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电子发烧友网>今日头条>基于选择性紫外光刻的光纤微图案化

基于选择性紫外光刻的光纤微图案化

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2025-04-03 09:13:01

多芯光纤MCF(Multicore Fiber)互联

的应用需要解决一系列多芯光纤连接、多芯光纤与传统光纤的连接等问题,需要开发MCF光纤连接器、实现MCF-SCF转换的扇入扇出器件等周边相关组件产品,并考虑与现有技术和商用技术的兼容和通用。 多芯
2025-04-01 11:33:40

光纤涂覆质量金标准实施总结汇报

满足硬度和曲度的增减转换,适应不同需求 实施效果 : • 适配传感光纤/通信光纤差异化需求 • 客户定制响应周期缩短80% • 特殊场景订单量增长200% 金标准⑥ 高效均匀固化技术 技术突破
2025-03-28 11:45:04

光刻工艺的主要流程和关键指标

光刻工艺贯穿整个芯片制造流程的多次重复转印环节,对于集成电路的微缩和高性能起着决定性作用。随着半导体制造工艺演进,对光刻分辨率、套准精度和可靠的要求持续攀升,光刻技术也将不断演化,支持更为先进的制程与更复杂的器件设计。
2025-03-27 09:21:333276

紫外线对产品的影响及紫外老化试验的重要

紫外线对产品的危害紫外线,作为电磁波谱中紫光之外的不可见光,其对产品的破坏不容忽视。在众多外界因素中,紫外线是导致材料性能劣变的关键因素之一。材料或产品在加工、贮存或使用过程中,会受到热、光、氧
2025-03-26 15:34:441506

PCB的某专业词汇,众AI来了也有争议,究竟谁的答案更专业

胶(或其他感光材料)上时,光子能量被光刻胶分子吸收,使分子内部能量升高并引发化学反应,通常为化学键的断裂或者交联等反应。然后通过显影过程选择性去除特定区域的光刻胶形成期望的图形。不同类型和波长的激光可以
2025-03-25 17:42:21

选择光纤线需考虑哪些关键因素

选择光纤线的好坏需综合考虑以下关键因素,以确保性能、成本和需求的平衡: 1. 确定应用场景与需求 传输距离: 短距离(≤500米):多模光纤(MMF)更经济,适合数据中心、局域网。 长距离(≥500
2025-03-19 10:06:301278

半导体材料介绍 | 光刻胶及生产工艺重点企业

体。在光刻工艺过程中,用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时,若采用适当的有选择性光刻胶,可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正、负两大类
2025-03-18 13:59:533016

什么是高选择性蚀刻

不同材料的刻蚀速率比,达到‌>5:1‌甚至更高的选择比标准‌。 一、核心价值与定义 l‌精准材料去除‌ 高选择性蚀刻通过调整反应条件,使目标材料(如多晶硅、氮化硅)的刻蚀速率远高于掩膜或底层材料(如氧化硅、光刻胶),实现
2025-03-12 17:02:49809

芯片封装中的焊点图案设计

之间的电气连接方式和性能。焊点图案设计不仅需要考虑电气性能和可靠,还需要兼顾散热、制造工艺和成本控制。
2025-03-06 16:44:181603

22.0%效率的突破:前硅多晶硅选择性发射极双面TOPCon电池的制备与优化

随着全球能源需求的增长,开发高效率太阳能电池变得尤为重要。本文旨在开发一种成本效益高且可扩展的制备工艺,用于制造具有前侧SiOx/多晶硅选择性发射极的双面TOPCon太阳能电池,并通过优化工艺实现
2025-03-03 09:02:291206

VirtualLab Fusion应用:泰伯效应

光刻中得到了常规应用。 利用快速物理光学建模和设计软件VirtualLab Fusion的场跟踪技术,可以充分研究这种效应及其应用。请看下面的例子,在这些例子中,我们用线性和交叉图案演示Talbot效应
2025-02-26 08:49:53

保密通信之紫外光无线通信!

紫外光通信的应用场景十分广泛,它正逐渐渗透到我们生活的各个角落。在军事领域,紫外光通信可用于战场短距离保密通信。在战场上,士兵们可以利用紫外光通信设备,在不暴露自身位置的情况下,安全地传递情报和指令
2025-02-21 13:32:511000

什么是光刻机的套刻精度

在芯片制造的复杂流程中,光刻工艺是决定晶体管图案能否精确“印刷”到硅片上的核心环节。而光刻Overlay(套刻精度),则是衡量光刻机将不同层电路图案对准精度的关键指标。简单来说,它就像建造摩天大楼
2025-02-17 14:09:254467

光刻对掩膜版有何要求

光刻对掩膜版的要求主要包括以下几个方面: 基板材料:掩膜版的基板材料需要具有良好的透光、稳定性以及表面平整度。石英是常用的基板材料,因为它具有较低的热膨胀系数,能够在温度变化时保持尺寸稳定
2025-02-17 11:42:17855

