摘要 本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体，并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行，例如在大约23丁和 大约200V之间
2022-02-07 14:01:26
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罗杰斯公司于近日推出了新款 curamik®系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的机械强度比其它陶瓷高，所以新款curamik® 基板能够帮助设计者在严苛的工作环境以及 HEV/EV 和其它可再生
2012-08-07 11:34:163492 一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法。该方法包括提供碳化硅基底；通过在基底上施加一层材料来形成非金属掩模层；形成掩模层以暴露基底的底层区域；并以第一速率用等离子体蚀刻基底的底层区域，同时以低于第一速率蚀刻掩模层。
2022-03-29 14:55:271620 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用，新的氧化物选择性模式，概述了通过将无水高频与控制量的水蒸汽混合而产生高频蒸汽蚀刻剂的实现方法，描述了一种通过将氮气通过高频水溶液而引入高频蒸汽的系统。
2022-04-11 16:41:191101 
本文介绍了在缓冲氧化物腐蚀(BOE)溶液中温度对氮化物和氧化物层腐蚀速率的影响。明确的框架结构和减少的蚀刻时间将提高制造过程的生产率，该方法从图案化氮化硅开始，以研究在BOE工艺之后形成的框架结构
2022-05-05 14:00:50907 
铜金属化过程中，氮化硅薄层通常作为金属层间电介质层（IMD）的密封层和刻蚀停止层。而厚的氮化硅则用于作为IC芯片的钝化保护电介质层（Passivation Dielectric, PD）。下图显示
2022-10-17 09:29:597614 、 合金化6、 单面光刻（涂胶、对准、曝光、显影）7、 双面光刻8、 LPCVD Si3N4 （氮化硅）9、 LPCVD POLY（多晶硅）10、 a-Si （非晶硅）11、 PECVD SiO2 （氧化硅
2015-01-07 16:15:47
一种在金上生成硫醇封端的SAM的新方法 - 应用简报
2019-10-30 11:05:12
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
基板的设备还能进一步缩小体积，4、具有极高的耐化学腐蚀性和良好的耐磨性能。5、斯利通氮化硅陶瓷基板还提供高端的定制化服务。终上所述，对于车用IGBT，氮化硅是再适合不过的。氮化硅陶瓷电路板可以适应高温
2021-01-27 11:30:38
设备载荷，但同时对散热要求就更高。这也意味着需要更加先进，更匹配，更环保的PCB板———氮化硅陶瓷基板。为什么说氮化硅陶瓷基板是最适合新能源汽车的PCB板呢？氮化硅在高温下具有高强度和断裂韧性。可以
2021-01-21 11:45:54
层需要全部蚀刻，而留下的另一层就是电路。蚀刻的方法，我们主要讨论化学方法，主要分为浸渍蚀刻、搅拌蚀刻以及喷射蚀刻。浸渍蚀刻就是把线路板进入容器中，容器中盛有蚀刻药液。这种蚀刻方法比较慢，而且会存在凹陷
2017-02-21 17:44:26
应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了关于用于GaN功率晶体管的智能栅极驱动器IC的精彩报告，并提出了一种适用于氮化镓功率晶体管的智能栅极驱动集成电路，该集成电路带有电流传感特性、可调节输出电阻、可调
2018-11-05 09:51:35
以及能耗成本上的差别。碳化硅基氮化镓的高昂的成本，极大限制了其在商业基站成为主流应用的前景。相比之下，一个8英寸硅晶圆厂几周的产能便可满足 MACOM氮化镓用于整个射频和微波行业一年的需求。MACOM
2017-08-30 10:51:37
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，又比碳化硅基氮化镓器件在成本上更具有优势，采用硅来做氮化镓衬底，与碳化硅基氮化镓相比，硅基氮化镓晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
，通过光化学法，网印图形转移或电镀图形抗蚀层，然后蚀刻掉非图形部分的铜箔或采用机械方式去除不需要部分而制成印制电路板PCB。而减成法中主要有雕刻法和蚀刻法两种。雕刻法是用机械加工方法除去不需要的铜箔，在单
