3KW工业变频器电路设计方案详细说明
2024-03-19 08:33:09
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刻蚀机的刻蚀过程和传统的雕刻类似，先用光刻技术将图形形状和尺寸制成掩膜，再将掩膜与待加工物料模组装好，将样品置于刻蚀室内，通过化学腐蚀或物理磨蚀等方式将待加工物料表面的非掩膜区域刻蚀掉，以得到所需的凹槽和沟槽。
2024-03-11 15:38:24462 
的 2.5D/3D 封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直 TSV 的制造工艺复杂，容易造成填充缺陷。锥形 TSV 的侧壁倾斜，开口较大，有利于膜层沉积和铜电镀填充，可降低工艺难度和提高填充质量。在相对易于实现的刻蚀条件下制备
2024-02-25 17:19:00119 
影响深硅刻蚀的关键参数有：气体流量、上电极功率、下电极功率、腔体压力和冷却器。
2024-02-25 10:44:39283 
影响深硅刻蚀的关键参数有：气体流量、上电极功率、下电极功率、腔体压力和冷却器。
2024-02-25 10:40:1619 
电源模块外壳材质详细说明 保护散热绝缘 AC电源模块 BOSHIDA 选择电源模块外壳材质时，需要考虑以下几个因素： 保护性能：外壳材质需要具有足够的强度和硬度，能够保护电源模块内部的电路和元件不受
2024-02-20 09:03:4493 在半导体加工工艺中，常听到的两个词就是光刻(Lithography)和刻蚀(Etching)，它们像俩兄弟一样，一前一后的出现，有着千丝万缕的联系，这一节介绍半导体刻蚀工艺。
2024-01-26 10:01:58548 
、电镀（Electroplating）工艺、光刻胶去胶（PR Stripping）工艺和金属刻蚀（Metal Etching）工艺。
2024-01-24 09:39:09335 
干法刻蚀技术是一种在大气或真空条件下进行的刻蚀过程，通常使用气体中的离子或化学物质来去除材料表面的部分，通过掩膜和刻蚀参数的调控，可以实现各向异性及各向同性刻蚀的任意切换，从而形成所需的图案或结构
2024-01-20 10:24:561106 
使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测 作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja 介绍 半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀
2024-01-19 16:02:42128 
电源规格详细说明了标题为“线路调整率”的参数的数字。结果发现，当线路或输入电压发生变化时，输出端可能会出现微小的变化。线路调整率图详细说明了这一变化。
2024-01-17 14:35:20194 对DRIE刻蚀，是基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。与RIE刻蚀原理相同，利用硅的各向异性，通过化学作用和物理作用进行刻蚀。不同之处在于，两个射频源：将等离子的产生和自偏压的产生分离
2024-01-14 14:11:59511 
ADUC7029 串口下载，利用官方ARMWSD.EXE软件，请问一下，ADUC7029的SPM0 和SPM1怎么和PC的RS232连接？电源和GND呢？
2024-01-12 06:07:34
在红外探测器的制造技术中，台面刻蚀是完成器件电学隔离的必要环节。
2024-01-08 10:11:01206 
为了提高功率模块铜线键合性能，采用6因素5水平的正交试验方法，结合BP（Back Propaga‐tion）神经网络与遗传算法，提出了一种铜线键合工艺参数优化设计方案。首先，对选定样品进行正交试验
2024-01-03 09:41:19248 
下面就常见的焊接缺陷、外观特点、危害、原因分析进行详细说明。
2023-12-28 16:17:09190 该专利详细阐述了一种针对含硅有机介电层的高效刻蚀方法及相应的半导体工艺设备。它主要涉及到通过交替运用至少两个刻蚀步骤来刻蚀含硅有机介电层。这两个步骤分别为第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体，并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比，加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步，第一步是快速均匀地刻掉大部分W，第二步则降低刻蚀速率减弱负载效应，避免产生凹坑，并使用对TiN有高选择比的化学气体进行刻蚀。
2023-12-06 09:38:531536 很小的尺寸了（宽度或者间距），所以可以用两层甚至更多层mask来制造一层金属，如下图所示，所以可以看到版图中有红色和绿色（但看一种颜色，它们的间距光刻是可以加工的）。工艺有LELE（光刻 刻蚀 光刻
2023-12-01 10:20:03596 
半导体前端工艺（第四篇）：刻蚀——有选择性地刻蚀材料，以创建所需图形
2023-11-27 16:54:26256 
湿法刻蚀由于成本低、操作简单和一些特殊应用，所以它依旧普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
模组，其实就是把类似和相关的工序组成一个集合的概念，这样就可以分配给相对的部门去负责，他们只做这一部分对应的工作。比如：刻蚀工艺工程师就专门做刻蚀这一部分工作，不要做薄膜的工作。
2023-11-25 15:08:253280 
