电子发烧友App

硬声App

创作

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>今日头条>关于氮化镓的晶体学湿式化学蚀刻的研究

关于氮化镓的晶体学湿式化学蚀刻的研究

  • 蚀刻(147)
  • 半导体(15704)
收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容图片侵权或者其他问题,请联系本站作侵删。 侵权投诉

评论

查看更多

相关推荐

湿蚀刻过程的原理是什么

湿蚀刻过程的原理是利用化学溶液将固体材料转化为液体化合物,选择性非常高,因为所使用的化学物质可以非常精确地适应于单个薄膜。对于大多数溶液的选择性大于100:1。液体化学必须满足以下要求:掩模层不能
2022-04-07 14:16:34497

通过光敏抗蚀剂的湿蚀刻剂渗透

本文研究了通过光敏抗蚀剂的湿蚀刻剂渗透。后者能够非常快速地响应选择湿蚀刻剂/聚合物的兼容性,以保护下面的膜不被降解。如今,大多数材料图案化是用等离子蚀刻而不是湿法蚀刻来进行的。事实上,与通常
2022-04-06 13:29:194

TPH3206PSB氮化场效应晶体管英文手册

  TPH3206PSB 650V,150mΩ 氮化(GaN)场效应晶体管是一个正常关闭的设备。它结合了最先进的高科技电压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技术。
2022-03-30 17:10:270

采用湿蚀刻技术制备黑硅

本文介绍了我们华林科纳采用氮化硅膜作为掩膜,采用湿蚀刻技术制备黑硅,样品在250~1000nm波长下的吸收率接近90%。实验结果表明,氮化硅膜作为掩模湿蚀刻技术制备黑硅是可行的,比飞秒激光、RIE和
2022-03-29 16:02:5932

纳微半导体宣布全球首个氮化功率芯片20年质保承诺

氮化作为下一代半导体技术,其运行速度比传统硅功率芯片快 20 倍。纳微半导体以其专有的GaNFast™氮化功率集成芯片技术,集成了氮化功率场效应管(GaN Power[FET])、驱动、控制和保护模块在单个SMT表面贴装工艺封装中。
2022-03-29 13:49:19256

氮化:相得益彰的高效解决方案覆盖中功率应用

近年来,氮化开关非常火爆,PI的InnoSwitch3内部就集成了氮化开关,在本次发布的新品中也使用了氮化开关。阎金光说,氮化开关导通电阻低,比硅器件效率更高,尤其是在低压输入、高电流时。
2022-03-29 09:40:57206

KOH硅湿法蚀刻工艺设计研究

在本研究中,我们设计了一个150mm晶片的湿蚀刻槽来防止硅片的背面蚀刻,并演示了优化的工艺配方,使各向异性湿蚀刻的背面没有任何损伤,我们还提出了300mm晶圆处理用湿浴槽的设计,作为一种很有前途的工艺发展。
2022-03-28 11:01:49463

硅和二氧化硅的湿化学蚀刻工艺

硅是微电子和微细力学中最常用的衬底材料。它不仅可用作无源衬底,也可用作电子或机械元件的有源材料。如本章所述,所需的图案也可以通过湿化学蚀刻方法来实现。
2022-03-23 14:17:1627

氮化半导体材料研究

氮化(GaN)是一种宽禁带隙的半导体材料,在半导体行业是继硅之后最受欢迎的材料。这背后的原动力趋势是led,微波,以及最近的电力电子。新的研究领域还包括自旋电子和纳米带晶体管,利用了氮化的一些
2022-03-23 14:15:0820

氮化的大面积光电化学蚀刻技术

本文介绍了一种利用氢氧化钾溶液和大面积汞灯照明对氮化进行光增强湿法化学刻蚀的工艺。讨论了n+氮化、非有意掺杂氮化和p-氮化样品的结果。
2022-03-17 15:42:5653

用于化学分析应用的Si各向异性湿法化学蚀刻

分析化学小型化的一个方便的起点在于使用单晶硅作为起始材料,微加工作为使能技术,湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在这次可行性研究和学习中都起到了关键作用。
2022-03-11 13:58:0818

