HMC-MDB171 I/Q混频器/IRM芯片技术手册

概述
HMC-MDB171是一款单芯片I/Q混频器，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用，外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化。 HMC-MDB171 I/Q MMIC混频器可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。
数据表：*附件：HMC-MDB171 IQ混频器 IRM芯片技术手册.pdf

应用

• 点对点无线电
• 测试和测量设备
• 卫星通信
• 传感器

特性

• 宽IF带宽： DC - 5 GHz
• 高镜像抑制： 25 dB
• LO至RF高隔离
• 无源： 无需直流偏置
• 裸片尺寸： 1.5 x 2.0 x 0.1 mm

框图

焊盘描述

应用电路

应用电路1展示了混频器等效电路。应用电路2描绘了使用90°混合耦合器实现信号镜像抑制的混频器。所有中频（IF）参数均基于理想的90°混合耦合器在IF输出端口进行设定。在应用电路1中，将端口1和/或端口2（混频器）端接为50Ω后测量转换损耗。三阶输入截点（IP3）表示为一个输入IP3数值，它是在假定存在理想混合耦合器的情况下得出的。