HMC773A GaAs MMIC基波混频器，6-26GHz技术手册

概述
HMC773A是一款通用型双平衡混频器芯片，可用作6 GHz至26 GHz频率范围的上变频器或下变频器。此混频器芯片无需外部元件或匹配电路。HMC773A芯片采用经过优化的巴伦结构，提供出色的LO至RF及LO至IF抑制性能。该混频器采用高于13 dBm的LO驱动电平工作。该宽带混频器具有一致的转换增益和带宽抑制性能。HMC773A还可作为SMT形式的HMC773ALC3B提供。
数据表：*附件：HMC773A GaAs MMIC基波混频器，6-26GHz技术手册.pdf

应用

• 点对点无线电
• 点对多点无线电和VSAT
• 测试设备和传感器
• 军用最终用途

特性

• 转换损耗：9 dBm
• LO至RF隔离：37 dB
• LO至IF隔离：37 dB
• 高RF至IF隔离：20 dB
• 高输入三阶交调截点(IP3)：20 dBm
• 高输入二阶交调截点(IP2)：50 dBm
• 宽IF带宽：DC - 8 GHz
• 无源：无需直流偏置
• 裸片尺寸：1.29 x 0.888 x 0.1 mm

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息
典型应用电路

图63展示了HMC773A的典型应用电路。HMC773A是一款无源器件，并且不需要任何外部组件。LO和RF引脚仅在内部连接。

当直到直流（dc）才需要中频（IF）操作时，建议在IF端口使用交流耦合电容。
装配图

装配图如图64所示。

将芯片通过导电方式或使用导电环氧树脂直接连接到接地层。

为了从芯片引出射频（RF）信号，使用50欧姆的微带传输线，该传输线位于厚度为0.127毫米（0.005英寸）的氧化铝薄膜基板上（见图65）。

如果必须使用0.254毫米（0.010英寸）厚的氧化铝薄膜基板，则需将芯片抬高0.150毫米（0.006英寸）， 以使芯片的表面与基板的表面齐平。

实现这种共面性的一种方法是将0.102毫米（0.004英寸）厚的芯片连接到0.150毫米（0.006英寸）厚的钼散热片（钼片）上，然后将钼片连接到接地层（见图66）。

使微带基板尽可能靠近芯片，以尽量缩短键合线的长度。芯片与基板之间的典型间距为0.076毫米（0.003英寸）。建议采用0.076毫米（0.003英寸）宽且长度小于0.31毫米（小于0.012英寸）的键合线，以尽量减小电感，射频、本振（LO）和中频（IF）端口适用此要求。