晶圆湿用于硅蚀刻浴晶圆蚀刻

了解形成MEMS制造所需的三维结构,需要SILICON的各向异性蚀刻,此时使用的湿蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿蚀刻
2022-03-11 13:57:4329

KOH溶液中氮化铝的湿化学蚀刻

本文研究了KOH基溶液中AIN的湿化学蚀刻蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加,从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火,提高了反应性溅射制备
2022-03-09 14:37:4743

半导体各向异性蚀刻的表面化学和电化学

、成本效益和多功能性,湿化学蚀刻方法在半导体器件技术中得到广泛应用。虽然一些半导体可以通过还原分解,但实际蚀刻通常涉及固体的氧化[1]. 价电子从与溶液中的蚀刻物质(开路蚀刻)或通过外部电路(电化学蚀刻)对电极的表面键合中
2022-03-03 14:16:3759

III族氮化物的干法和湿法蚀刻

电感耦合等离子体反应离子蚀刻获得的高蚀刻速率和高度各向异性的轮廓。光增强湿法蚀刻提供了一种获得高蚀刻速率而没有离子诱导损伤的替代途径。该方法适用于器件制造以及n-氮化中位错密度的估算。这有可能发展成为一种快速评估材料的方法。
2022-02-23 16:20:24463

氮化铝单晶的湿法化学蚀刻

氮化因其独特的性质和在光电和微电子器件中的潜在应用而引起了广泛的兴趣。然而,GaN异质外延层中高达108 cm-2的位错密度缩短了GaN基器件的寿命。氮化铝和氮化之间的化学相容性和晶格/热膨胀
2022-02-21 14:00:05355

通过紫外线辅助光蚀刻技术实现的湿蚀刻

的AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管证明了本技术的适用性。此外,此处呈现的蚀刻特征对碳掺杂层具有高选择性,这将被证明在制造AlGaN/GaN异质结构双极晶体管中是有用的。
2022-02-14 16:14:5588

通过热增强提高氮化湿蚀刻速率报告

通过增加过硫酸盐(S2O82-)离子溶液的温度和254n波长紫外线(UVC)暴露,硫酸(氮化)的非接触光电化学(CL-PEC(UVC)(Horikiri等人,Appl。系统。25纳米/分钟的速率
2022-02-09 16:11:4048

关于InP在HCl溶液中的蚀刻研究报告

基于HC1的蚀刻剂被广泛应用于InP半导体器件,HC1溶液中其他酸的存在对蚀刻速率有显著影响,然而,InP并不溶在涉及简单氧化剂的传统蚀刻剂中,为了解决溶解机理的问题,我们江苏华林科纳研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蚀作用和电化学反应。
2022-02-09 10:54:5869

GaN衬底制造过程中N面氮化清洗工艺的研究报告

氮化由于其宽的直接带隙、高热和化学稳定性,已成为短波长发射器(发光二极管和二极管激光器)和探测器等许多光电应用的诱人半导体,以及高功率和高温电子器件。对于实现先进的氮化器件,如激光二极管或高功率灯,对低线程位错密度(<106cm-2)的高质量氮化衬底有很强的需求。
2022-02-08 15:26:13640

反应离子蚀刻的实用方法报告

刻蚀电介质(二氧化硅、氮化硅)和晶体硅。论文的第二部分致力于蚀刻ⅲ-ⅴ族化合物半导体,其中基于氮化材料的反应离子刻蚀结果,揭示了一种简单实用的热力学方法,解释了选择蚀刻特定材料的最佳化学物质的标准,并解释了氮化蚀刻
2022-01-28 13:25:36131

氮化的大面积光电化学蚀刻的实验报告

索引术语:氮化蚀刻 摘要 本文介绍了我们华林科纳的一种利用氢氧化钾溶液和大面积汞灯照明对氮化进行光增强湿法化学刻蚀的工艺。讨论了n+氮化、非有意掺杂氮化和p-氮化样品的结果。 介绍 光电化学
2022-01-28 11:11:23127

