时，请勿超过“绝对最大额定值”部分中规定的中频源电流和吸电流额定值。

应用中使用的电路板必须使用RF电路设计技术。信号线必须具有50欧姆阻抗，封装接地引脚和裸露焊盘必须直接连接到接地层，如图122所示。使用足够数量的过孔连接顶部和底部接地层。ADI公司可索取图122所示的评估电路板。