氟化氢，而且还将投资于半导体蚀刻液。 之前就有消息称，SK海力士对韩国国产氟化氢经过数月质量测试后，已开始应用于部分制程。其供应商就是Ram Technology，从第三季度开始，Ram
2019-12-10 10:33:37
2909 保持该技术的高对比度。讨论了氟化氢在水溶液中的分解，并应用氟化氢蚀刻二氧化硅的反应动力学获得了蚀刻机理的信息。因此，分析了蚀刻速率的浓度依赖性，发现蚀刻过程可以描述为HF或HF 2的侵蚀，其由H+离子的存在催化支持。 我们将系统地研
2021-12-23 16:36:591300 倍。此外，堇青石和非晶相在氟化氢溶液中的活化能分别为52.5和30.6千焦/摩尔。非晶相完全溶解所需的时间取决于氟化氢浓度。在蚀刻实验的基础上，建立并完善了一个新的模型来评估的演变。此外，通过HF蚀刻获得了具有高比表面和中孔结构的
2022-01-04 14:39:281654 
被划分为与晶体表面的不同状态和各种蚀刻机制相对应的部分。蚀刻后的晶体表面的形状与同一溶液中沿同一方向蚀刻的凹槽的轮廓密切相关。 介绍 本文研究（100）砷化镓在硫酸、过氧化氢和水溶液中的化学蚀刻具有重要的技术和科学意义。该解决方案通常用于
2022-01-25 10:32:242215 
本文介绍了在缓冲氧化物腐蚀(BOE)溶液中温度对氮化物和氧化物层腐蚀速率的影响。明确的框架结构和减少的蚀刻时间将提高制造过程的生产率，该方法从图案化氮化硅开始，以研究在BOE工艺之后形成的框架结构
2022-05-05 14:00:50907 
他方向上的蚀刻速度快，而各向同性蚀刻(如HF)会向所有方向侵蚀。使用KOH工艺是因为其在制造中的可重复性和均匀性，同时保持了较低的生产成本。异丙醇(IPA)经常添加到溶液中，以改变从{110}壁到{100}壁的选择性，并提高表面光滑度。 氧化物和氮化物
2022-07-14 16:06:062774 
摘要：介绍了氧化物半导体甲烷气体敏感元件的工作机理，论述了改善氧化物半导体甲烷气敏传感器性能的几种途径。采用加入催化剂、控制材料的微细结构、利用新制备工艺和表面修饰等新方法、新技术可提高氧化物半导体
2018-10-24 14:21:10
高效能、高电压的射频基础设施。几年后，即2008年，氮化镓金属氧化物半导场效晶体（MOSFET）（在硅衬底上形成）得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。
2023-06-15 15:50:54
物联网的接入方式有哪几种？物联网网关具备哪几个功能？物联网网关在未来的物联网中有什么作用？
2021-06-16 09:36:59
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
为了在基板上形成功能性的MEMS结构，必须蚀刻先前沉积的薄膜和/或基板本身。通常，蚀刻过程分为两类：浸入化学溶液后材料溶解的湿法蚀刻干蚀刻，其中使用反应性离子或气相蚀刻剂溅射或溶解材料在下文中，我们将简要讨论最流行的湿法和干法蚀刻技术。
2021-01-09 10:17:20
兼首席执行官John Croteau表示：“本协议是我们引领射频工业向硅上氮化镓技术转化的漫长征程中的一个里程碑。截至今天，MACOM通过化合物半导体小厂改善并验证了硅上氮化镓技术的优势，射频性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38
材料简称为半导（体）瓷；同时还添加增大其正电阻温度系数的Mn、Fe、Cu、Cr的氧化物和起其他作用的添加物，采用一般陶瓷工艺成形、高温烧结而使钛酸铂等及其固溶体半导化，从而得到正特性的热敏电阻材料．其