关于硅的湿化学蚀刻机理的研究报告

摘要 本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体结构的分析表明,晶面是该
2022-01-25 13:51:111179

关于硫酸-过氧化氢-水系统中砷化化学蚀刻研究报告

划分为与晶体表面的不同状态和各种蚀刻机制相对应的部分。蚀刻后的晶体表面的形状与同一溶液中沿同一方向蚀刻的凹槽的轮廓密切相关。 介绍 本文研究(100)砷化在硫酸、过氧化氢和水溶液中的化学蚀刻具有重要的技术和科学意义。该解决方案通常用于
2022-01-25 10:32:24903

关于氮化的深紫外增强湿法化学蚀刻研究报告

本文探讨了紫外辐照对生长在蓝宝石衬底上的非有意掺杂n型氮化(GaN)层的湿法化学刻蚀的影响。实验过程中,我们发现氮化蚀刻发生在pH值分别为2-1和11-15的磷酸水溶液和氢氧化钾溶液中。在稀释
2022-01-24 16:30:3178

关于HF与HNO3混合物中硅的湿化学蚀刻机理研究报告

介绍 本文通过详细的动力学研究,阐明了在富含HF的高频/HNO3混合物中对硅的湿化学蚀刻的机理。蚀刻实验后,我们进行进行了化学分析并研究蚀刻速率与温度、蚀刻剂的硅含量利用率和搅拌速度的函数关系
2022-01-24 15:41:1347

关于GaAs在酸性和碱性溶液中的湿蚀刻研究报告

,表面的Ga-As键断裂,元素砷留在砷化表面。此外,用盐酸+2-丙醇溶液蚀刻时可以观察到吸附的2-丙醇分子,但用氨水溶液蚀刻时没有检测到吸附的水分子。 介绍 湿化学蚀刻工艺在器件制造中已被广泛应用。半导体/电解质界面上发生的过程
2022-01-24 15:07:3053

关于湿法蚀刻工艺对铜及其合金蚀刻剂的评述

商业材料,它们的广泛应用是由于其优异的导电性和导热性、易于制造和良好的强度。本研究考察了铜及其合金的可能的蚀刻剂。该研究还旨在提供关于在铜和铜合金的湿法蚀刻工艺中使用各种蚀刻剂引起的安全、健康和环境问题的信息
2022-01-20 16:02:24210

关于砷化晶片的湿化学蚀刻研究报告

氮化(GaN)、砷化(GaAs)、、铟、铝、磷或砷。在这一点上,作为我们华林科纳研究的重点,GaAs晶圆是一个很好的候选,它可以成为二极管等各种技术器件中最常见的衬底之一。 衬底表面对实现高性能红外器件和高质量薄膜层起着重要作用
2022-01-19 11:12:22144

关于湿蚀刻蚀刻剂扩散到深紫外光刻胶中的研究报告

引言 在许多集成电路制造步骤中,化学蚀刻仍然优于等离子体蚀刻。事实上,它能够实现更好的表面光滑度控制,这是获得足够的载流子迁移率至关重要的。在这些步骤中,光刻抗蚀剂图案保护底层材料免受蚀刻。因此
2022-01-18 15:20:3459

关于氮化铝单晶的湿法化学蚀刻研究报告

引言 氮化因其独特的性质和在光电和微电子器件中的潜在应用而引起了广泛的兴趣。然而,GaN异质外延层中高达108 cm-2的位错密度缩短了GaN基器件的寿命。氮化铝和氮化之间的化学相容性和晶格
2022-01-18 15:05:50186

关于KOH溶液中氮化铝的湿化学蚀刻研究报告

引言 我们华林科纳研究了KOH基溶液中AIN的湿化学蚀刻蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加,从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火,提高了反应
2022-01-17 16:21:4846

关于AlN和GaN的刻蚀对比研究—江苏华林科纳半导体

管(HFETs) 和AlGaN/GaN异质结双极晶体管(HBT)。 在本研究中,我们描述了对高质量氮化铝和氮化单晶衬底之间的蚀刻选择性以及两种块体材料的两种极性之间的选择性的研究。确定了每次蚀刻过程后的蚀刻
2022-01-14 11:16:26193

