0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

选择性激光蚀刻中蚀刻剂对玻璃通孔锥角和选择性有什么影响

深圳市赛姆烯金科技有限公司 来源:深圳市赛姆烯金科技有限 2025-01-23 11:11 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

近来,为提高IC芯片性能,倒装芯片键合被广泛采用。要实现倒装芯片键合,需要大量的通孔。因此,硅通孔(TSV)被应用。然而,硅有几个缺点,例如其价格相对较高以及在高射频下会产生电噪声。另一方面,玻璃具有适合用作中介层材料的独特性质,即低介电常数、高透明度和可调节的热膨胀系数。由于其介电常数低,可避免信号噪声;由于其透明度,可轻松实现三维对准;由于其热膨胀可与Si晶片匹配,可防止翘曲。因此,玻璃通孔(TGV )正成为一种越来越受欢迎的TSV替代方案。

在玻璃上打孔的方法有很多种:机械钻孔、粉末喷砂、磨料浆喷射加工(ASJM)、激光钻孔、深反应离子刻蚀(DRIE)、等离子刻蚀、火花辅助化学雕刻(SACE)、振动辅助微加工、激光诱导等离子微加工(LIPMM)、水辅助微加工和选择性激光蚀刻。大规模生产中要考虑的最重要的参数是均匀性,尽管也应考虑加工时间。选择性激光蚀刻(SLE)可以创建均匀的孔,但目前需要相对较长的加工时间。

选择性激光蚀刻 (SLE) 是一种广泛使用的方法,用于在各种材料上创建精确而复杂的图案。该方法由 A. Marcinkevičius 于 2001 年首次提出 。该技术使用激光和蚀刻剂选择性地去除基底上的材料,从而产生复杂的图案和形状。它还可用于在各种材料中打孔,包括金属、陶瓷、二氧化硅和玻璃。它利用激光照射样品产生局部改变,然后进行蚀刻过程。与非改性区域相比,改性区域的蚀刻速率大约高出 333 倍。这是因为改性区域的物理和化学性质都发生了变化,并且改性区域与蚀刻剂反应迅速。物理和化学变化包括纳米光栅形成、体积膨胀和折射率变化。这些变化使得玻璃内部的通道生成具有极高的精度。SLE 目前用于生物技术、纳米技术光学和 IT 技术等各个领域。前期的研究展示了如何通过改变局部改性方法来提高工艺速度。建议在初始脉冲后几百皮秒添加额外的脉冲能量可以提高局部改性区域的蚀刻速率。在本研究中,尝试使用蚀刻剂本身来提高蚀刻速率。为此,测试了四种不同的蚀刻剂,即HF 溶液、NaOH 溶液、KOH 溶液和 NH₄F 溶液。为了定量比较,采用了选择性。结果表明,NH₄F 溶液具有最高的选择性,用该溶液蚀刻 3 小时内即可形成 TGV。这比之前使用 KOH 溶液的研究快三倍。

由于可以调整锥角,因此通过 SLE 生成的玻璃孔还可应用于各个领域。玻璃孔的锥角是多种工业应用中的关键因素。例如,在半导体工业中,喷头用于清洁过程,喷头孔的锥角决定了清洁液的速度和方向。同样,在生物技术领域,带有锥形孔的微针用于输送药物或从体内提取液体。孔的锥角会影响微针的流速和穿透深度。孔的锥角还会影响喷雾模式。这也可用于磨料工艺。因此,对锥角的研究对各种工业应用都很有用。在本项研究中,发现锥角随蚀刻剂本身及其浓度而变化。根据研究可以暂时断言,可以根据蚀刻剂的选择来提高生产率并调整孔的锥角。

1a11e098-d927-11ef-9310-92fbcf53809c.jpg

图 本项研究中HF、NaOH、KOH 和 NH₄F 溶液的锥角范围。

本研究中将采用选择性激光蚀刻 (SLE) 技术进行实验,找到一种适合 TGV 形成的蚀刻剂,比较了四种不同的蚀刻剂 (HF、KOH、NaOH 和 NH₄F),以提高蚀刻速度。下面是实验内容。

