HMC560A 22GHz至38GHz、GaAs、MMIC、双平衡混频器技术手册

概述

HMC560A 芯片是砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、双平衡混频器，可以在较小的芯片面积内用作 24 GHz至38 GHz 的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。

HMC560采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至RF及 LO至中频(IF)抑制性能，分别为40 dB和44 dB。混频器的LO幅度为9 dBm至15 dBm。
数据表：*附件：HMC560A 22GHz至38GHz、GaAs、MMIC、双平衡混频器技术手册.pdf

特性
下变频器

• 转换损耗
  • 24 GHz 至 29 GHz 时为 9 dB（典型值）
  • 29 GHz 至 38 GHz 时为 11 dB（典型值）
• LO 到 RF 隔离
  • 24 GHz 至 29 GHz 时为 40 dB（典型值）
  • 29 GHz 至 38 GHz 时为 38 dB（典型值）
• LO 到 IF 隔离
  • 24 GHz 至 29 GHz 时为 27 dB（典型值）
  • 29 GHz 至 38 GHz 时为 44 dB（典型值）
• RF 到 IF 隔离
  • 24 GHz 至 29 GHz 时为 20 dB（典型值）
  • 29 GHz 至 38 GHz 时为 28 dB（典型值）
• 输入 IP3
  • 24 GHz 至 29 GHz 时为 18 dBm（典型值）
  • 29 GHz 至 38 GHz 时为 19 dBm（典型值）
• IF 带宽：直流至 18 GHz
• 无源，不需要直流偏置

应用

• 点对点无线电
• 点对多点无线电和小型卫星地面站(VSAT)无线电
• 测试设备和传感器
• 军用最终用途

框图

电气规格

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息
图102显示了HMC560A的典型应用电路。HMC560A是无源器件，不需要任何外部元件。LO和RF焊盘内部交流耦合。在直流之前不需要中频操作时，如果不需要直流操作，建议在中频端口使用交流耦合电容

将芯片以共晶方式或使用导电环氧树脂直接连接到接地层。为了将RF引入和引出芯片，建议在0.127 mm (0.005”)厚的氧化铝薄膜基板上安装50ω微带传输线(见图103)。

使用(0.254毫米(0.010英寸)厚的氧化铝薄膜衬底，将模具抬高0.150毫米(0.006英寸)，使模具表面与衬底表面共面。一种方法是将0.102毫米(0.004英寸)厚的芯片贴在0.150毫米(0.006英寸)厚的钼散热器(钼片)上，然后贴在接地层上(见图104)。为了最大限度地缩短焊线长度，请将微带基板尽可能靠近芯片放置。典型的芯片到基板的间距是0.076毫米(0.003英寸)。