HMC260A 10GHz至26GHz GaAs MMIC基本混频器技术手册

概述

HMC260A 是一款通用型双平衡混频器芯片，可用作 10 GHz 至 26 GHz 的上变频器或下变频器。此微型单片混频器 (MMIC) 不需要外部组件或匹配电路。

HMC260A 采用优化的平衡/不平衡转换器结构，因此可提供出色的 LO 到 RF 和 LO 到 IF 抑制特性。此混频器可在 13 dBm 或以上的 LO 驱动电平下正常工作。
数据表：*附件：HMC260A 10GHz至26GHz GaAs MMIC基本混频器技术手册.pdf

应用

• 点对点无线电
• 单点对多点无线电和甚小孔径终端 (VSAT)
• 测试设备和传感器
• 军事最终用途

特性

• 下变频器
  • 转换损耗
    • 10 GHz 至 18 GHz 时为 7.5 dB（典型值）
    • 18 GHz 至 26 GHz 时为 8.5 dB（典型值）
  • LO 到 RF 隔离：40 dB（典型值）
  • LO 到 IF 隔离
    • 10 GHz 至 18 GHz 时为 34 dB（典型值）
    • 18 GHz 至 26 GHz 时为 37 dB（典型值）
  • RF 到 IF 隔离
    • 10 GHz 至 18 GHz 时为 18 dBm（典型值）
    • 10 GHz 至 18 GHz 时为 20 dB（典型值）
    • 18 GHz 至 26 GHz 时为 31 dB（典型值）
  • 输入 3 阶交调点 (IP3)：
    • 18 GHz 至 22 GHz 时为 26 dBm（典型值）
  • 1 dB 压缩的输入功率 (P1dB)
    • 10 GHz 至 18 GHz 时为 9.5 dB（典型值）
    • 18 GHz 至 26 GHz 时为 12 dB（典型值）
• IF 带宽：直流至 8 GHz
• 无源：不需要直流偏压
• 小封装尺寸：0.94 mm × 0.59 mm × 0.102 mm

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

典型应用电路

图 35 展示了 HMC260A 的典型应用电路。HMC260A 是一款无源器件，无需任何外部组件。本振（LO）引脚和射频（RF）引脚内部采用直流耦合。当直到直流（dc）才需要中频（IF）操作时，建议在中频端口使用一个交流耦合电容。

毫米波GAASICS的安装和键合技术

安装与键合技术

使用共晶焊接或导电环氧树脂将芯片直接连接到接地层。

为了将射频信号引入和引出芯片，在厚度为0.127毫米（5密耳）的氧化铝薄膜基板上使用50欧姆的微带传输线（见图37）。

如果必须使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄膜基板，需将芯片抬高0.150毫米（6密耳），使芯片表面与基板表面共面。

实现这种结构的一种方法是将0.102毫米（4密耳）厚的芯片连接到0.150毫米（6密耳）厚的钼散热片（钼片）上，然后将钼片连接到接地层（见图38）。

微带基板应尽可能靠近芯片，以尽量缩短键合线的长度。芯片与基板之间的典型间距为0.075毫米（3密耳）。建议使用宽度为0.075毫米（3密耳）且最小长度小于0.31毫米（小于12密耳）的金丝键合线，以尽量减小射频、本振和中频端口上的电感。