蚀刻工艺关于湿化学处理后InP表面的研究

可以用来钝化III-V表面。本研究通过SRPES研究湿化学处理后的一个(nh4)2s钝化步骤的影响。此外,我们还分别用接触角(CA)、扫描隧道显微镜(STM)和电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)对各种处理后的表面润湿性能、形态和蚀刻速率进行了研究。 实
2022-01-12 16:27:33744

混合铝蚀刻剂的化学特性分析

摘要 我们华林科纳研究了正磷酸、聚磷酸、和铁(III)氯化物蚀刻剂对工艺条件变化的敏感性,以确定该蚀刻剂系统在纯铝电路光刻制造中的潜在生产应用。温度变化、正磷酸浓度、多磷酸浓度的影响。检测了酸浓度
2022-01-07 15:40:12487

多磷酸蚀刻剂的化学特性

摘要 在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时,需要对化学蚀刻剂有基本的了解,以实现工艺优化和工艺控制。 为了蚀刻纯铝电路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确定蚀刻速率和图案定义对正
2022-01-07 15:07:48471

全面分析氮化的诞生、产业发展和未来突破

越来越多的人在使用手机快充充电器的时候可能不经意间会发现氮化(GaN)这个专业名词,实际上,正是“氮化”这一第三代半导体材料的技术突破,让第三代半导体能实现更多的场景应用,例如氮化电子器件具有高频、高转换效率、高击穿电压等特性,让微显示、手机快充、氮化汽车等有了无限可能。
2022-01-01 16:25:461786

Si和Ge的湿化学刻蚀—苏州华林科纳半导体

介绍 在本研究中,我们使用不同的湿化学蚀刻条件来蚀刻硅、锗和硅锗,并将硅锗蚀刻速率数据扩展到锗摩尔分数在20%和100%之间。比较了三种情况下的刻蚀速率:I .在槽中的覆盖刻蚀,ii .在单晶片旋转
2021-12-31 15:02:20183

氮化蚀刻速率与氩离子电流的关系

电感耦合等离子体反应离子蚀刻获得的高蚀刻速率和高度各向异性的轮廓。光增强湿法蚀刻提供了一种获得高蚀刻速率而没有离子诱导损伤的替代途径。该方法适用于器件制造以及n-氮化中位错密度的估算。这有可能发展成为一种快
2021-12-30 10:36:17116

化学蚀刻的铜-ETP铜的实验分析

引言 化学蚀刻是通过与强化学溶液接触来控制工件材料的溶解。该过程可以应用于任何材料。铜是利用化学腐蚀工艺制造微电子元件、微工程结构和精密零件中广泛使用的工程材料之一。在这项研究中,铜在50℃用两种
2021-12-29 13:21:46778

晶圆湿用于硅蚀刻浴晶圆蚀刻

引言 了解形成MEMS制造所需的三维结构,需要SILICON的各向异性蚀刻,此时使用的湿蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿蚀刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:28:22133

用于化学分析的Si各向异性湿法化学蚀刻

分析化学小型化的一个方便的起点是使用单c:晶体硅作为起始材料,微加工作为使技术,湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在本文中,我们回顾了硅微加工,并描述了形成可能用于化学分析应用的通道、柱和其他几何图案
2021-12-22 16:41:38184

保姆级氮化充电器拆解:刨根问底,搞清楚氮化为什么那么猛!