实验内容

1. 基底材料

TGV 工艺采用厚度为 0.1 mm 的硼硅酸盐玻璃基板。这种玻璃是一种使用环保清洁剂代替砷和锑物质的材料,具有出色的耐化学性、热稳定性和热膨胀特性。

2. 超短脉冲激光

超短脉冲激光器是指脉冲持续时间为一百皮秒或更短的激光器。超短脉冲激光器在玻璃加工中具有多种优势。首先,它在热扩散发生之前将能量转移到玻璃中,最大限度地减少特定热过程中的残留物,并允许无需后处理步骤即可进行微加工。其次,由于脉冲持续时间短,峰值功率高,这使其可用于加工具有大能带隙的材料,例如玻璃。超短脉冲激光器的高峰值功率在玻璃中诱发非线性吸收感应,从而实现玻璃的内部加工。

3. 超短脉冲激光局部改性

本研究采用贝塞尔光束来提高生产率。贝塞尔光束具有焦深长的优点。因此,单脉冲贝塞尔光束可以在玻璃中产生全厚度局部改性。图1是超短脉冲激光局部改性实验装置示意图。

1a35daf2-d927-11ef-9310-92fbcf53809c.jpg

图1 通过超短脉冲激光进行局部改性的实验装置示意图。

4. 贝塞尔光束整形

从高斯光束到贝塞尔光束的光束整形经历两个阶段。首先,将相位图像应用于 LCOS-SLM 调制器,以将光束形状从高斯光束更改为甜甜圈光束。接下来,用平凸透镜(焦距 25.4 毫米)聚焦甜甜圈形光束。最终形成贝塞尔光束并用光束分析仪测量,其中贝塞尔光束宽度为 5.8 μm(FWHM),光束长度为 180 μm。

5. 选择性激光蚀刻

在本研究中使用 SLE 技术来生成 TGV。测试溶液(HF、KOH、NaOH 和 NH₄F溶液)。根据阿伦尼乌斯方程,提高蚀刻剂的温度会增加碰撞频率并加速化学反应。使用超短激光进行局部改性过程后,将改性玻璃样品浸入装满蚀刻剂的聚四氟乙烯罐中。蚀刻过程如图 2。

1a542232-d927-11ef-9310-92fbcf53809c.jpg

图2 蚀刻工艺示意图。

结果与讨论

蚀刻剂和选择性

本研究目的是提高 TGV 的生产率,采用 SLE 工艺。通过超短脉冲激光对玻璃内部进行局部改性,并应用化学蚀刻。图4是4种蚀刻剂形成的通孔。

1a6747ea-d927-11ef-9310-92fbcf53809c.jpg

图4 每种蚀刻剂形成的通孔。(a – d)光学显微镜图像。(a)HF 10 M 溶液;(b)NaOH 3 M 溶液;(c)KOH 8 M 溶液;(d)NH₄F 8 M 溶液。

蚀刻剂和孔锥角

如图4所示,每种蚀刻剂的锥角都不同。因此尝试通过蚀刻剂及其浓度改变锥角的可行性。得出结论,锥角可以通过4种蚀刻剂的摩尔浓度来确定。测量结果如图 5所示。

1a7a03da-d927-11ef-9310-92fbcf53809c.jpg

图5 通过每种蚀刻剂形成的通孔。(a – d)光学显微镜图像。(a)HF 5 M 溶液;(b)NH₄F 5 M 溶液;(c)NaOH 5 M 溶液;(d)KOH 5 M 溶液。

结论

(1)结果表明,最有效的蚀刻剂是NH₄F,在85°C下用8 M NH₄F溶液蚀刻3小时内即可产生TGV。如上所述,可以比以前的研究快3倍产生TGV。此外,还发现选择性是表征蚀刻效率最可靠的参数。