2016-08-19 21:59:21
SiC MOS器件的栅极氧化物可靠性的挑战是，在某些工业应用给定的工作条件下，保证最大故障率低于1 FIT，这与今天的IGBT故障率相当。除了性能之外，可靠性和坚固性是SiC MOSFET讨论最多
2022-07-12 16:18:49
氟化氢 (HF)）的混合溶液中，使用贵金属（例如 Au、Ag 或 Pt）蚀刻其下方的硅。1，3图1描绘了MacEtch过程的示意图。图 2 显示了 MacEtch 工艺流程。从图 1 中可以看出，通过
2021-07-06 09:33:58
氧化物）中的高质量电介质。此外，在加工过程中，热生长的氧化物可用作注入、扩散和蚀刻掩模。硅作为微电子材料的优势可归因于这种高质量原生氧化物的存在以及由此产生的接近理想的硅/氧化物界面。湿法蚀刻包括
2021-07-06 09:32:40
) 和激光二极管 (LD)，并改进 III 族氮化物器件通过实现 III 族氮化物器件薄膜的同质外延生长，显着提高了性能。块状 GaN 单晶可以通过高压溶液生长 (HPGS) 生长，氢化物气相外延
2021-07-07 10:26:01
重要材料的湿法腐蚀，即氧化锌、氮化镓和碳化硅。虽然氧化锌很容易在许多酸溶液中蚀刻，包括硝酸/盐酸和氢氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很难湿法蚀刻，通常使用干法蚀刻。已经研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
大多数 III 族氮化物的加工都是通过干式等离子体蚀刻完成的。 干式蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤 并且难以获得激光所需的光滑蚀刻侧壁。通过干法蚀刻产生的侧壁的粗糙度约为 50 nm，尽管最近
2021-07-07 10:24:07
的开路条件下被光蚀刻。 介绍近年来，氮化镓和相关氮化物半导体在蓝绿色发光二极管、激光二极管和高温大功率电子器件中的应用备受关注。蚀刻组成材料的有效工艺的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不寻常的化学
2021-10-13 14:43:35
的实验结果。确定了几个可能影响粘附的因素，并使用实验设计 (DOE) 方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定的最显着的附着力改进是在光刻胶涂层之前立即加入天然氧化物蚀刻。除了提高附着力外，这种预涂层处理
2021-07-06 09:39:22
和 6 英寸晶片具有 100 纳米 LPCVD 氮化物层掩蔽材料。晶片在一侧用光刻法进行图案化，然后在工艺流程中通过干法蚀刻氮化物和/或热氧化物层以给出所需的图案略III. 电阻结果与讨论 略IV.
2021-07-19 11:03:23
的刻蚀速率约为300A/s。这个速率对于一个要求控制的工艺来说太快了。在实际中，氢氟酸与水或氟化铵及水混合。以氟化铵来缓冲加速刻蚀速率的氢离子的产生。这种刻蚀溶液称为缓冲氧化物刻蚀或BOE。针对特定
2018-12-21 13:49:20
半导体传感技术。硫化氢传感器由两片薄片组成：一片是加热片，另一片是对硫化氢气体敏感的气敏片。两片薄片都以真空镀膜的方式安装在一个硅芯片上。加热片将气敏片的工作温度提升到能对硫化氢气体反应的水平。气敏片上有金属氧化物，可动态地显示硫化氢气体浓度的变化。其敏感性可从十亿分之一到百分之一。
2020-07-30 11:18:21
