切割进给量与碳化硅衬底厚度均匀性的量化关系及工艺优化

引言

在碳化硅衬底加工过程中，切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系，并进行工艺优化，对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意义。

量化关系分析

切割机理对厚度均匀性的影响

碳化硅硬度高、脆性大，切割过程中，切割进给量直接影响切割力大小与分布 。当进给量较小时，切割工具与碳化硅衬底接触区域的切削力相对较小且稳定，材料去除过程较为均匀，有利于保证衬底厚度均匀性 。随着进给量增大，切割力急剧增加，切割工具对衬底的冲击作用增强，易导致局部材料过度去除，使衬底表面出现凹坑、裂纹等缺陷，破坏厚度均匀性 。此外，较大的进给量还会引发切割工具振动加剧，进一步恶化厚度均匀性 。

理论模型构建

基于切削力学理论，结合碳化硅材料特性，构建切割进给量与厚度均匀性的理论模型 。考虑切割力与进给量的非线性关系，以及材料去除率对厚度均匀性的影响，引入相关参数建立方程 。例如，将切割力表示为进给量、切割速度等参数的函数，通过分析切割力对材料去除过程的作用，建立厚度均匀性评价指标（如厚度标准差）与进给量之间的数学模型 。利用有限元分析软件对模型进行模拟验证，优化模型参数，提高模型准确性 。

实验设计与数据分析

实验方案

设计多组对比实验，选取相同规格的碳化硅衬底，在其他工艺参数（如切割速度、切割压力等）保持一致的条件下，设置不同的切割进给量（如 0.1mm/min、0.3mm/min、0.5mm/min 等）进行切割加工 。采用高精度厚度测量仪器（如光学干涉仪）对切割后的衬底进行多点厚度测量，获取厚度数据 。同时，利用显微镜观察衬底表面微观形貌，分析不同进给量下表面缺陷情况 。

数据分析

对实验测量数据进行处理，计算每组实验中衬底厚度的平均值、标准差等统计量，定量评估厚度均匀性 。绘制厚度均匀性评价指标与切割进给量的关系曲线，直观展示二者变化趋势 。运用回归分析方法，拟合出厚度均匀性与切割进给量的经验公式，明确量化关系 。通过方差分析判断切割进给量对厚度均匀性影响的显著性，为工艺优化提供数据支持 。

工艺优化策略

优化进给量参数

根据量化关系分析结果，确定最佳切割进给量范围 。在保证加工效率的前提下，优先选择使厚度均匀性最优的进给量 。对于不同规格或质量要求的碳化硅衬底，通过实验或模拟进一步优化进给量参数，实现个性化加工 。

多参数协同优化

考虑切割过程中各工艺参数的相互影响，开展切割进给量与切割速度、切割压力等参数的协同优化研究 。通过正交实验或响应面法等优化设计方法，分析各参数交互作用对厚度均匀性的影响，建立多参数优化模型，获得综合性能最优的工艺参数组合 。

高通量晶圆测厚系统运用第三代扫频OCT技术，精准攻克晶圆/晶片厚度TTV重复精度不稳定难题，重复精度达3nm以下。针对行业厚度测量结果不一致的痛点，经不同时段测量验证，保障再现精度可靠。​

我们的数据和WAFERSIGHT2的数据测量对比,进一步验证了真值的再现性：

（以上为新启航实测样品数据结果）

该系统基于第三代可调谐扫频激光技术，相较传统双探头对射扫描，可一次完成所有平面度及厚度参数测量。其创新扫描原理极大提升材料兼容性，从轻掺到重掺P型硅，到碳化硅、蓝宝石、玻璃等多种晶圆材料均适用：​

对重掺型硅，可精准探测强吸收晶圆前后表面；​

点扫描第三代扫频激光技术，有效抵御光谱串扰，胜任粗糙晶圆表面测量；​

通过偏振效应补偿，增强低反射碳化硅、铌酸锂晶圆测量信噪比；

（以上为新启航实测样品数据结果）

支持绝缘体上硅和MEMS多层结构测量，覆盖μm级到数百μm级厚度范围，还可测量薄至4μm、精度达1nm的薄膜。

（以上为新启航实测样品数据结果）

此外，可调谐扫频激光具备出色的“温漂”处理能力，在极端环境中抗干扰性强，显著提升重复测量稳定性。

（以上为新启航实测样品数据结果）

系统采用第三代高速扫频可调谐激光器，摆脱传统SLD光源对“主动式减震平台”的依赖，凭借卓越抗干扰性实现小型化设计，还能与EFEM系统集成，满足产线自动化测量需求。运动控制灵活，适配2-12英寸方片和圆片测量。