(2)结果还表明,盲孔的锥角受蚀刻剂的影响。蚀刻剂本身决定了锥角。HF、NH₄F、NaOH 和 KOH 溶液分别产生 41°–53°、47°–60°、53°–62° 和 58°–66° 的锥角。这项研究可能对那些想要生成具有特定角度的孔的人有所帮助。

注:创作不易,尊重原创,文章归属于创作者所有,仅供参考,如涉及到侵权等问题,请联系小编删除

来源:The Effects of Etchant on via Hole Taper Angle and Selectivity in Selective Laser Etching

PMCID: PMC10971941 PMID: 38542567

doi: 10.3390/mi15030320

网址:https://pmc.ncbi.nlm.nih.gov/articles/PMC10971941/#micromachines-15-00320-f004

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 激光
    +关注

    关注

    21

    文章

    3584

    浏览量

    69115
  • 蚀刻
    +关注

    关注

    10

    文章

    428

    浏览量

    16468

原文标题:选择性激光蚀刻中蚀刻剂对玻璃通孔锥角和选择性的影响

文章出处:【微信号:深圳市赛姆烯金科技有限公司,微信公众号:深圳市赛姆烯金科技有限公司】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    选择性波峰焊焊接温度全解析:工艺控制与优化指南

    在电子制造行业, 选择性波峰焊(Selective Wave Soldering,简称 SWS)  已经成为解决局部焊接需求的重要工艺。它能够在同一块 PCB 上,对不同区域实现差异化焊接,避免整板
    的头像 发表于 09-17 15:10 833次阅读

    选择性波峰焊技术简介

    选择性波峰焊以其精准焊接、高效生产和自动化优势,已成为SMT后段工艺不可或缺的一环。AST埃斯特凭借领先的技术和优质的产品,为电子制造企业提供了强有力的插件焊接设备解决方案。无论是消费电子还是
    的头像 发表于 08-28 10:11 631次阅读
    <b class='flag-5'>选择性</b>波峰焊技术简介

    AST SEL-31单头选择性波峰焊——智能焊接新选择

    在电子制造智能化、精细化的趋势下,选择一款 高效、稳定、可追溯 的焊接设备,是企业提升竞争力的关键。 AST SEL-31 单头选择性波峰焊,以 精度、效率与智能化 为核心,为客户带来稳定可靠的生产力。无论是 汽车电子、通信设备、工业控制,还是消费电子,AST 都能
    的头像 发表于 08-28 10:05 388次阅读
    AST SEL-31单头<b class='flag-5'>选择性</b>波峰焊——智能焊接新<b class='flag-5'>选择</b>

    焊接还用手工?选择性波峰焊才是降本增效的智慧之选!

    一、为什么通焊接需要选择性波峰焊? 传统波峰焊(整板浸锡)的痛点: 浪费锡料:仅 10% 通需要焊接,其余 90% 焊盘被冗余覆盖 热损伤风险:电容、晶振等热敏元件耐温<260℃,整板过炉易失效
    的头像 发表于 08-27 17:03 628次阅读

    AST埃斯特SEL-32D在线选择性焊接机:高效精密PCB焊接解决方案效精密PCB焊接

    在追求高效率和高质量的电子制造领域,选择性焊接工艺对确保最终产品可靠至关重要。AST埃斯特推出的SEL-32D选择性焊接机,凭借其创新的在线式设计、精密的分段焊接控制以及稳定的性能参数,已成为满足现代SMT后段焊接需求的理想工
    的头像 发表于 08-20 16:52 595次阅读

    专为灵活生产而生!AST埃斯特 ASEL-450选择性波峰焊设备,省空间、省电、更省心!

