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半导体刻蚀工艺之湿法腐蚀工艺课堂4（中）
- 腐蚀(9471)
- 刻蚀(12476)
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为刻蚀终点探测进行原位测量
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204半导体工艺的发展史
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半导体制造技术之刻蚀工艺
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1536半导体制造之薄膜工艺讲解
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406华林科纳PFA管在半导体清洗工艺中的卓越应用
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258半导体封装工艺的四个等级
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芯片制造的刻蚀工艺科普
在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料，从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备，在其他类似工艺中也很常见。
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半导体划片机工艺应用
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用于高密度和高效率电源设计的意法半导体WBG解决方案
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半导体封装设计工艺的各个阶段阐述
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干法刻蚀在工艺制程中的分类介绍（干法刻蚀关键因素研究）
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基于干法刻蚀工艺路线和湿法腐蚀工艺路线研究
双色红外探测器具有抗干扰能力强、探测波段范围广、目标特征信息丰富等优点，因此被广泛应用于导弹预警、气象服务、精确制导、光电对抗和遥感卫星等领域。双色红外探测技术可降低虚警率，实现复杂背景下的目标识别，从而显著提高系统性能。碲镉汞材料、量子阱材料和锑化物Ⅱ类超晶格材料均可用于制备双色红外探测器。其中，InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料因其带隙灵活可调、电子有效质量更大、大面积均匀性高等特点以及成本优势，成为制备双色
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可持续湿法工艺解决方案
来源：《半导体芯科技》杂志 绿色目标。黄色解决方案。 凭借二十年在批量喷涂及其硬件方面的经验，Siconnex已成长为可持续湿法工艺设备的领先供应商。可持续发展和环境健康是我们的基因
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刻蚀工艺主要分为哪几种类型 刻蚀的目的是什么？
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2855半导体前端工艺：沉积——“更小、更多”，微细化的关键
在半导体制程中，移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种，引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如，光刻工艺中的光刻胶涂敷，其实也是在基底上形成各种薄膜；又如氧化工艺中晶圆（硅）氧化，也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“沉积”工艺呢？
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半导体前端工艺之刻蚀工艺
在半导体前端工艺第三篇中，我们了解了如何制作“饼干模具”。本期，我们就来讲讲如何采用这个“饼干模具”印出我们想要的“饼干”。这一步骤的重点，在于如何移除不需要的材料，即“刻蚀（Etching）工艺”。
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506半导体封装的作用、工艺和演变
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比肩国际大厂，刻蚀设备会是率先实现国产替代的吗？
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刻蚀工艺流程和步骤 酸性蚀刻和碱性蚀刻的区别
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2023-07-28 15:16:594140
4140半导体激光焊接技术的工艺应用
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一个晶圆被分割成多个半导体芯片的工艺
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干法刻蚀工艺介绍 硅的深沟槽干法刻蚀工艺方法
第一种是间歇式刻蚀方法(BOSCH)，即多次交替循环刻蚀和淀积工艺，刻蚀工艺使用的是SF6气体，淀积工艺使用的是C4F8气体
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ALD是什么？半导体制造的基本流程
在半导体制造过程中，每个半导体元件的产品都需要经过数百道工序。这些工序包括前道工艺和后道工艺，前道工艺是整个制造过程中最为重要的部分，它关系到半导体芯片的基本结构和特性的形成，涉及晶圆制造、沉积、光刻、刻蚀等步骤，技术难点多，操作复杂。
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半导体前端工艺之沉积工艺
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半导体行业关键技术ALD：这家公司是龙头！
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浅谈半导体制造中的刻蚀工艺
在上一篇文章，我们介绍了光刻工艺，即利用光罩(掩膜)把设计好的电路图形绘制在涂覆了光刻胶的晶圆表面上。下一步，将在晶圆上进行刻蚀工艺，以去除不必要的材料，只保留所需的图形。
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晶圆临时键合及解键合工艺技术介绍
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半导体芯片封装工艺流程，芯片定制封装技术
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1571半导体封装工艺之模塑工艺类型
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半导体图案化工艺流程之刻蚀(一)
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采用光刻胶牺牲层技术改善薄膜电路制备工艺
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《炬丰科技-半导体工艺》金属氧化物半导体的制造
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：金属氧化物半导体的制造 编号：JFKJ-21-207 作者：炬丰科技 概述 CMOS制造工艺概述 CMOS制造工艺流程 设计规则 互补金属氧化物
2023-04-20 11:16:00247
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《炬丰科技-半导体工艺》III-V的光子学特性
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：III-V的光子学特性 编号：JFKJ-21-215 作者：炬丰科技 摘要 III-V型半导体纳米线已显示出巨大的潜力光学、光电和电子器件的构建
2023-04-19 10:03:0093
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使用虚拟实验设计加速半导体工艺发展
作者： Coventor（泛林集团旗下公司）半导体工艺与整合(SPI)高级工程师王青鹏博士 摘要：虚拟DOE能够降低硅晶圆测试成本，并成功降低DED钨填充工艺中的空隙体积 实验设计(DOE)是半导体
2023-04-18 16:28:29291
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半导体行业之刻蚀工艺介绍
压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓，同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。
2023-04-17 10:36:431922
1922使用虚拟实验设计加速半导体工艺发展
，在半导体设计和制造领域，DOE（或实验）空间通常并未得到充分探索。相反，人们经常使用非常传统的试错方案来挖掘有限的实验空间。这是因为在半导体制造工艺中存在着太多变量，如果要充分探索所有变量的可能情况
2023-04-13 14:19:57415
415半导体行业之刻蚀工艺介绍
金属刻蚀具有良好的轮廓控制、残余物控制，防止金属腐蚀很重要。金属刻蚀时铝中如果 有少量铜就会引起残余物问题，因为Cu Cl2的挥发性极低且会停留在晶圆表面。
2023-04-10 09:40:542330
2330半导体行业之刻蚀工艺技术
DRAM栅工艺中，在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层，然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198
2198湿式半导体工艺中的案例研究
半导体行业的许多工艺步骤都会排放有害废气。对于使用非常活泼的气体的化学气相沉积或干法蚀刻，所谓的靠近源头的废气使用点处理是常见的做法。相比之下，对于湿法化学工艺，使用中央湿式洗涤器处理废气是一种公认
2023-04-06 09:26:48408
408半导体制造工艺中的UV-LED解决方案
针对半导体制造工艺的UV-LED光源需求，虹科提供高功率的紫外光源解决方案，可适配步进器和掩膜版设备，更换传统工具中的传统灯箱，实现高质量的半导体质量控制。
2023-03-29 10:35:41710
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工商网监
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