瑞乐半导体——On Wafer WLS-EH无线晶圆测温系统半导体制造工艺温度监控的革新方案

在半导体制造中，工艺温度的精确控制直接关系到晶圆加工的良率与器件性能。传统的测温技术（如有线测温）易受环境干扰，难以在等离子刻蚀环境中实现实时监测。On Wafer WLS无线晶圆测温系统通过自主研发的传感器集成技术，将微型温度传感器直接嵌入晶圆载体（wafer），实现了对制程温度的原位、实时、全流程监控。

该系统的核心突破在于DUAL SHIELD技术，解决了在干法刻蚀工艺中监测温度的难题，DUAL SHIELD技术具有强抗干扰能力，在干法刻蚀（如等离子体刻蚀）等高电磁噪声环境中，确保信号传输稳定性。系统通过无线传输温度数据，无需改造设备硬件，即可为工艺工程师提供动态温度曲线，帮助优化刻蚀温度均匀性等关键参数。温度波动对临界尺寸（CD）的影响可通过该系统实现闭环控制，显著提升工艺窗口（Process Window）的稳定性。

【On Wafer WLS-EH无线晶圆测温系统系列产品】

On Wafer WLS-EH 刻蚀无线晶圆测温系统

On Wafer WLS-CR-EH 低温刻蚀无线晶圆测温系统

【应用场景】干法刻蚀

【产品优势】

1. 无线测温采集：传感器无需有线连接即可传输数据，满足晶圆在复杂性状况下通过无线通信方式进行温度测量。

2. 实时测温监测：系统可以提供实时温度读数，通过测温数据观察晶圆在工艺过程中的温度变化过程。

3. 满足高精度测量：采用高精度温度传感器确保数据的准确性，晶圆生产过程中精确控制工艺条件至关重要。

4. 测温数据分析能力：测量后的数据通过软件分析和优化工艺参数，提高产量和产品质量。

5. 支持过程调整与验证：通过分析在产品工艺条件下收集的温度数据实现调整蚀刻和其他关键工艺步骤的条件，以确保最佳性能。

6. 全面热分布区监测：在晶圆上支持多达12寸128个位置同时进行温度监测，从而获得全面的热分布图。

【参数配置】

Wafer尺寸	8”、12”	厚度	1.2mm
测温点数	53 点 /65点/81 点 / 可定制测温点	晶圆材质	硅片
温度范围	干法刻蚀15-100℃ 低温刻蚀-40-40℃	通信方式	无线通信传输
温度精度	±0.1℃/±0.2℃	充电方式	无线充电
sensor tosensor	＜0.2℃	采样频率	1-4Hz
测温元件	IC	配套主机	测温系统配套主机
测温软件	无线测温专用软件，实时显示温度场剖面图及实时升温曲线图

On Wafer WLS-EH无线晶圆测温系统在半导体制程干法刻蚀工艺中温度监测的应用，为智能制造中的实时反馈控制提供了数据基础，是推动半导体工艺走向高精度与高可靠性的重要工具。