2018-09-21 16:45:08
导线线宽十分精细时将会产生一系列的问题。同时,侧腐蚀（见图4）会严重影响线条的均匀性。 在印制板外层电路的加工工艺中，还有另外一种方法，就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻
2018-11-26 16:58:50
电源开关的能力是 GaN 电源 IC 的一大优势，例如图 1(a) 。由于GaN层可以在不同的衬底上生长，早期的工作中采用了一些绝缘材料，如蓝宝石和碳化硅。然而，从早期的努力中可以明显看出
2021-07-06 09:38:20
、CMP、ICP 干蚀刻、亚表面损伤、等离子体诱导损伤 直接比较了 GaN 衬底的表面处理方法，即使用胶体二氧化硅浆料的化学机械抛光 (CMP) 和使用 SiCl4 气体的电感耦合等离子体 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
重要材料的湿法腐蚀，即氧化锌、氮化镓和碳化硅。虽然氧化锌很容易在许多酸溶液中蚀刻，包括硝酸/盐酸和氢氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很难湿法蚀刻，通常使用干法蚀刻。已经研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
中使用的温度。通过这样做，我们开发了一种将晶体表面蚀刻成 III 族氮化物的两步工艺。通过在 H 中蚀刻形成具有对应于各种 GaN 晶面的刻蚀 ，采用160°C 以上、180°C 以上的熔融 KOH
2021-07-07 10:24:07
镜面硅结构时，表面的平滑度和蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶硅创建 45° 和 90° 蚀刻平面的方法，用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向，但使用两种不同的蚀刻剂。用
2021-07-19 11:03:23
：MacEtch 是一种湿法蚀刻工艺，可提供对取向、长度、形态等结构参数的可控性，此外，它是一种制造极高纵横比半导体纳米结构的简单且低成本的方法。 3 该工艺利用了在氧化剂（例如过氧化氢 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
认为，毕竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN，无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色！帅呆了！至少现在看是这样，让我们回顾下不同衬底风格的GaN之间有什么区别？
2019-07-31 07:54:41
6吋的 Si基板上。然而，由于硅和氮化镓的晶体常数不同，所以其缺陷密度较高，无法形成能够承受高压、大电流的纵型 FET，以及高性能的横向 HEMT。第二个问题是，氮化镓晶片是一种结块状（Bulk)，其
2023-02-23 15:46:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
应用的企图心。到2020年时，氮化镓组件将进军600～900伏特市场，与碳化硅组件的竞争关系升温。问题：1.碳化硅(Sic)、氮化镓(GaN)、都是一种新型的材料。那COOLMOS又是啥？（这几年也很热门）2.
2021-09-23 15:02:11
蚀刻 浸入蚀刻是一种半桨技术，它只需一个装满蚀刻洛液的槽，把板子整个浸入到溶液中，如图1所示。板子需要保持浸入直至蚀刻完成，这就需要很长的蚀刻时间，且蚀刻速度非常缓慢。可以通过加热蚀刻溶液的方法
2018-09-11 15:27:47
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
如题，寻求一种Si衬底上N+离子注入的有效单项监控手段
2021-04-01 23:50:33
是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻
2011-12-01 15:43:10
晶片边缘的蚀刻机台，特别是能有效地蚀刻去除晶片边缘剑山的一种蚀刻机，在动态随机存取存储单元(dynamic random access memory，DRAM)的制造过程中，为了提高产率，便采用
2018-03-16 11:53:10
本文介绍一种在鼠标概念基础上研究开发的密码输入方法，或者称为密码鼠标。这种密码鼠标采用滚动的数码输入方式，只有3～4个键，其输出编码结构、数码传输方法和传输率等与现行密码键盘完全相同，最大的不同是它可以完全防止输入密码时被他人窥视。