2021 最新氮化充电器拆解:小白也能看懂,涨见识!2021 氮化充电器深度拆解,不只看个爽,还能知识!
2021-12-09 14:57:272577

国产氮化芯片最新动态:合封驱动、封装工艺升级双面散热

电子发烧友网报道(文/李诚)自Type-C 2.1与PD 3.1新的标准协议发布之后,氮化再次被推上风口。氮化以低损耗、高效率、高功率密度的自身优势,迅速占领快充市场。随着硅基氮化成本的下降
2021-12-07 14:00:151647

国产氮化芯片动态:合封驱动、封装工艺升级双面散热

电子发烧友网报道(文/李诚)自Type-C 2.1与PD 3.1新的标准协议发布之后,氮化再次被推上风口。氮化以低损耗、高效率、高功率密度的自身优势,迅速占领快充市场。随着硅基氮化成本的下降
2021-12-01 10:18:502199

氮化未来在汽车领域的发展潜力巨大

据阿里巴巴达摩院预测,2021年以氮化、碳化硅为代表的第三代半导体将迎来应用的大爆发。据公开资料显示,2020年氮化的市场主要应用于光电、射频、电力电子领域。其中,光电领域占氮化市场的68
2021-11-18 14:23:501394

瞄准车规市场,氮化开启加速“上车”模式

电子发烧友网报道(文/李诚)据阿里巴巴达摩院预测,2021年以氮化、碳化硅为代表的第三代半导体将迎来应用的大爆发。据公开资料显示,2020年氮化的市场主要应用于光电、射频、电力电子领域。其中
2021-11-17 10:13:541599

未来氮化的价格很有可能大幅下降

氮化和碳化硅一样,不断地挑战着硅基材料的物理极限,多用于电力电子、微波射频领域,在电力电子的应用中,氮化的禁带宽度是硅基材料的3倍,同时反向击穿电压是硅基材料的10倍,与同等电压等级的硅基材
2021-11-17 09:06:531146

氮化充电器优缺点简介

现在越来越多充电器开始换成氮化充电器了,氮化充电器看起来很小,但是功率一般很大,可以给手机平板,甚至笔记本电脑充电。那么氮化到底是什么,氮化充电器有哪些优点,下文简单做个分析。一、氮化
2021-11-07 13:35:5923

GaN HEMT氮化晶体管的应用优势

IR-HiRel氮化(GaN)比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比,GaN-HEMTs具有优异的动态导通电阻和较小的电容
2021-02-23 09:54:54578

氮化器件的应用与集成化综述

氮化器件的应用与集成化综述
2021-07-21 17:28:3417

氮化跟普通充电器有什么区别

1、氮化是什么? 是一种无机物,化学式GaN,是氮和的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。 氮化
2021-07-10 15:55:4321649

氮化晶片的化学机械抛光工艺综述

氮化晶片的化学机械抛光工艺综述
2021-07-02 11:26:5832

氮化的前景发展及应用

,其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域。氮化(GaN)在实验室中制成,具有带隙宽、原子键强、导热率高、化学性能稳定、抗辐照能力强、结构类似纤锌矿、硬度很高等特点,在
2021-06-01 11:37:084165

氮化功率晶体管价格降至1美元以下

GaN Systems其低电流,大批量氮化晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-12 09:10:51992

努比亚发布首款65W三扣氮化充电器

去年3月,努比亚发布了旗下首款氮化充电器,功率达65W三口(2C1A),此后又推出了120W三口(2C1A)氮化充电器、45W双口(1A1C)氮化充电器、65W单口氮化充电器、Candy多彩氮化充电器等等。
2021-02-20 14:51:531591

努比亚推出65W GaN Pro氮化充电器 体积再减小40%

去年3月,努比亚发布了旗下首款氮化充电器,功率达65W三口(2C1A),此后又推出了120W三口(2C1A)氮化充电器、45W双口(1A1C)氮化充电器、65W单口氮化充电器、Candy多彩
2021-02-19 17:01:022224

意法半导体推出了新系列双非对称氮化(GaN)晶体管的首款产品

基于MasterGaN®平台的创新优势,意法半导体推出了MasterGaN2,作为新系列双非对称氮化(GaN)晶体管的首款产品,是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。 2021
2021-01-20 11:22:391703

氮化快充技术商用驶入快车道

2020年氮化快充技术的商用正式进入快车道,尤其是随着数码产品大功率快充以及5G时代的到来,氮化技术在消费类电源领域的发展如鱼得水,市场容量增速迅猛。氮化快充市场的爆发,带来的不仅是功率器件
2021-01-08 16:11:411386

