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反应离子蚀刻的实用方法报告

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2023-06-01 14:35:54952

载体晶圆对蚀刻速率、选择性、形貌的影响

离子蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤,然而,载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓(GaN)设备,通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中,英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:54452

浅谈蚀刻工艺开发的三个阶段

纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的,并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻(压痕)和通道释放步骤,以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071

新能源钠离子电池预钠化技术进展

关键词:新能源,钠离子电池,刀片电池,圆柱电池,方壳电池钠离子电池从正极迁移过来的Na+参与了负极表面固体界面膜(SEI)不可逆反应,大大消耗了活性物质,导致了较低的首圈库伦效率(ICE)、能量密度
2023-05-30 09:49:301230

硅在氢氧化钠和四甲基氢氧化铵中的温度依赖性蚀刻

过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻,这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾(KOH)为蚀刻剂,研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程,测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率,用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据,提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

湿式化学蚀刻法制备硅片微孔

微孔利用光和物质的相互作用来获得独特的性质,特别是,当用紫外光、可见光或近红外光在其表面等离子体极化频率附近照射时,金属微孔结构表现出强烈的共振。然而,用于制造微孔的技术是耗时的,并且需要昂贵的设备和专业人员。因此,英思特开发了一种通过湿化学蚀刻硅衬底来制造微孔的方法
2023-05-25 13:47:51846

如何在蚀刻工艺中实施控制?

蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺,因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定,蚀刻率就会变化,因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学,以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575

PCB常见的五种蚀刻方式

一般适用于多层印制板的外层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作抗蚀刻 图形电镀之金属抗蚀层如镀覆金、镍、锡铅合金
2023-05-18 16:23:484917

高速硅湿式各向异性蚀刻技术在批量微加工中的应用

蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类:湿法蚀刻和干法蚀刻,湿法蚀刻进一步细分为两部分,即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12700

硅晶片的酸基蚀刻:传质和动力学效应

抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先,硅单晶锭被切成圆盘(晶片),然后是一个称为拍打的扁平过程,包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤,蚀刻之后是各种单元操作,如抛光和清洗之前,它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584

简要描述离子注入的原理和优缺点

离子注入是一种向衬底中引入可控制数量的杂质,以改变其电学性能的方法。它是一个物理过程,不发生化学反应
2023-05-12 16:00:084593

小型考夫曼离子源,真空镀膜离子

10: 考夫曼型离子源 Gridded 系列最小型号的离子源. 适用于集成在小型的真空设备中, 例如预清洗, 离子溅射, 离子蚀刻. 在
2023-05-11 16:02:30

射频离子源,真空镀膜离子

100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”C
2023-05-11 14:28:30

美国 KRi 大面积射频离子

离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以
2023-05-11 14:09:08

半导体制造装置之SiC涂层石墨基座介绍

SiC涂层的制备方法主要有凝胶-溶胶法、包埋法、刷涂法、等离子喷涂法、化学气相反应法(CVR)和化学气相沉积法(CVD)。
2023-05-11 11:13:002414

简述晶圆减薄的几种方法

减薄晶片有四种主要方法,(1)机械研磨,(2)化学机械平面化,(3)湿法蚀刻(4)等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片减薄技术由两组组成:研磨和蚀刻。为了研磨晶片,将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变薄,而蚀刻则使用化学物质来使基板变薄。
2023-05-09 10:20:06979

《炬丰科技-半导体工艺》单晶的湿法蚀刻和红外吸收

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:单晶的湿法蚀刻和红外吸收 编号:JFKJ-21-206 作者:炬丰科技 摘要 采用湿法腐蚀、x射线衍射和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法生长AlN单晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118

光子晶体用硅中圆柱形纳米孔的深反应离子蚀刻

反应离子蚀刻 (RIE)是一种干法蚀刻工艺,与半导体工业中使用的互补金属氧化物半导体(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253

离子电池和锂电池一样吗

离子电池一般用钴酸锂做正极,碳做负极,中间填充电解液以形成离子游离的通道,用隔膜来分离正负极防止短路。当充电时由于电场作用锂离子从钴酸锂中游出,游离在电液中穿过隔膜中的孔隙,到达负极与碳反应生成碳化锂;放电过程与此相反,锂离子又回到正极,这就是锂离子电池的充放电过程
2023-04-14 11:16:552192

干法蚀刻与湿法蚀刻-差异和应用

干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片,是液体(湿法蚀刻)还是气体(干法蚀刻
2023-04-12 14:54:331004

在COMSOL中分析管式反应

管式反应器是化工行业中经常使用的一种设备,用于帮助进行连续大规模的生产。通过模拟管式反应器的解离过程,可以对这些设备进行准确分析。在这篇文章中,我们通过对反应器等温和非等温情况下的模拟研究的比较,展示了 COMSOL 化学反应工程模块的许多有用功能。您也可以在自己的仿真中使用这些功能。
2023-04-04 10:15:43821

低温蚀刻重新出现_

经过多年的研发,随着该行业在内存和逻辑方面面临新的挑战,一种称为低温蚀刻的技术正在重新出现,成为一种可能的生产选择。
2023-03-29 10:14:41392

PCB加工的蚀刻工艺

印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程,本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886

新技术使蚀刻半导体更容易

研究表明,半导体的物理特性会根据其结构而变化,因此半导体晶圆在组装成芯片之前被蚀刻成可调整其电气和光学特性以及连接性的结构。
2023-03-28 09:58:34251

使用 ClF 3 H 2远程等离子体在氧化硅上选择性蚀刻氮化硅

在湿蚀刻的情况下,随着SiNx/SiOy层的厚度减小,剩余的SiOy层由于表面张力而坍塌,蚀刻溶液对孔的渗透变得更具挑战性。
2023-03-27 10:17:49402

用于快充钠离子电池的多电子反应阴极

减少碳排放是建设更绿色未来的世界性强制性任务。使用间歇性能源发电(太阳能/风能)的一种方法迫切需要一种可靠且具有成本效益的电化学储能技术。
2023-03-23 17:26:14732

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