RTD Wafer 晶圆测温系统利用自主研发的核心技术将 RTD 传感器集成到晶圆表面，实时监控和记录晶圆在制程过程中的温度变化数据，为半导体 制造过程提供一种高效可靠的方式来监测和优化关键的工艺参数。瑞乐提 供核心的 DUAL SHIELD 技术，具有强抗干扰能力，可实现在干法刻蚀环 境中正常工作，精准监测刻蚀工艺温度；结合核心的 TEMP-BLOCK 技术， 可实现高温环境中，精准监测制程温度。
【应用范围】PVD(物理气相沉积)、CVD(化学气相沉积)、全自 动涂胶显影TRACK设备、无线测温设备场景
【产品优势】
1. ±0.05℃高精度测温监测：RTD传感器能够提供高精度的温度读数，确保半导体制造过程中的关键步骤能够在最佳温度下进行，从而保证产品质量至关重要。
2. 实时测温数据获取：通过RTD Wafer，可以实时监测晶圆在热处理和刻蚀过程中的温度变化，实现即时调整工艺参数，优化生产效率。
3. 测温数据分析能力：测量后的数据通过软件分析和优化工艺参数，提高产量和产品质量。
4.支持过程调整与验证：通过分析在产品工艺条件下收集的温度数据实现调整蚀刻和其他关键工艺步骤的条件，以确保最佳性能。
5.全面热分布区监测：在晶圆上支持多达81个位置同时进行温度监测，从而获得全面的热分布图。
【参数配置】
Wafer 尺寸 | 2”、3”、4”、6”、8”、12” | 测温元件 | RTD |
测温点数 | 1-17 | 晶圆材质 | 硅片 / 蓝宝石等 |
温度范围 | 10-250℃ | 通信方式 | 无线通信传输 |
温度精度 | ±0.5℃ | 采样频率 | 1Hz/2Hz |
sensor to sensor | ＜ 0.5℃ | 配套主机 | 测温系统配套主机 |
测温软件 | 测温专用软件，实时显示温度场剖面图及实时升温曲线图 | ||
4.TC Wafer晶圆测温系统
TC Wafer 晶圆测温系统通过利用自主研发的核心技术将耐高温的热电偶传感器镶嵌在晶圆表面，实时监控和记录晶圆在制程过程中的温度变化数据，为半导体制造过程提供一种高效可靠的方式来监测和优化关键的工艺参数。
【应用范围】
物理气相沉积 (PVD)、原子层沉积 (ALD)、化学气相沉积 (CVD)、退火炉、去胶设备、晶圆临时键合、涂胶显影 TRACK 设备、 加热板、加热盘
【产品优势】
1. 1200℃耐高温测量：热电偶传感器能够承受1200℃的温度，TC Wafer适合用于监控在极端温度条件下进行的半导体制造过程。
2. 温度精确实时监测：TC Wafer可提供晶圆上特定位置的准确温度数据。
3. 详细温度分布图：通过在晶圆上布置多个点来收集温度数据，TC Wafer能够提供整个晶圆的温度分布情况，帮助识别不均匀加热或冷却的问题。
4. 瞬态温度跟踪：TC Wafer能够捕捉到快速变化的温度动态，如升温、降温、恒温过程以及延迟时间等关键参数的变化，为工艺优化提供数据支持。
5. 支持过程控制与优化：持续监控晶圆在热处理过程中的温度变化有助于工程师调整工艺参数，提高生产效率并确保产品质量。
6. 适用于多种晶圆尺寸：TC Wafer的设计使其能够适用于不同直径的晶圆，包括2英寸和大至12英寸的晶圆，满足各种制造需求。
【参数配置】
Wafer 尺寸 | 2”、3”、4”、6”、8”、12” | 晶圆材质 | 硅片 / 蓝宝石等 |
测温点数 | 1-34 | 线长 | L1- 腔体内部；L2- 仓门过渡段；L3- 腔体外部 |
测温元件 | TC | 采样频率 | 1Hz |
TC 线径 | 0.127mm/0.254mm | 配套主机 | 测温系统配套主机 |
温度范围 | K 型：RT~1200℃;R/S 型：RT~1200℃;T 型：RT~350℃;TR 高精度型：-40-250℃ /-40-350℃ | ||
温度精度 | K 型：±1.1℃ /0.4%；R/S 型：±0.6℃ /0.1%；T 型：±0.5℃;TR 高精度型：±0.1℃ /±0.5℃ | ||