% 化学物及能源损耗，此外还能，再加上节省超过 50% 的包装材料，那氮化镓的环保优势，将远远大于传统慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
金属氧化物H+选择性电极作为玻璃电极的替代材料已引起了广泛的关注，文献报导的金属氧化物pH电化学传感器大部分是基于贵金属氧化物电极，制备成本较贵，但W及其氧化物价格相对比校低。
2019-09-16 10:05:21
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
什么是物联网及物联网终端？物联网终端的基本原理及作用是什么？物联网终端有哪些分类？
2021-06-08 07:05:58
电子产品中。这种氧化物是个好选择，因为它能与AlGaN/GaN形成良好的肖特基接触，并在GaN晶体管中起到栅极的作用。有一些报道证实在氮化镓晶体管中可存在铟锡氧化物（ITO）栅极，并且已经表明，在氮化镓器件
2020-11-27 16:30:52
单芯片互补式金属氧化物半导体（CMOS）传感器有哪几种？它们分别有什么应用以及特点？
2021-06-17 08:54:54
提高蚀刻速度。这种方法适用于小型板或原型板。浸入蚀刻通常使用添加了过硫酸镀或过氧化氢的硫酸作为蚀刻剂。 2 滋泡蚀刻 这项技术在浸入蚀刻技术上做了一些修改，它的不同在于空气中的气体进入到了蚀刻溶液中
2018-09-11 15:27:47
和一般燃料电池一样，SOFC 也是把反应物的化学能直接转化为电能的电化学装置，只不过工作温度较高，一般在800 —1000 ℃。 它也是由阳极、阴极及两极之间的电解质组成。
2020-03-11 09:01:57
基于物联网的智能家居有何作用呢？如何对基于物联网的智能家居进行配置呢？
2021-12-20 06:12:23
压敏电阻。 本期推文将为您介绍TDK ThermoFuse®压敏电阻的特点及其与标准压敏电阻相比时的优点。 传统的压敏电阻和带热脱扣的压敏电阻有什么区别？ 一般情况下，金属氧化物压敏电阻（压敏电阻
2021-08-05 15:58:15
柔性导热垫往往作为较大间隙的填充物起到传递热量的作用，它通常使用在PCB板之间、PCB板与机壳之间、功率器件与机壳之间或者就粘贴在芯片上作为散热器使用。柔性导热垫中的导热填充颗粒一般为氧化铝颗粒或者是氧化铝、氧化镁及氮化硼的混合颗粒，具有良好的导热性能，同时能够防穿刺，真真起到绝缘的作用。
2019-09-20 09:01:26
民用燃气的泄漏，检测微波炉中食物烹调时产生的气体从而自动控制微波炉 烹调食物；气体传感器在工业应用主要是应用在石化工业中检测二氧化碳、氮氧化合物、硫氧化物、氨气、硫化氢及氯气等有害气体；半导体和微电子
2017-11-10 14:13:39
石油气和城市煤气等民用燃气的泄漏，检测微波炉中食物烹调时产生的气体从而自动控制微波炉烹调食物;气体传感器在工业应用主要是应用在石化工业中检测二氧化碳、氮氧化合物、硫氧化物、氨气、硫化氢及氯气等有害气体;半导体
2016-09-30 14:47:06
的目标。水中放电可以在水中产生各种活性粒子如羟基、过氧化氢以及各种激发态的原子、紫外光等,因而作为一种新的高级氧化技术,已广泛应用于有机物降解和杀菌等方面[1-4]。国内外学者已对脉冲电压下水中放电的放电全文下载
2010-05-13 09:12:45
由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定，耐热冲击，负载能力强。但其在直流下容易发生电解使氧化物还原，性能不太稳定。 最大工作电压：250V温度系数：+-700PPM（负温：+-1200PPM）最大
