实验名称：基于电场诱导的白光LED结构化涂层制备及其应用研究 研究方向：电场诱导结构制备工艺试验研究 实验内容： 本文主要围绕：平面电极和机构化电极两种电场诱导工艺进行试验研究，在平面电极电场诱导
2021-02-02 17:43:45
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一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法。该方法包括提供碳化硅基底；通过在基底上施加一层材料来形成非金属掩模层；形成掩模层以暴露基底的底层区域；并以第一速率用等离子体蚀刻基底的底层区域，同时以低于第一速率蚀刻掩模层。
2022-03-29 14:55:272151 
本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法，应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜，通过无损摩擦化学去除部分天然氧化物，暴露底下新鲜硅。因此，可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻，通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度，从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅蚀刻速率。
2022-04-22 14:06:011908 
通过高选择性蚀刻，专用蚀刻工具可在 IC 生产过程中去除或蚀刻掉微小芯片结构中的材料
2023-03-20 09:41:492966 
为了提供更优良的静电完整性，三维(3D)设计（如全围栅(GAA)场电子晶体管(FET )）预计将在互补金属氧化物半导体技术中被采用。3D MOS架构为蚀刻应用带来了一系列挑战。虽然平面设备更多地依赖于各向异性蚀刻，但是3D设备在不同材料之间具有高选择性，需要更多的各向异性蚀刻能力。
2023-06-14 11:03:533175 
选择性焊接的流程包括哪些？选择性焊接工艺有哪几种？
2021-04-25 10:00:18
一种新型多协作中继选择协议研究
2012-08-06 13:35:31
【纳米发电技术】纳米发电机，是基于规则的氧化锌纳米线，在纳米范围内将机械能转化成电能，是世界上最小的发电机。目前纳米发电机可以分为三类：第一类是压电纳米发电机；第二类是摩擦纳米发电机；第三类为热释
2021-06-30 07:24:20
什么是摩擦起电？摩擦起电现象是如何产生的？摩擦纳米发电技术有哪些应用？摩擦纳米发电普及后的生活是啥样的？
2021-06-17 07:08:31
新型非联网2.4GHz技术为什么会是一种理想的选择？
2021-05-28 06:15:05
断开，没有回路，而静电场依然存在，可以在外接负载的情况下产生电流流过负载。有四种基本工作模式：1、垂直的摩擦-接触（最基本，原理上面已经讲）2、水平滑动两个电极材料接触的一面水平滑动摩擦产生静电，而两个电极未接触的一面将产生反向电...
2021-06-30 07:43:18
线和PVDF膜构成的复合结构） 2、柔性摩擦纳米发电机 柔性摩擦纳米发电机（TENG）使用两种不同的聚合物/金属薄膜，利用两个薄膜接触时摩擦产生的电荷发电。典型的柔性聚合物摩擦纳米发电机可产生约3V
2020-08-25 10:59:35
选择性打开前面板
2013-10-16 15:48:13
的焊接。选择性焊接是一种全新的方法，彻底了解选择性焊接工艺和设备是成功焊接所必需的。 选择性焊接的流程 典型的选择性焊接的工艺流程包括：助焊剂喷涂，PCB预热、浸焊和拖焊。 助焊剂涂布工艺 在
2009-04-07 17:17:49
典型的选择性焊接的工艺流程包括：助焊剂喷涂，PCB预热、浸焊和拖焊。 助焊剂涂布工艺 在选择性焊接中，助焊剂涂布工序起着重要的作用。焊接加热与焊接结束时，助焊剂应有足够的活性防止桥接的产生并防止
2012-10-18 16:31:31