365nm紫外点光源固化灯的特点、优势与应用

在现代制造业中,紫外光固化技术已成为一种高效、环保的固化方式,广泛应用于涂料、油墨、胶水等多个领域。紫外点光源固化灯,尤其是365nm波长的紫外灯,因其独特的光学性能和应用优势,成为高精度固化过程中
2025-02-13 15:44:392484

纳米压印技术:开创下一代光刻的新篇章

光刻技术对芯片制造至关重要,但传统紫外光刻受衍射限制,摩尔定律面临挑战。为突破瓶颈,下一代光刻(NGL)技术应运而生。本文将介绍纳米压印技术(NIL)的原理、发展、应用及设备,并探讨其在半导体制造中
2025-02-13 10:03:503711

孟颖教授最新Joule:探索电化学过程中软金属的选择性生长

密度。其中,软金属在电化学过程中通过晶粒选择性生长形成的纹理是一个影响功率和安全的关键因素。 在此,美国芝加哥大学Ying Shirley Meng(孟颖)教授和美国密西根大学陈磊教授等人制定了一个通用的热力学理论和相场模型来研究软金属的晶粒选择性生长,研究重点
2025-02-12 13:54:13928

Poly-SE选择性多晶硅钝化触点在n-TOPCon电池中的应用

Poly-SEs技术通过在电池的正面和背面形成具有选择性的多晶硅层,有效降低了电池的寄生吸收和接触电阻,同时提供了优异的电流收集能力。在n型TOPCon太阳能电池中,Poly-SEs的应用尤为重要
2025-02-06 13:59:421200

芯片制造:光刻工艺原理与流程

光刻是芯片制造过程中至关重要的一步,它定义了芯片上的各种微细图案,并且要求极高的精度。以下是光刻过程的详细介绍,包括原理和具体步骤。   光刻原理‍‍‍‍‍‍ 光刻的核心工具包括光掩膜、光刻
2025-01-28 16:36:003591

选择性激光蚀刻中蚀刻剂对玻璃通孔锥角和选择性有什么影响

近来,为提高IC芯片性能,倒装芯片键合被广泛采用。要实现倒装芯片键合,需要大量的通孔。因此,硅通孔(TSV)被应用。然而,硅有几个缺点,例如其价格相对较高以及在高射频下会产生电噪声。另一方面,玻璃具有适合用作中介层材料的独特性质,即低介电常数、高透明度和可调节的热膨胀系数。由于其介电常数低,可避免信号噪声;由于其透明度,可轻松实现三维对准;由于其热膨胀可与Si晶片匹配,可防止翘曲。因此,玻璃通孔(TGV )正成为
2025-01-23 11:11:151240

选择性氧化知识介绍

采用氧化局限技术制作面射型雷射元件最关键的差异在于磊晶成长时就必须在活性层附近成长铝含量莫耳分率高于95%的砷化铝镓层,依据众多研究团队经验显示,最佳的铝含量比例为98%,主要原因在于这个比例的氧化速率适中,而且氧化后较不容易因为热应力造成上反射镜磊晶结构破裂剥离。砷化铝(AlAs)材料氧化机制普遍认为相对复杂,可能的化学反应过程可能包含下列几项: 通常在室温环境下铝金属表面自然形成的氧化铝是一层致密的薄膜,可以
2025-01-23 11:02:331085

如何选择合适的光纤传感器

选择合适的光纤传感器需要考虑多个因素,以下是一些关键的步骤和要点: 一、明确测量需求 测量点数 : 根据需要测量的点数来确定采用“分布式”还是“单点式”传感器。通常测量点少于20个时,采用“单点式
2025-01-18 10:27:471255

光刻机的分类与原理

本文主要介绍光刻机的分类与原理。   光刻机分类 光刻机的分类方式很多。按半导体制造工序分类,光刻设备有前道和后道之分。前道光刻机包括芯片光刻机和面板光刻机。面板光刻机的工作原理和芯片光刻机相似
2025-01-16 09:29:456359

工业级PERC、SHJ与TOPCon太阳能电池的紫外线UVID稳定性评估研究

太阳能电池,如直接破坏Si-H键、产生热载流子等。美能复合紫外老化试验箱进行加速老化测试,该试验箱能够提供280至400nm范围内的紫外光谱,模拟太阳光中的紫外部分,同时
2025-01-10 09:03:312066

​ SLA立体光固化成型:一项实现3D打印领域高精度数字模型实体的先锋技术

,使打印出的成品在视觉和触觉上更加贴近设计意图,为后续改进提供了便利。那什么是SLA立体光固化成型技术(以下简称SLA技术)呢?其实,它的核心原理就是利用一定波长和强度的紫外光(如波长325nm
2025-01-09 18:57:50

纳米压印光刻技术旨在与极紫外光刻(EUV)竞争

芯片制造、价值1.5亿美元的极紫外(EUV,https://spectrum.ieee.org/tag/euv)光刻扫描
2025-01-09 11:31:181280

组成光刻机的各个分系统介绍

  本文介绍了组成光刻机的各个分系统。 光刻技术作为制造集成电路芯片的重要步骤,其重要不言而喻。光刻机是实现这一工艺的核心设备,它的工作原理类似于传统摄影中的曝光过程,但精度要求极高,能够达到
2025-01-07 10:02:304530

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