2013-07-15 16:49:07
`由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定，耐热冲击，负载能力强。但其在直流下容易发生电解使氧化物还原，性能不太稳定。 最大工作电压：250V温度系数：+-700PPM（负温：+-1200PPM）最大
2013-07-15 16:47:00
`半导体技术硫化氢检测仪被设计用以监测环境空气中硫化氢气体的浓度，它的测量范围从标准型的0-20/50/100ppm（可在工作现场调节）到高测量范围型的10,000ppm。该产品采用固体金属氧化物
2018-08-10 15:48:29
绝缘硅脂是用硅油稠化而成的膏状物。硅油的通式，R为CH3、C6H5。绝缘硅脂无毒、无味、闪点高、凝固点低、蒸气压低、黏温系数小，耐高低温、抗氧化、电绝缘性能好。
2020-03-10 09:03:09
对LINIO2、LIMN2I4、LINIXCO1AXO2、V2O5也有较多的研究；固体电解质膜方面以对LIPON膜的研究为主；阳极膜方面以对锂金属替代物的研究为主，比如锡和氮化物、氧化物以及非晶硅膜，研究多集中在循环交通的提高。在薄膜锂电池结构方面，三维结构将是今后研究的一个重要方向。
2011-03-11 15:44:52
来激活化学气相淀积反应。其淀积温度一般在400℃以下，可以用来淀积氧化硅、氮化硅、PSG、BPSG、Al2O3等绝缘体及钝化膜和非晶硅薄膜以及有机化合物和TiC、TiN等耐磨抗蚀膜。在表面硅MEMS工艺中
2018-11-05 15:42:42
珠状ntc热敏电阻低温负90度电阻值大于1000k欧（正常使用300-400k欧），如何降低低温下的阻值，使电阻曲线平坦。现在使用锰铜铁镍四种氧化物，是否还需添加锌或镁。谢谢。
2018-03-10 11:20:56
氮化硅，刻蚀浆料主要利用释放的氟化氢来刻蚀。也可以控制氧化硅的膜厚，形成半阻挡膜，一次性扩散。困难在，浆料的印刷性能，扩散均匀性，印刷对齐。 三、 直接印刷掩膜层 特点：要求掩膜的印刷特性要好，抗
2018-09-26 09:44:54
金属氧化物变阻器 HighE 系列来自 Epcos 的 HighE 系列金属氧化物变阻器提供高达 100kA 的浪涌电流容量，适合重型应用。 此类盘形金属氧化物变阻器采用塑料外壳封装，具有广泛
2022-02-17 10:14:34
金属氧化物变阻器应用于能量吸收电路的研究摘要：对金属氧化物变阻器（MOV）的物理特性进行了分析，在此基础上提出了将MOV 吸收能量的过程分为三个阶段即：换流部分、线性吸收部分、电流渐近部分的分析方法
2009-08-20 18:18:01
美国斯坦福大学研究人员最新研究发现，加热铁锈之类金属氧化物，可以提升特定太阳能电池的转换效率和能量储存效率。这一发现由《能源和环境科学》杂志刊载。与现有硅太阳能电池不同，这类太阳能电池是以金属
2016-03-07 15:18:52
及高压电工考试真题汇总，有助于高压电工模拟试题考前练习。1、【判断题】 电伤是指触电时电流的热效应、化学效应以及电刺击引起的生物效应对人体外表造成的伤害。（√）2、【判断题】 金属氧化物避雷器的特点包括动作迅速、无续流、残压低、通流量大等。（√）3、【判断题】 在变压器闭合的铁芯上...
2021-09-16 07:45:10
最新大纲及高压电工考试真题汇总，有助于高压电工证考试考前练习。1、【判断题】 金属氧化物避雷器的特点包括动作迅速、无续流、残压低、通流量大等。（√）2、【判断题】 绝缘子是用来固定导线,并使导线与杆塔之间保持绝缘状态。（√）3、【判断题】 电气设备冷备用状态指设备的开关和刀闸均在打...