氮化十大龙头企业

今天我们一起学习一下关于氮化龙头企业到达有哪些呢?首先氮化,分子式GaN,是氮和的化合物,是一种直接能隙的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高,可以用在高
2020-11-20 14:21:5075991

氮化有什么用_氮化的合成方法

氮化是一种无机物,化学式GaN,是氮和的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化的能隙很宽,为
2020-11-20 14:17:013270

宜普电源转换公司推出100V ~ 200V产品系列的EPC2059氮化场效应晶体

宜普电源转换公司是增强型硅基氮化(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商,致力提高产品性能且降低可发货的氮化晶体管的成本,最新推出EPC2059 (6.8 mΩ、170 V)氮化场效应晶体
2020-11-12 18:05:58643

新材料在线:2020年湿电子化学品行业研究报告

。 基于此,新材料在线特推出【湿电子化学品行业研究报告】,供业内人士参考: 责任编辑:xj 原文标题:【重磅报告】2020年湿电子化学品行业研究报告 文章出处:【微信公众号:新材料在线】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
2020-10-23 10:58:073398

氮化的发展和与于SiC的比较说明

氮化南征北战纵横半导体市场多年,无论是吊打碳化硅,还是PK砷化氮化凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,确立了其在制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。
2020-07-07 10:47:128

氮化发展深度评估

从研发到商业化应用,氮化的发展是当下的颠覆性技术创新,其影响波及了现今整个微波和射频行业。氮化对众多射频应用的系统性能、尺寸及重量产生了明确而深刻的影响,并实现了利用传统半导体技术无法实现的系统级解决方案,其市场潜力刚刚开始被关注。
2020-07-06 14:18:171075

氮化材质的FET取代了传统的硅材料

最近风靡的氮化充电器,对我们消费者最直观的感觉就是小。当然,在充电功率等同的情况下,体积越大的充电器,散热必然就越好,如果一个充电器不做好电路可靠性就贸然缩小体积,就会有爆炸等隐患。氮化充电器之所以能够做的这么小,最主要的原因就是用了氮化材质的FET取代了传统的硅材料。
2020-06-16 15:55:082514

新基建如何赋能氮化,5G可率先打开商用空间

今年以来,氮化(GaN)快充成为“网红”产品,受到小米、OPPO、魅族等手机厂商的“热捧”。氮化在消费电子领域迅速起量的同时,其应用范围也在持续扩展,正向新基建所涉及的5G、数据中心、新能源汽车等领域渗透。新基建将如何赋能氮化,我国企业该如何抓住氮化的成长契机,利用好市场窗口?
2020-06-15 14:47:061616

氮化晶体管有什么样的应用

什么是氮化晶体管?它有什么作用?硅功率MOSFET还没有跟上电力电子行业的发展变化,在这个行业中,效率、功率密度和更小的形式等因素是社区的主要需求。电力电子工业已经达到硅MOSFET的理论极限
2020-05-24 11:48:045092

氮化充电器的发展前景_氮化充电器概念股

氮化充电器前景非常明朗,大概率会取代传统充电器。 氮化充电器为何能够取代传统的充电器呢,或者说氮化充电器都有哪些优势?下面给给大家进行解答。
2020-04-09 08:55:474428

小米65W氮化与倍思65W氮化充电器的区别

随着小米在2020年2月13日发布最65W氮化充电器后,氮化充电器又一次占领各大头条热搜榜,就连氮化相关的证券板块也波动了一番。
2020-03-05 16:12:325597

关于国内的氮化供应商介绍

根据RESEARCH AND MARKETS发布的“氮化半导体器件市场2023年全球预测”称,氮化器件市场预计将从2016年的165亿美元,增长至2023年的224.7亿美元,年复合增长率为4.51%。GaN产业链包括上游的材料(衬底和外延)、中游的器件和模组、下游的系统和应用。
2019-08-01 18:09:5712234

蚀刻的工艺流程及注意事项

蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。它可通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。
2019-04-24 16:07:2321333

采用氮化材料的电子器件在无桥PFC电路中的应用(2)