    AST ASEL-450是一款高性能的离线式选择性波峰焊设备,专为中小批量、多品种的PCB焊接需求设计。该机型采用一体化集成设计,将喷雾、预热和焊接功能融为一体,不仅节省空间,还显著降低能耗,是电子制造企业理想的选择性焊接设备
    的头像 发表于 08-20 16:49 590次阅读

    晶圆蚀刻扩散工艺流程

    ,形成所需的电路或结构(如金属线、介质层、硅槽等)。材料去除:通过化学或物理方法选择性去除暴露的薄膜或衬底。2.蚀刻分类干法蚀刻:依赖等离子体或离子束(如ICP、R
    的头像 发表于 07-15 15:00 996次阅读
    晶圆<b class='flag-5'>蚀刻</b>扩散工艺流程

    小批量多品种生产困局破冰:选择性波峰焊如何重塑柔性电子制造竞争力

    的几大核心优势 无治具焊接-简化生产流程 传统波峰焊是全域焊接,需要治具限制基板在焊接过程不会变形,保护锡膏和贴片物料不被锡波冲掉。而选择性波峰焊是通过精准控制移动喷嘴,进行单点或多点焊接,减少或不需要
    发表于 06-30 14:54

    Keithley 6517B静电计在离子选择性电极和pH测量的优势

    在现代科学研究和工业应用,离子选择性电极和pH测量扮演着至关重要的角色。这些技术广泛应用于环境监测、食品工业、医药研究以及化学分析等领域。Keithley 6517B静电计作为一种高精度、高灵敏度
    的头像 发表于 06-18 10:52 365次阅读
    Keithley 6517B静电计在离子<b class='flag-5'>选择性</b>电极和pH测量<b class='flag-5'>中</b>的优势

    PCBA 加工必备知识:选择性波峰焊和传统波峰焊区别大揭秘

    一站式PCBA加工厂家今天为大家讲讲PCBA加工选择性波峰焊与传统波峰焊什么区别?选择性波峰焊与传统波峰焊的区别及应用。在PCBA加工,DIP插件焊接是确保产品连接可靠
    的头像 发表于 05-08 09:21 1082次阅读

    半导体选择性外延生长技术的发展历史

    选择性外延生长(SEG)是当今关键的前端工艺(FEOL)技术之一,已在CMOS器件制造中使用了20年。英特尔在2003年的90纳米节点平面CMOS首次引入了SEG技术,用于pMOS源/漏(S/D
    的头像 发表于 05-03 12:51 3475次阅读
    半导体<b class='flag-5'>选择性</b>外延生长技术的发展历史

    什么是高选择性蚀刻

    华林科纳半导体高选择性蚀刻是指在半导体制造等精密加工,通过化学或物理手段实现目标材料与非目标材料刻蚀速率的显著差异,从而精准去除指定材料并保护其他结构的工艺技术‌。其核心在于通过工艺优化控制
    的头像 发表于 03-12 17:02 732次阅读

    孟颖教授最新Joule:探索电化学过程软金属的选择性生长

    密度。其中,软金属在电化学过程通过晶粒选择性生长形成的纹理是一个影响功率和安全的关键因素。 在此,美国芝加哥大学Ying Shirley Meng(孟颖)教授和美国密西根大学陈磊教授等人制定了一个通用的热力学理论和相场模型来
    的头像 发表于 02-12 13:54 869次阅读
    孟颖教授最新Joule:探索电化学过程<b class='flag-5'>中</b>软金属的<b class='flag-5'>选择性</b>生长

    芯片湿法蚀刻工艺

    、传感器和光电器件的制造过程。 与干法蚀刻相比,湿法蚀刻通常具有较低的设备成本和较高的生产效率,适合大规模生产。 化学原理 基于化学反应的选择性,不同材料在特定化学溶液
    的头像 发表于 12-27 11:12 1437次阅读

    SiGe与Si选择性刻蚀技术

    , GAAFET)作为一种有望替代FinFET的下一代晶体管架构,因其能够在更小尺寸下提供更好的静电控制和更高的性能而备受关注。在制造n型GAAFET的过程,一个关键步骤是在内隔层沉积之前对Si-SiGe堆叠纳米片进行高选择性的SiGe:Si
    的头像 发表于 12-17 09:53 1919次阅读
    SiGe与Si<b class='flag-5'>选择性</b>刻蚀技术