2021-09-16 06:24:36
大多数实用气敏传感器是金属氧化物半导体或金属氧化物固体电解质材料制作的．所以，把它们分为氧化物半导体气敏传感器和氧化物固体电解质气敏传感器两类．前者利用待测
2009-04-06 09:09:27
30 DU28120T射频功率 MOSFET 晶体管 120W，2-175MHz，28V数字金属氧化物半导体 射频功率 MOSFET 晶体管 120W，2-175MHz，28V 数字
2022-11-29 10:41:01
产品介绍YF-9800-NOX氮氧化物在线监测系统，是奕帆科技按照《氮氧化物污染物排放标准》，专门针对排放类气体，自主研发生产的用于连续监测氮氧化物浓度的监测系统，该套设备选用了7寸高清彩屏实时显示
2023-03-13 14:53:41
该HI-8585 and HI-8586 是互补式金属氧化物半导体集成电路，设计用于在8引脚封装中直接驱动ARINC 429总线，两个逻辑输入控制输出引脚之间的差分电压，产生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 09:26:34
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N总线接口产品是根据ARINC 429总线规范设计的硅栅互补式金属氧化物半导体器件。除了
2024-02-19 10:30:40
介绍 Detcon硫化氢气体传感器被设计用以监视环境空气中硫化氢气体浓度，它的测量范围从标准型的0-20/50/100PPM（可在工作现场调节）到高测量范围型的1,000PPM。该产品采用固体氧化物半导体传感技术。传感器由两片薄片组成：一片是加热片，另一片是对硫化氢气
2011-01-25 01:24:0643 日本对生产芯片的关键材料──蚀刻气体（高纯度氟化氢，high-purity hydrogen fluoride）和光阻剂下达限制令，三星亮起红色警报。
2019-07-08 09:46:432388 李在镕提议将氟化氢 (蚀刻气体) 的进口国，扩展到俄罗斯、中国大陆、台湾地区等地，并且考虑在韩国国内进行原料产业的育成。
2019-07-16 14:28:322210 7月15日业界资讯，三星电子和SK海力士已完成针对本土氟化氢的可靠性和整合性测试，近日已投入到DRAM生产。
2019-07-17 10:03:302885 据BusinessKorea报道，为应对日本对韩国半导体材料的出口限制，SK海力士已经开始测试从中国进口的氟化氢材料，同时三星电子最近也从西安大规模订购了高纯度氟化氢。
2019-07-18 08:51:015071 三星、SK海力士已经开始测试验证从中国进口的氟化氢材料了。
2019-07-19 09:48:012569 %的NAND供应，而日本这次严格限制了半导体生产所需的化工原料，而三星和海力士的这些东西严重依赖日本进口，据闻韩国只有一个月的氟化氢的供应，内存和闪存不涨才怪呢。
2019-07-24 08:53:262296 距离出口管制实施，已经过去约3周时间，期间最引人关注的并非日本几乎垄断的光刻胶和氟化PI材料，反而是高纯度氟化氢。
2019-07-26 10:12:075195 在日本对韩出口限制名单中，氟化氢便是其中一个品项，韩国氟化氢有41.9％从日本进口，其中高纯度氟化氢（99.999％以上）有9成以上依赖日本。
2019-07-29 13:51:392636 7月17日消息，据国外媒体报道，三星电子已启动非日本产氟化氢性能试验。
2019-07-30 16:22:402189 日本采取对韩出口限制措施后，韩国国内正积极寻求日本氟化氢替代方案。
2019-07-31 15:17:143243 目前日本政府对韩国实行出口管制的对象主要包括氟聚酰亚胺、光刻胶及蚀刻气体（氟化氢）这3类半导体关键材料。而韩国半导体厂也是正挤破脑袋寻求替代货源，继三星被传出在西安大规模采购高纯度氟化氢后，又有消息人士透露，三星现已开始测试可能来自台湾的氟化氢产品 。