氮化功率器件及其应用(四)TI氮化器件在无桥PFC设计中的应用(下)
2019-01-30 11:00:191494

采用氮化材料的电子器件在无桥PFC电路中的应用(1)

氮化功率器件及其应用(三)TI氮化器件在无桥PFC设计中的应用(上)
2019-01-30 11:03:513254

采用氮化应用模块实现DCDC的设计

氮化功率器件及其应用(二)TI用氮化器件实现的DCDC设计方案
2019-01-30 11:03:552953

采用氮化材料的电子器件介绍

氮化功率器件及其应用(一)氮化器件的介绍
2019-01-30 10:56:133512

如何选择从直流到18 GHz氮化的产品?

业内领先的广泛氮化 (GaN) 产品系列——包括放大器、晶体管和开关。TriQuint GaN解决方案可提高射频效率、降低总成本和增强系统坚固性。
2017-12-08 04:33:25289

带你走进神奇的氮化

氮化南征北战纵横半导体市场多年,无论是吊打碳化硅,还是PK砷化氮化凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,确立了其在制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。
2019-03-12 14:03:0133814

氮化目前大规模商用的领域介绍

氮化,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是一种氮(V)和(III)的III-V族化合物,直接带隙(Direct Bandgap)(直接跃迁型)的半导体材料,具有带隙宽(室温下
2018-12-04 13:44:0710622

5G发展带动硅基氮化产业,硅基氮化应用发展广泛

与传统的金属氧化物(LDMOS)半导体相比,硅基氮化的性能优势十分明显——提供的有效功率可超过70%,每个单位面积的功率提升了4~6倍数,从而降低整体功耗,并且很重要的是能够扩展至高频率应用。同时
2018-11-10 11:31:577042

氮化中利用光电化学蚀刻深层高纵横比沟槽的进展

在沟槽蚀刻的实验中,达到的深度是由电流密度控制的,而不是沿GaN晶格的m轴或a轴的掩模取向。短宽度孔径掩模的沟槽蚀刻速率在约30μm深度处减慢。研究人员认为,这是由于紫外线辐射难以到达沟槽底部的蚀刻前沿。他们补充说,相干的紫外光源可能有助于深沟槽蚀刻
2018-09-05 16:14:293552

研究如何利用氮化加强空间探索?

美国航空航天局(NASA)戈达德太空飞行中心的两个科学家和工程师团队正在研究如何利用氮化(GaN)加强空间探索。(1)工程师Jean-Marie Lauenstein和科学家Elizabeth
2018-08-30 15:30:492559

半导体新发现:氮化晶体缺陷的罪魁祸首

随着硅基半导体达到其性能极限,氮化(GaN)正成为推动发光二极管(LED)技术、高频晶体管和光伏器件的下一代材料。然而,阻碍GaN发展的是其体内存在的大量缺陷。
2018-07-09 11:10:028108

如何利用测量设备来准确地评估高性能的氮化晶体

氮化(GaN)场效应晶体管具备高速的开关速度优势,需要使用良好的测量技术及能够描述高速波形细节的良好技巧来进行评估。本文专注于如何基于用户的要求及测量技术,利用测量设备来准确地评估高性能的氮化晶体管。此外,本文评估高带宽差分探头与不接地参考波形一起使用时的情况。
2018-01-24 20:43:552011

氮化(GaN)衬底晶片实现国产 苏州纳维的2英寸氮化名列第一

氮化单晶材料生长难度非常大,苏州纳维的2英寸氮化名列第一。真正的实现了“中国造”的氮化衬底晶片。氮化物半导体的产业发展非常快,同样也是氮化物半导体产业发展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:54:126312

Qorvo:关于氮化的十个重要事实

包括:高功率密度、宽频性能、高功率处理阅读下面的氮化的十个重要事实,真正了解这个在我 们的工作和生活中发挥重要作用的关键技术。 关于氮化的十个重要事实: 一、氮化器件提供的功率密度比砷化器件高十倍。由于氮化器件的功率密度
2017-11-08 15:31:435