PCB表面处理的选择和优化，如何选择最合适的工艺？
2023-11-24 17:16:09304 在芯片制程中，很多金属都能用等离子的方法进行刻蚀，例如金属Al，W等。但是唯独没有听说过干法刻铜工艺，听的最多的铜互连工艺要数双大马士革工艺，为什么？
2023-11-14 18:25:332626 
但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺效果要好些，侧壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31:29406 干法蚀刻（dry etch）工艺通常由四个基本状态构成：蚀刻前（before etch），部分蚀刻（partial etch），蚀刻到位（just etch），过度蚀刻（over etch），主要表征有蚀刻速率，选择比，关键尺寸，均匀性，终点探测。
2023-10-18 09:53:19788 
KT148A语音芯片的组合播放详细说明 ，包含：语音制作 、压缩、下载、播放
这里总共的步骤大概分为5步，其实也很简单
组合播放的原理，其实就是KT148A一次性接收需要播放的语音组合，存入
2023-10-13 11:17:01369 
黑金Spartan6开发板的Verilog教程详细说明
2023-10-11 18:02:45
1 刻蚀（或蚀刻）是从晶圆表面去除特定区域的材料以形成相应微结构。但是，在目标材料被刻蚀时，通常伴随着其他层或掩膜的刻蚀。
2023-10-07 14:19:252073 
有过深硅刻蚀的朋友经常会遇到这种情况：在一片晶圆上不同尺寸的孔或槽刻蚀速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171447 
在半导体制造中，刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀，这两种技术各有优势，也各有一定的局限性，理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
本文档的主要内容详细介绍的是电子管的代换资料详细说明。
2023-09-26 07:24:46
在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料，从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备，在其他类似工艺中也很常见。
2023-09-24 17:42:03996 
制作红外激光感应的雷达组件！包含代码、详细说明
2023-09-22 07:49:01
在使用 ST FOC 电机库时，当使用 Hall 信号作为位置信号时，需要输入同步电角度数据，这个数据根据当前使用电机的特性进行输入，会在每次 Hall 信号变化时同步电角度，如果角度偏差较大时会影响控制效果，可能带来效率或者电机的震荡，初始测试还是有必要的，本文详细说明测试注意事项以及测试方法。
2023-09-11 07:43:13
KT142C-sop16语音芯片ic的串口指令详细说明_默认9600指令可设
2023-09-07 12:00:04382 
NUC505支持多种启动方式, 每种启动的方式和流程,有没有相关文档说明? 官网没有找到, 参考文档也没有详细说明
2023-08-29 06:27:01
湿法刻蚀由于精度较差，只适用于很粗糙的制程，但它还是有优点的，比如价格便宜，适合批量处理，酸槽里可以一次浸泡25张硅片，所以有些高校和实验室，还在用湿法做器件，芯片厂里也会用湿法刻蚀来显露表面缺陷（defect），腐蚀背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
光刻蚀（Photolithography）是一种在微电子和光电子制造中常用的加工技术，用于制造微细结构和芯片元件。它的基本原理是利用光的化学和物理作用，通过光罩的设计和控制，将光影投射到光敏材料上，形成所需的图案。
2023-08-24 15:57:422270 PVP可以在刻蚀过程中形成一层保护性的膜，降低刻蚀剂对所需刻蚀材料的腐蚀作用。它可以填充材料表面的裂缝、孔洞和微小空隙，并防止刻蚀剂侵入。这样可以减少不需要的蚀刻或损伤，提高刻蚀的选择性。
2023-08-17 15:39:392855 模式下运行。
有关AXI协议的详细说明，请参阅AMBA AXI协议规范。
有关APB协议的详细说明，请参阅AMBA APB协议规范。
本节总结了周期模型的功能与硬件的功能，以及周期模型的性能和准确性
2023-08-16 06:41:45
PL340内存控制器是一款高性能、面积优化的SDRAM或移动SDR内存控制器，兼容高级微控制器总线架构(AMBA)AXI协议。
有关AXI协议的详细说明，请参阅AMBA AXI协议规范。
本节总结
2023-08-12 06:25:03
PL341内存控制器是一款高性能、面积优化的DDR2 SDRAM内存控制器，兼容高级微控制器总线架构(AMBA)AXI协议。
有关AXI协议的详细说明，请参阅AMBA AXI协议规范。
本节总结了周期模型的功能与硬件的功能，以及周期模型的性能和准确性。
2023-08-12 06:01:49
在半导体前端工艺第三篇中，我们了解了如何制作“饼干模具”。本期，我们就来讲讲如何采用这个“饼干模具”印出我们想要的“饼干”。这一步骤的重点，在于如何移除不需要的材料，即“刻蚀（Etching）工艺”。
2023-08-10 15:06:10506 在微电子制造中，刻蚀技术是制作集成电路和其他微型电子器件的关键步骤之一。通过刻蚀技术，微电子行业能够在硅晶片上创建复杂的微观结构。本文旨在探讨刻蚀设备的市场规模以及行业内的竞争格局。