2019-08-05 11:26:363179 据BusinessKorea报道，LG显示首席技术官Kang In-byeong于7月9日表示，由于日本的半导体和显示材料出口限制，该公司目前正在测试中国的氟化氢。“大家无需担心日本的出口限制对我们的OLED面板和可卷曲电视制作的影响。”他说。
2019-08-07 14:24:592239 根据《日本经济新闻》专访森田化学时，森田化学社长森田康夫指出，因为日本政府对韩国管制高科技原料出口之后，使得日本企业在全球市场的市占率将会因此下降。所以，森田化学将在中国工厂启动高纯度氟化氢生产，以向韩国厂商进行供货。
2019-08-12 16:33:143578 日本对韩加强出口限制，造成许多半导体、显示器原料出口困难，其中受政策影响的高纯度氟化氢，近期韩国企业SoulBrain、SK Materials已相继发表成果，明年初有望见到成果。
2019-08-13 10:18:592510 高纯度的电子级氟化氢是氟精细化学品的一种，在半导体制造工艺中主要用于去除膜沉积后粘附在化学气相沉积炉内的不必要化学物质、等离子刻蚀、光刻胶图案化之后的蚀刻细槽或孔等流程，是一种半导体生产中非常重要的原材料，日本公司在这个领域占据主要份额。
2019-09-03 11:49:002155 韩国媒体朝鲜日报日文版、中央日报日文版3日、4日报导，三星电子已开始在部分半导体产线上使用国产（韩国制）氟化氢。三星于3日宣布，“最近、已开始在部份半导体工艺上投入国产氟化氢”。此为三星在日本提出
2019-09-04 15:11:152521 据韩国《中央日报》4日报道，在日本政府限制向韩国出口氟化氢、光刻胶、含氟聚酰亚胺等尖端半导体材料一个半月后，三星电子开始使用替代产品。
2019-09-04 16:35:053796 由于日韩两国之间的贸易纠纷，日本政府7月初决定禁止三种重要半导体、显示面板材料出口给韩国，迫使韩国公司走上独立自主的道路。LG公司日前证实，旗下面板工厂已经完成使用国产氟化氢材料取代日本进口，100%韩国产。
2019-10-15 16:41:033092 据韩国国际广播电台（KBS）报道，16日有消息称，日本政府批准向韩国三星电子和SK海力士出口，被列为对韩出口限制项目之一的液体氟化氢。
2019-11-19 16:26:093292 韩国产业通商资源部日前表示，韩国化工企业已确立能以高纯度大量生产氟化氢的制造技术。氟化氢被用于晶圆的清洗等方面。
2020-01-03 16:06:452552 近日，据国外媒体报道，韩国产业通商资源部日前表示，韩国化工企业已确立能以高纯度大量生产氟化氢的制造技术。氟化氢被用于晶圆的清洗等方面。
2020-01-06 16:05:012479 据日媒报道，本月11日，日本政府宣布已批准日本森田化学公司的申请，允许向韩国出口99.9999999999%（12N）纯度的液态氟化氢产品。
2020-01-13 11:40:432148 在很多的一些水污染中，其实都会使用到氮氧化物检测仪。氮氧化物监测是污染预警、污染物监测和治理效果评定等工作的重要方式，需要氮氧化物检测仪提供和实时的监测数据。氮氧化物检测仪可实现对氮氧化物排放的有效监控，从而降低事故发生。那么您知道氮氧化物检测仪的检测原理是怎样的吗？
2020-10-29 16:34:377235 之后，晶片表面立即被元素碑的棕色层覆盖。该层的厚度和均匀性取决于蚀刻过程中的光照和氟化氢浓度。在存储蚀刻晶片的过程中，碑层被三氧化二碑颗粒代替。结果表明，只有当晶片暴露在空气中的光线下时，才会形成氧化物颗粒。 实验 所有实
2021-12-28 16:34:37627 
镓的均方粒根粗糙度在16nm之间，在尖晶石基质上生长的氮化镓的均方根粒度在11和0.3nm之间。 虽然已经发现基于氢氧化钾的溶液可以蚀刻氮化铝和氮化铟锡，但之前还没有发现能够蚀刻高质量氮化镓的酸或碱溶液.在这篇文章中，我们使用乙二醇代替水作
2022-01-17 15:38:05942 
摘要 在铜化学机械平面化CMP过程中，本文评价了铜对浆液pH和过氧化氢浓度的去除和蚀刻作用。在酸性浆液pH4中，铜的溶解反应大于钝化反应。静态和动态蚀刻速率在10vol%过氧化氢时达到最高值。然而
2022-01-25 17:14:381179 