氮化场效应晶体管的栅极驱动集成电路的选择

随着宽带的可用性(WBG)设备,很多电源设计人员已经开始研究基于氮化上硅场效应管的优点(GaN-on-Si)为各种新的设计和新应用。
2017-06-01 09:06:3818

准确测量氮化(GaN)晶体管的皮秒量级上升时间

当测定氮化(GaN)晶体管的皮秒量级上升时间时,即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够。准确测定GaN晶体管的上升和下降时间需要细心留意您的测量设置和设备。让我们初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成半桥GaN电源模块进行准确测量的最佳实践方法。
2017-04-18 12:34:041696

MACOM推出用于无线基站的全新高性能氮化功率晶体管系列

中国上海,2016年2月24日- 领先的高性能模拟、微波、毫米波和光波半导体产品供应商MACOM日前宣布推出其备受瞩目、应用于宏基站的MAGb系列氮化(GaN)功率晶体管。
2016-02-24 10:48:26729

氮化功率器件进入井喷期:军事宇航份额最高

美国透明度市场研究公司近日发布研究报告称,2012年氮化半导体器件市场产值为3.7982亿美元,并将在2019年达到22.0373亿美元。其中,军事国防和宇航部分占据氮化半导体市场的最高份额。
2014-02-24 09:34:136468

TriQuint加速氮化的供应速度,推出卓越新产品和代工服务

技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体(纳斯达克代码:TQNT),今天发布了15款新型氮化( GaN )放大器和晶体管以及两套全新的氮化工艺。这些产品为通讯系统提供了性能、尺寸和
2013-07-01 11:39:02615

宜普推出内含增强型氮化场效电晶体(FET)EPC9005开发板

宜普公司推出内含增强型氮化(eGAN)场效电晶体(FET)的 EPC9005 开发板。该开发板是一款7A最大输出电流半桥电路设计,内含两个EPC2014场效应电晶体,并采用最佳化闸极驱动器LM5113。
2013-05-08 16:08:27896

放大器尺寸再减50%!TriQuint卓越增益新氮化晶体

TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化晶体管可使放大器的尺寸减半,同
2012-12-19 10:20:40938

TriQuint半导体推出具有卓越增益的新氮化晶体

TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化(GaN)HEMT射频功率晶体管产品。
2012-12-18 09:17:12841

TriQuint与Richardson RFPD合作提供广泛的创新氮化产品选择

TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT)和Richardson RFPD今天宣布,Richardson RFPD新建立的氮化技术中心 (Tech Hub) 展示了TriQuint业内领先的广泛氮化 (GaN) 产品系列——包括放大器、晶体管和
2012-10-23 16:50:09747

宜普推高频氮化场效应芯片高效无线电源展示系统

宜普宣佈推出一个高效无线电源展示系统,内含具高频开关性能的氮化晶体。使用宜普的氮化场效应电晶体是这种系统的一个理想解决方案,因为它所具备的性能可以在高频、高
2012-08-16 10:25:16884

并联增强型氮化场效应晶体管提高转换器性能

氮化是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料,也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。 增强型氮化(e
2012-06-06 14:57:3135

氮化在射频通信中应用

本内容讲解了氮化在射频通信中应用。氮化并非革命性的晶体管技术,与现有技术相比,氮化(GaN)的优势在于更高的漏极效率、更大的带宽、更高的击穿电压和更高的结温操作
2011-12-12 15:20:331110

RFMD推出氮化功率倍增模块RFCM2680

RFMD公司推出氮化有线电视表面贴装功率倍增模块。RFCM2680 是业界首款专门针对有线电视网络的表面贴装氮化功率倍增模块。该器件同时采用了氮化 HEMT 和砷化 pHEMT 技术,可在
2011-11-16 10:08:361014

晶体学基础

晶体学基础2.1.1 空间点阵和晶胞 ?具有代表性的基本单元(最小平行六面体)作为点阵的组成单元,称为晶胞。将晶胞作三维的重复堆砌就构成了空间点阵。
2009-08-06 13:50:108216

已全部加载完成