2023-08-02 10:01:08623 
刻蚀（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的图案和结构。刻蚀的原理是利用化学反应或物理过程，通过移除材料表面的原子或分子，使材料发生形貌变化。
2023-08-01 16:33:383908 电子发烧友网报道（文/周凯扬）在半导体制造的各路工序中，尤其是前道工序中，技术难度最大的主要三大流程当属光刻、刻蚀和薄膜沉积了。这三大工艺的先进程度直接决定了晶圆厂所能实现的最高工艺节点，所用产品
2023-07-30 03:24:481556 
刻蚀和蚀刻实质上是同一过程的不同称呼，常常用来描述在材料表面上进行化学或物理腐蚀以去除或改变材料的特定部分的过程。在半导体制造中，这个过程常常用于雕刻芯片上的细微结构。
2023-07-28 15:16:594140 在设计MOS管开关电路时，就要充分了解MOS管的工作原理。下面咱们来详细说明。
2023-07-20 09:40:171104 
Accura BE作为国产首台12英寸晶边刻蚀设备，其技术性能已达到业界主流水平。” Accura BE通过软件系统调度优化和特有传输平台的结合，可以提升客户的产能。
2023-07-19 16:50:011140 据介绍，在器件制造过程中，由于薄膜沉积、光刻、刻蚀和化学机械抛光等工艺步骤的大幅增长，在晶圆的边缘造成了不可避免的副产物及残留物堆积，这些晶边沉积的副产物及残留物骤增导致的缺陷风险成为产品良率的严重威胁。
2023-07-19 15:02:26607 CMP 主要负责对晶圆表面实现平坦化。晶圆制造前道加工环节主要包括7个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化 CMP 则主要用于衔接不同薄膜工艺，其中根据工艺
2023-07-18 11:48:183030 
第一种是间歇式刻蚀方法(BOSCH)，即多次交替循环刻蚀和淀积工艺，刻蚀工艺使用的是SF6气体，淀积工艺使用的是C4F8气体
2023-07-14 09:54:463214 
在前几篇文章（点击查看），我们一直在借用饼干烘焙过程来形象地说明半导体制程 。在上一篇我们说到，为制作巧克力夹心，需通过“刻蚀工艺”挖出饼干的中间部分，然后倒入巧克力糖浆，再盖上一层饼干层。“倒入巧克力糖浆”和“盖上饼干层”的过程在半导体制程中就相当于“沉积工艺”。
2023-06-29 16:56:17830 
需要使用我分享的EDA虚拟机：IC_EDA_ALL虚拟机(丰富版)详细说明.
2023-06-29 10:21:172488 
在上一篇文章，我们介绍了光刻工艺，即利用光罩(掩膜)把设计好的电路图形绘制在涂覆了光刻胶的晶圆表面上。下一步，将在晶圆上进行刻蚀工艺，以去除不必要的材料，只保留所需的图形。
2023-06-28 10:04:58843 
图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。其中，刻蚀工艺是光刻(Photo)工艺的下一步，用于去除光刻胶(Photo Resist
2023-06-26 09:20:10816 
中国科学院大学集成电路学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院。为了提高学生对先进光刻技术的理解，本学期集成电路学院开设了《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》研讨课。在授课过程中，除教师系统地讲授
2023-06-20 10:51:43335 
离子束蚀刻 (Ion beam etch) 是一种物理干法蚀刻工艺。由此，氩离子以约1至3keV的离子束辐射到表面上。由于离子的能量，它们会撞击表面的材料。晶圆垂直或倾斜入离子束，蚀刻过程是绝对
2023-06-20 09:48:563989 
在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料，从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备，在其他类似工艺中也很常见。
2023-06-15 17:51:571177 
中国科学院大学集成电路学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院。为了提高学生对先进光刻技术的理解，本学期集成电路学院开设了《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》研讨课。在授课过程中，除教师系统地讲授
2023-06-12 11:19:55562 
光刻工艺后，在硅片或晶圆上形成了光刻胶的图形，下一步就是刻蚀。
2023-06-08 10:52:353320 
硅的碱性刻蚀液：氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺（TMAH）溶液，晶片加工中，会用到强碱作表面腐蚀或减薄，器件生产中，则倾向于弱碱，如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒，一部分机理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 集成电路前道工艺及对应设备主要分八大类，包括光刻（光刻机）、刻蚀（刻蚀机）、薄膜生长（PVD-物理气相沉积、CVD-化学气相沉积等薄膜设备）、扩散（扩散炉）、离子注入（离子注入机）、平坦化（CMP设备）、金属化（ECD设备）、湿法工艺（湿法工艺设备）等。
2023-05-30 10:47:121131 