2021-05-27 06:26:07
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
电磁性。因碳化硅是一种共价键化合物，原子间结合的键很强，它具有以下一些独特的性能，因而得以广泛应用。1)高熔点。关于碳化硅熔点的数据.不同资料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
LED衬底目前主要是蓝宝石、碳化硅、硅衬底三种。大多数都采用蓝宝石衬底技术。碳化硅是科锐的专利，只有科锐一家使用，成本等核心数据不得而知。硅衬底成本低，但目前技术还不完善。 从LED成本上来看，用
2012-03-15 10:20:43
表面硅MEMS加工技术是在集成电路平面工艺基础上发展起来的一种MEMS工艺技术，它利用硅平面上不同材料的顺序淀积和选择腐蚀来形成各种微结构。什么是表面硅MEMS加工技术？表面硅MEMS加工技术先在
2018-11-05 15:42:42
论述了一种测试混合信号集成电路衬底噪声波形的方法采用电压比较器利用衬底电压对比
较器状态的影响对噪声作出统计测试根据测试结果重建噪声波形设计了一
2010-08-29 16:08:46
14 低热量化学气相工艺制备氮化硅美国Aviza工艺公司开发出一种低温化学气相沉积工艺(LPCVD)，可在500℃左右进行氮化硅沉积。这个工艺使用一
2009-06-12 21:08:29729 针对目前氮化硅陶瓷球材料性能评价体系不完善，以及各个厂家生产的陶瓷球质量参差不齐的问题，对3个较著名厂家（记为A、B、C）的陶瓷球的密度、显气孔率、硬度、断裂韧性及压碎载荷等主要性能参数进行了研究
2018-03-20 15:53:131 CMOS 工艺流程介绍
1.衬底选择：选择合适的衬底，或者外延片，本流程是带外延的衬底；
2. 开始：Pad oxide 氧化，如果直接淀积氮化硅，氮化硅对衬底应力过大，容易出问题；
2020-06-02 08:00:001 瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）基础科学学院的Tobias Kippenberg教授带领的科学家团队已经开发出一种采用氮化硅衬底制造光子集成电路的新技术，得到了创记录的低光学损耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:392333 据报道，光子集成电路（PIC）通常采用硅衬底，大自然中有丰富的硅原料，硅的光学性能也很好。但是，基于硅材料的光子集成电路无法实现所需的各项功能，因此出现了新的材料平台。氮化硅（Si3N4）就是其中一种
2021-05-07 16:00:102754 
近日，瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）教授Tobias Kippenberg团队开发出一种采用氮化硅衬底制造集成光子电路（光子芯片）技术，得到了创纪录的低光学损耗，且芯片尺寸小。相关研究在《自然—通讯》上发表。
2021-05-24 10:43:384490 在中红外波长下，演示了一种具有大纤芯-包层指数对比度的锗基平台——氮化硅锗波导。仿真验证了该结构的可行性。这种结构是通过首先将氮化硅沉积的硅上锗施主晶片键合到硅衬底晶片上，然后通过层转移方法获得氮化硅上锗结构来实现的，该结构可扩展到所有晶片尺寸。
2021-12-16 17:37:571072 
关键词:氮化硅，二氧化硅，磷酸，选择性蚀刻，密度泛函理论，焦磷酸 介绍 信息技术给我们的现代社会带来了巨大的转变。为了提高信息技术器件的存储密度，我们华林科纳使用浅沟槽隔离技术将半导体制造成无漏
2021-12-28 16:38:085458 
电感耦合等离子体反应离子蚀刻获得的高蚀刻速率和高度各向异性的轮廓。光增强湿法蚀刻提供了一种获得高蚀刻速率而没有离子诱导损伤的替代途径。该方法适用于器件制造以及n-氮化镓中位错密度的估算。这有可能发展成为一种快
2021-12-30 10:36:17989 
光增强电化学（PEC）湿蚀刻也被证明用于氮化镓。PEC蚀刻具有设备成本相对较低、表面损伤较低的优点，但尚未找到一种生产光滑的垂直侧壁的方法。氮化镓的裂切面也有报道，在蓝宝石基质上生长的氮化
2022-01-17 15:38:05942 
摘要 本文研究了氮化硅（氮化硅）基底的不同表面预处理（四种标准化学蚀刻和四种金刚石粉末磨刻(CVD)的效率。空白氮化硅样品用胶体二氧化硅(0.25m)抛光。金刚石成核和生长运行在微波等离子体化学
2022-01-21 15:02:04652 
