HMC525ALC4 GaAs MMIC I/Q混频器技术手册

概述

HMC525ALC4是一款砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器，采用符合RoHS标准的24引脚、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合器件，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。HMC525ALC4为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC525ALC4无需线焊，可以使用表贴制造技术。
数据表：*附件：HMC525ALC4 GaAs MMIC I Q混频器技术手册.pdf

应用

• 微波和甚小孔径终端无线电
• 测试设备
• 点对点无线电
• 军事电子战、电子对抗、以及指挥、控制、通信和情报

特性

• 无源：无需直流偏置
• 转换损耗：8 dB（典型值）
• 输入IP3：20 dBm（典型值）
• LO至RF隔离：47 dB（典型值）
• IF频率范围：DC至3.5 GHz
• 符合RoHS标准的24引脚、4 mm × 4 mm LCC封装

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型应用电路

图101展示了HMC525ALC4的典型应用电路。为选择合适的边带，需要一个外部90°混合耦合器。对于不需要直流工作的应用，使用片外隔直电容；对于需要抑制输出边带的直流工作应用，则使用偏置三通或射频馈电，如图101所示。确保每个中频端口的源电流或灌电流在本振抑制时小于2毫安，以防止损坏器件。每个中频端口的共模电压为0V。

若用作上变频器来选择上边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的90°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的0°端口。若选择下边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的0°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的90°端口。输入连接到混合耦合器的和端口，差分端口接50Ω终端。

若用作下变频器且本振处于低端（low - side LO）来选择上边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的0°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的90°端口。若本振处于高端（high - side LO）来选择下边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的90°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的0°端口。输入连接到混合耦合器的和端口，差分端口接50Ω终端。