HMC774ALC3B 7GHz至34 GHz、MMIC、双平衡混频器技术手册

概述
HMC774ALC3B是一款通用型双平衡混频器，采用无铅RoHS兼容型表贴封装，可用作7 GHz至34 GHz范围内的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。HMC774ALC3B采用经过优化的巴伦结构，提供出色的LO至RF及LO至IF隔离性能。

该混频器采用>15 dBm的最佳LO驱动电平性能。HMC774ALC3B无需线焊，可以使用表贴制造技术。
数据表：*附件：HMC774ALC3B 7GHz至34 GHz、MMIC、双平衡混频器技术手册.pdf

应用

• 点对点无线电
• 点对多点无线电和甚小孔径终端(VSAT)
• 测试设备和传感器
• 军用最终用途

特性

• 无源；无需直流偏置
• 输入IP3：20 dBm（典型值），下变频器
• LO至RF隔离：30 dB（典型值）
• 宽IF带宽：DC至8 GHz
• 12引脚、3 mm × 3 mm、陶瓷无铅芯片载体封装

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

评估板

图93和图94展示了评估板的俯视图和截面图。该评估板采用四层结构，铜箔厚度为0.02毫米（0.7密耳） ，每层铜箔之间使用电介质材料。

所有射频走线都布在第1层，其余层均为接地层，为射频传输线提供稳固的接地。顶层电介质材料是Rogers 4350，具有低损耗性能。中间的预浸料将各层粘合在一起，其中包含Isola 370HR芯层，射频走线分布在其上方和下方。预浸料和Isola 370HR芯层共同作用，使电路板达到所需的最终厚度。

射频传输线采用共面波导（CPWG）模型设计，宽度为18密耳，接地间距为13密耳，特性阻抗为50欧姆。为实现最佳的射频和散热接地效果，在传输线周围以及封装下方的外露焊盘处，尽可能多地布置镀通孔。

图95展示了实际的EVIHMC774ALC3B评估板以及元件布局。由于EVIHMC774ALC3B是一款无源器件，不需要外部组件。本振（LO）、射频（RF）和中频（IF）引脚内部采用直流耦合。当不需要直流的中频操作时，无需外部串联电容。为每个端口选择一个处于必要频率范围内的值。当需要直流的中频操作时，不要超过“绝对最大额定值”部分中规定的源电流和灌电流额定值。