索引术语:氮化镓，蚀刻 摘要 本文介绍了我们华林科纳的一种利用氢氧化钾溶液和大面积汞灯照明对氮化镓进行光增强湿法化学刻蚀的工艺。讨论了n+氮化镓、非有意掺杂氮化镓和p-氮化镓样品的结果。 介绍 光电
2022-02-07 14:35:421479 
刻蚀电介质(二氧化硅、氮化硅)和晶体硅。论文的第二部分致力于蚀刻ⅲ-ⅴ族化合物半导体，其中基于氮化镓材料的反应离子刻蚀结果，揭示了一种简单实用的热力学方法，解释了选择蚀刻特定材料的最佳化学物质的标准，并解释了氮化镓蚀刻
2022-02-07 14:39:361642 
本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体，并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行，例如在大约23丁和 大约200V之间
2022-02-15 11:11:143427 
磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高温下已被使用多年来蚀刻对二氧化硅(二氧化硅)层有选择性的氮化硅(Si3N4)。生产需要完全去除Si3N4，同时保持二氧化硅损失最小。批量晶片清洗的挑战是如何保持Si3N4对二氧化硅的高蚀刻选择性，以获得更长的槽寿命。
2022-02-15 11:25:592554 
摘要 在湿法工艺实施中使用单晶片处理器是先进半导体制造的一种趋势，因为它具有无污染、灵活的工艺控制以及在不损坏图案的情况下提高颗粒去除效率的优点。然而，在氮化硅去除过程中，不仅磷酸消耗的成本
2022-02-15 16:38:571654 
电感耦合等离子体反应离子蚀刻获得的高蚀刻速率和高度各向异性的轮廓。光增强湿法蚀刻提供了一种获得高蚀刻速率而没有离子诱导损伤的替代途径。该方法适用于器件制造以及n-氮化镓中位错密度的估算。这有可能发展成为一种快速评估材料的方法。
2022-02-23 16:20:242208 
摘要 等离子体蚀刻工艺，特别适用于在具有非氧化物成分的特征上选择性蚀刻氧化物，例如氮化硅，尤其是当该特征具有在氧化物蚀刻期间易于刻面的角部时。主要的含氟气体，优选六氟丁二烯 (C4F6)，与显着更大
2022-02-24 13:42:292426 
硅是微电子学和微细力学中最常用的衬底材料。它不仅可用作无源衬底，也可用作电子或机械元件的有源材料。如本章所述，所需的图案也可以通过湿化学蚀刻方法来实现。
2022-03-23 14:17:161811 
本文介绍了我们华林科纳采用氮化硅膜作为掩膜，采用湿蚀刻技术制备黑硅，样品在250~1000nm波长下的吸收率接近90%。实验结果表明，氮化硅膜作为掩模湿蚀刻技术制备黑硅是可行的，比飞秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:59819 
评估各种清洗技术的典型方法是在晶片表面沉积氮化硅(Si，N4)颗粒，然后通过所需的清洗工艺处理晶片。国家半导体技术路线图规定了从硅片上去除颗粒百分比的标准挑战，该挑战基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 
通过使用多级等离子体蚀刻实验设计、用于蚀刻后光致抗蚀剂去除的替代方法，以及开发自动蚀刻后遮盖物去除顺序；一种可再现的基板通孔处理方法被集成到大批量GaAs制造中。对于等离子体蚀刻部分，使用光学显微镜
2022-06-23 14:26:57516 
在半导体湿法蚀刻中， 热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺， 实践中发现温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。 从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发， 我们华林科纳分析了影响蚀刻率的各个因素， 并通过
2022-08-30 16:41:592993 
材料。而氮化硅陶瓷板在各方面比较均衡，也是综合性能最好的结构陶瓷材料。因此，Si3N4氮化硅在电力电子器件陶瓷基板制造领域具有很强的竞争力。 过去，电路基板是由分立元件或集成电路与分立元件组合而成的平面材料，以满足整
2022-10-07 10:22:001544 
。但是，作为绝缘体安装在陶瓷基板上的半导体元件是散热还是冷却，提高作为热传导介质的氮化硅陶瓷基板的热传导性是主要问题。
2022-10-13 16:29:58668 如今高导热氮化硅陶瓷基板因其优异的机械性能和高导热性而成为下一代大功率电子器件不可缺少的元件，适用于复杂和极端环境中的应用。在这里，我们概述了制备高导热氮化硅陶瓷的最新进展。