第三族氮化物已成为短波长发射器、高温微波晶体管、光电探测器和场发射尖端的通用半导体。这些材料的加工非常重要，因为它们具有异常高的键能。综述了近年来针对这些材料发展起来的湿法刻蚀方法。提出了通过
2022-02-23 16:20:242208 
量的稀释气体氙 (Xe) 结合，可在不发生蚀刻停止的情况下提高氮化物的选择性。 发明领域 本发明一般涉及硅集成电路的蚀刻。特别地，本发明涉及在能够大大降低对氮化硅15和其他非氧化物材料的蚀刻速率但仍然在氧化物中产生垂直轮廓的工艺
2022-02-24 13:42:292426 
缓冲氧化物蚀刻(BOE)或仅仅氢氟酸用于蚀刻二氧化硅在硅上晶片。 缓冲氧化蚀刻是氢氟酸和氟化铵的混合物。含氟化铵的蚀刻使硅表面具有原子平滑的表面高频。 由于这一过程中所涉及的酸具有很高的健康风险，建议用户使用在执行工艺之前，请仔细阅读材料安全数据表。
2022-03-10 16:43:35798 
效的颗粒去除剂。这种混合物也被称为氢氧化胺、过氧化氢混合物(APM)。SC-I溶液通过蚀刻颗粒下面的晶片来促进颗粒去除；从而松动颗粒，使机械力可以很容易地从晶圆表面去除颗粒。 本文将讨论一个详细的SC-I清洗的化学模型。了解导致氧化物同时生长和蚀刻的
2022-03-25 17:02:502376 
用氟化氢-氯化氢-氯气混合物进行各向异性酸性蚀刻是一种有效的方法 单晶硅晶片纹理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔结构[1，2]形貌取决于以下成分 蚀刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22361 
本文提供了用于蚀刻膜的方法和设备。一个方面涉及一种在衬底上蚀刻氮化硅的方法，该方法包括:(a)将氟化气体引入等离子体发生器并点燃等离子体以a形成含氟蚀刻溶液；(b)从硅源向等离子体提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
半导体设备技术和工艺控制的不断进步，加上制造亚微米尺寸器件对衬底清洁度提出的更严格要求，重新引起了人们对汽相HF氧化物蚀刻技术的兴趣，在文中描述了一种系统 我们华林科纳通过将氮气通过HF水溶液引入
2022-05-31 15:14:13671 
氧化物的性质有害，这反过来影响整个器件的性质。 种程序用于清洁硅晶片。一个广泛使用的程序是标准的RCA清洁。RCA清洗包括暴露在三种不同的溶液中——SC1、氢氟酸和SC2。SC1溶液包含氢氧化铵、过氧化氢和水，通常能有效去除颗
2022-06-21 17:07:391229 
大多数iii\-氮化物的蚀刻目前是通过干燥工艺完成的。虽然干蚀刻具有许多理想的特性，包括高蚀刻率和获得垂直壁的能力，但干蚀刻有几个缺点，包括产生离子致损伤和难以获得光滑的蚀刻侧壁，这是激光所需要的。
2023-03-22 10:55:501109 
GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限，因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构，其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻。
2023-10-07 15:43:56319 
目前，大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子体蚀刻完成的。干法蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法蚀刻产生的侧壁典型均方根(rms)粗糙度约为50纳米
2023-11-24 14:10:30241 
由于其独特的材料特性，III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH3处理的取向相关蚀刻已经被用于去除III族氮化物材料中干法蚀刻引起的损伤，并缩小垂直结构。
2023-11-30 09:01:58166 
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