但是，HCl为基体的刻蚀溶液，会严重地侵蚀Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金属硅化物阻值升高。这就要求有一种刻蚀剂是无氯基体，而且对Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe无伤害、对金属选择性又高。这就是目前常用的高温硫酸和双氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461 
上文FPGA IP之AXI4协议1_信号说明把AXI协议5个通道的接口信息做了说明，本文对上文说的信号进行详细说明。
2023-05-24 15:06:41669 
本文主要介绍Vivado布线参数设置，基本设置方式和vivado综合参数设置基本一致，将详细说明如何设置布线参数以优化FPGA设计的性能，以及如何设置Vivado压缩BIT文件。
2023-05-16 16:40:452956 
图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271073 
经过氧化、光刻、刻蚀、沉积等工艺，晶圆表面会形成各种半导体元件。半导体制造商会让晶圆表面布满晶体管和电容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52532 
本篇要讲的金属布线工艺，与前面提到的光刻、刻蚀、沉积等独立的工艺不同。在半导体制程中，光刻、刻蚀等工艺，其实是为了金属布线才进行的。在金属布线过程中，会采用很多与之前的电子元器件层性质不同的配线材料（金属）。
2023-04-25 10:38:49986 
我在使用 ESP32AT 命令模拟 BLE 鼠标时遇到 了一个问题，在 AT 指令集中查到了 AT+BLEHIDMUS=,,,指令参数的简单说明， 但实际使用中不清楚< wheel
2023-04-24 09:08:43
等离子体均匀性和等离子体位置的控制在未来更加重要。对于成熟的技术节点，高的产量、低的成本是与现有生产系统竞争的关键因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蚀系统，从长远来看，可以为客户节省大量费用，有可能
2023-04-21 09:20:221349 压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓，同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。
2023-04-17 10:36:431922 为什么MFR4310E1MAE40型号的丝印是1M63J而不是0M63J？说明书里有详细说明，怎么看？
2023-04-14 06:09:49
1、 B150外观，详细说明书可登录官网2、 B150电气特性：输入电压220V，功率1.5KW 3、 B150接线图 4、 参数设置： 5、 参数清单
2023-04-10 10:26:430 金属刻蚀具有良好的轮廓控制、残余物控制，防止金属腐蚀很重要。金属刻蚀时铝中如果 有少量铜就会引起残余物问题，因为Cu Cl2的挥发性极低且会停留在晶圆表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM栅工艺中，在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层，然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 不多说，上货。Xilinx FPGA 开发流程及详细说明本篇目录1. 设计前准备2. 建立工程3. 输入设计4. 综合分析5. RTL仿真6. 锁定管脚7. 布局布线8. 生成配置文件并下载9.
2023-03-30 19:04:10
FinFET三维器件也可以用体硅衬底制作，这需要更好地控制单晶硅刻蚀工艺，如CD、深度和轮廓。
2023-03-30 09:39:182459 810-SPM3015T-1R5M
2023-03-29 22:11:27
SPM3020T-R47M
2023-03-29 22:06:43
SPM3020T-1R0M
2023-03-29 22:01:18
SPM5015T-2R2M
2023-03-29 22:01:04
SPM5015T-R47M
2023-03-29 22:00:37
SPM3015T-1R5M
2023-03-29 21:58:42
SPM4030T-3R3M
2023-03-29 21:56:24
本系列将带来FPGA的系统性学习，从最基本的数字电路基础开始，最详细操作步骤，最直白的言语描述，手把手的“傻瓜式”讲解，让电子、信息、通信类专业学生、初入职场小白及打算进阶提升的职业开发者都可以有
2023-03-29 21:28:27
SPM4020T-1R0M
2023-03-29 18:14:29
SPM5030VT-3R3M-D
2023-03-29 17:28:52
SPM5010T-3R3M-LR
2023-03-29 17:19:18
SPM10040XT-R33M
2023-03-29 16:27:51
SPM4030T-3R3M-HZ
2023-03-28 18:09:10
SPM5012T-2R2M-LR
2023-03-28 18:06:49
SPM3015T-1R0M
2023-03-28 14:29:57
SPM3015T-R47M
2023-03-28 14:23:08
SPM0687LR5H-1
2023-03-28 13:14:03
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