2022-11-10 10:01:332010 2022年9月，威海圆环先进陶瓷股份有限公司生产的行业标准规格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高导热氮化硅陶瓷基板已经达到量产规模，高导热氮化硅陶瓷基板各项理化指标到了国际上行业领军的质量水平，突破了西方先进国家在高导热氮化硅陶瓷基板的技术保护和应用产品对我国“卡脖子”难题。
2022-11-11 16:36:574149 
针对越来越明显的大功率电子元器件的散热问题，主要综述了目前氮化硅陶瓷作为散热基板材料的研究进展。对影响氮化硅陶瓷热导率的因素、制备高热导率氮化硅陶瓷的方法、烧结助剂的选择、以及氮化硅陶瓷机械性能和介电性能等方面的最新研究进展作了详细论述
2022-12-06 09:42:40820 综合上述研究可发现，虽然烧结方式不一样，但都可以制备出性能优异的氮化硅陶瓷。在实现氮化硅陶瓷大规模生产时，需要考虑成本、操作难易程度和生产周期等因素，因此找到一种快速、简便、低成本的烧结工艺是关键。
2022-12-06 10:30:392407 等优点，广泛应用于电子器件封装。 由于具有优异的硬度、机械强度和散热性，氮化硅陶瓷和氮化铝陶瓷基板都可以制成用于电子封装的陶瓷基板，同时它们也具有不同的性能和优势。以下就是区别。 1、散热差异 氮化硅陶瓷基板的导热
2022-12-09 17:18:241219 
首先，沉积四乙基原硅酸盐氧化物（即使用正硅酸乙酯TEOS前驱的CVD氧化物，简称TEOS-ox）和氮化硅的复合层，并对TEOS-ox和氮化硅进行等离子体蚀刻，形成复合主侧墙。
2023-01-12 14:11:22704 硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 15:47:333194 
氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓：碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势，适用于5G基站、卫星、雷达等领域；硅基氮化镓功率器件主要应用于电力电子器件领域。虽然
2023-02-10 10:52:522986 
硅基氮化镓衬底是一种新型的衬底，它可以提高衬底的热稳定性和抗拉强度，从而提高衬底的性能。它主要用于电子、光学、电力、航空航天等领域。
2023-02-14 14:36:081126 现今，氮化硅（SiN）为光子集成提供了更多的途径，包括新的200mm、高产量、汽车级CMOS生产线。在过去的几年里，SiN紧随确立已久的硅光子学之后，该材料平台已经成熟，并在光子集成电路（PIC）市场上，为那些需要非常低传播损耗、可见波长或高激光功率的应用提供了新的机会。
2023-02-15 16:37:09878 
国产氮化硅陶瓷基板升级SiC功率模块，提升新能源汽车加速度、续航里程、轻量化、充电速度、电池成本5项性能优势
2023-03-15 17:22:551016 
大多数iii\-氮化物的蚀刻目前是通过干燥工艺完成的。虽然干蚀刻具有许多理想的特性，包括高蚀刻率和获得垂直壁的能力，但干蚀刻有几个缺点，包括产生离子致损伤和难以获得光滑的蚀刻侧壁，这是激光所需要的。
2023-03-22 10:55:501109 
在湿蚀刻的情况下，随着SiNx/SiOy层的厚度减小，剩余的SiOy层由于表面张力而坍塌，蚀刻溶液对孔的渗透变得更具挑战性。
2023-03-27 10:17:49402 
氮化硅研磨环由于研磨环存在内外气压差，可以在密闭的真空或者很浓密的场景中快速的上下运动，氮化硅磨介圈在大的球磨机里不仅起到研磨粉碎的作用，更重要的是众多的氮化硅磨介圈环会发生共振现象，氮化硅
2023-03-31 11:40:35597 
氮化硅基板是一种新型的材料，具有高功率密度、高转换效率、高温性能和高速度等特点。这使得氮化硅线路板有着广泛的应用前景和市场需求，正因为如此斯利通现正全力研发氮化硅作为基材的线路板。
2023-04-11 12:02:401364 
近日，上海玻璃钢研究院有限公司的高级工程师赵中坚沿着该思路，以纯纤维状α-Si3N4粉为主要原料，通过添加一定比例氧化物烧结助剂，经冷等静压成型和气氛保护无压烧结工艺烧结制备出了能充分满足高性能导弹天线罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461274 新能源电动汽车爆发式增长的势头不可阻挡，氮化硅陶瓷基板升级SiC功率模块，对提升新能源汽车加速度、续航里程、充电速度、轻量化、电池成本等各项性能尤为重要。
2023-05-02 09:28:451169 
碳化硅衬底 产业链核心材料，制备难度大碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节。
2023-05-09 09:36:483426 
的要求，传统的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO等的缺点也日益突出，如较低的理论热导率和较差的力学性能等，严重阻碍了其发展。相比于传统陶瓷基板材料，氮化硅陶瓷由于
2022-12-05 10:57:121383 
氮化硅陶瓷轴承球与钢质球相比具有突出的优点:密度低、耐高温、自润滑、耐腐蚀。疲劳寿命破坏方式与钢质球相同。陶瓷球作为高速旋转体产生离心应力，氮化硅的低密度降低了高速旋转体外圈上的离心应力。
2023-07-05 10:37:061561 
氮化铝具有较高的热导性，比氮化硅高得多。这使得氮化铝在高温环境中可以更有效地传导热量。
2023-07-06 15:41:231061 氮化硅是一种半导体材料。氮化硅具有优异的热稳定性、机械性能和化学稳定性，被广泛应用于高温、高功率和高频率电子器件中。它具有较宽的能隙（大约3.2电子伏特），并可通过掺杂来调节其导电性能，因此被视为一种重要的半导体材料。
2023-07-06 15:44:433823 氮化镓衬底是一种用于制造氮化镓（GaN）基础半导体器件的基板材料。GaN是一种III-V族化合物半导体材料，具有优异的电子特性和高频特性，适用于高功率、高频率和高温应用。
使用氮化镓衬底可以在上面
2023-08-22 15:17:312376 PECVD作为太阳能电池生产中的一种工艺，对其性能的提升起着关键的作用。PECVD可以将氮化硅薄膜沉积在太阳能电池片的表面，从而有效提高太阳能电池的光电转换率。但为了清晰客观的检测沉积后太阳能电池
2023-09-27 08:35:491772 
GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限，因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构，其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻。
2023-10-07 15:43:56319 
在碳化硅产业链中，碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。
碳化硅衬底的生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。
2023-10-27 09:35:57930 据麦姆斯咨询报道，经过两年、十余次的设计和工艺迭代，国科光芯（海宁）科技股份有限公司（简称：国科光芯）在国内首个8英寸低损耗氮化硅硅光量产平台，实现了传输损耗-0.1 dB/cm（1550 nm波长
2023-11-17 09:04:54654 ，虽然已经发现KOH基溶液可以蚀刻AlN和InAlN，但是之前还没有发现能够蚀刻高质量GaN的酸或碱溶液。在本文中，英思特通过使用乙二醇而不是水作为KOH和NaOH的溶剂，开发了一种将晶体表面蚀刻为III族氮化物的两步法。
2023-11-24 14:10:30241 
由于其独特的材料特性，III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH3处理的取向相关蚀刻已经被用于去除III族氮化物材料中干法蚀刻引起的损伤，并缩小垂直结构。
2023-11-30 09:01:58166 
、结构、制备方法、特性以及应用方面存在着一些差异。以下将详细介绍碳化硅和氮化镓的区别。 1. 物理性质 碳化硅是由碳和硅元素组成的化合物，具有多种晶体结构，包括六方晶系、三方晶系和立方晶系。它具有较高的熔点、硬度、热导率和
2023-12-08 11:28:51740 京瓷株式会社（以下简称京瓷）成功研发用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下简称SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234 
在芯片制造中，有一种材料扮演着至关重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:09511 
当前，大尺寸衬底成为碳化硅衬底制备技术的重要发展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层：氮化镓衬底上生长一层氮化镓，形成二维电子气层。GaN材料的禁带宽度大，由于
2024-01-09 18:06:41667
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