是一种全新 的方法，彻底了解选择性焊接工艺和设备是成功焊接所必需的。麦|斯|艾|姆|P|CB样板贴片,麦1斯1艾1姆1科1技全国1首家P|CB样板打板 选择性焊接的流程 典型的选择性焊接的工艺流程包括
2013-09-13 10:25:12
的待焊接部位，而不是整个PCB。另外选择性焊接仅适用于插装元件的焊接。选择性焊接是一种全新 的方法，彻底了解选择性焊接工艺和设备是成功焊接所必需的。
2017-10-31 13:40:44
整个PCB。另外选择性焊接仅适用于插装元件的焊接。选择性焊接是一种全新的方法，彻底了解选择性焊接工艺和设备是成功焊接所必需的。 选择性焊接的流程 典型的选择性焊接的工艺流程包括：助焊剂喷涂
2012-10-17 15:58:37
焊接前也必须预先涂敷助焊剂。与波峰焊相比，助焊剂仅涂覆在PCB下部的待焊接部位，而不是整个PCB。另外选择性焊接仅适用于插装元件的焊接。选择性焊接是一种全新的方法，彻底了解选择性焊接工艺和设备是成功焊接
2012-10-18 16:26:06
部位，而不是整个PCB。另外选择性焊接仅适用于插装元件的焊接。选择性焊接是一种全新的方法，彻底了解选择性焊接工艺和设备是成功焊接所必需的。
2012-10-18 16:32:47
PCB下部的待焊接部位，而不是整个PCB。另外选择性焊接仅适用于插装元件的焊接。选择性焊接是一种全新 的方法，彻底了解选择性焊接工艺和设备是成功焊接所必需的。 选择性焊接的流程 典型的选择性焊接
2018-09-14 11:28:22
)→FQA→成品。 (2)要点仅对导电图形进行选择性电镀。板子钻孔，化学镀铜，光成像以形成导电图形，这时候仅对线路和孔及焊盘进行图形电镀铜，使孔内平均铜厚大于等于20μm，然后接着镀锡(锡镀层作为蚀刻
2018-09-21 16:45:08
。另外选择性焊接仅适用于插装元件的焊接。选择性焊接是一种全新的方法，彻底了解选择性焊接工艺和设备是成功焊接所必需的。 选择性焊接的流程 典型的选择性焊接的工艺流程包括：助焊剂喷涂，PCB预热、浸焊
2018-09-10 16:50:02
我会冒泡排序，但是我做选择性排序时，不知道如何将最外层for循环的每层最大值给传递下去，交换索引地址也出现了问题
2018-03-24 14:13:24
/index.html摘要：氮化镓 (GaN) 纳米线 (NW) 的器件近年来引起了很多兴趣。超薄 GaN NW 可用于制造许多用于未来通信和加密系统的新型器件，例如单光子发射器 (SPE)。传统的生长技术在可制造性
2021-07-08 13:11:24
溶液中 HCl（空心三角形）和 H2O（实心正方形）的体积部分 x 的函数。两个图中绘制的速率之间的差异在需要选择性和明确定义的蚀刻的情况下可能很有用。3.结论我们已成功找到一种基于 HCl 的蚀刻溶液
2021-07-09 10:23:37
镜面硅结构时，表面的平滑度和蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶硅创建 45° 和 90° 蚀刻平面的方法，用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向，但使用两种不同的蚀刻剂。用
2021-07-19 11:03:23
：MacEtch 是一种湿法蚀刻工艺，可提供对取向、长度、形态等结构参数的可控性，此外，它是一种制造极高纵横比半导体纳米结构的简单且低成本的方法。 3 该工艺利用了在氧化剂（例如过氧化氢 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
装元件的焊接。选择性焊接是一种全新的方法，彻底了解选择性焊接工艺和设备是成功焊接所必需的。选择性焊接的流程典型的选择性焊接的工艺流程包括：助焊剂喷涂，PCB预热、浸焊和拖焊。助焊剂涂布工艺在选择性焊接
2018-06-28 21:28:53
现代化战争对吸波材料的吸波性能要求越来越高，一般传统的吸波材料很难满足需要。由于结构和组成的特殊性，使得纳米吸波涂料成为隐身技术的新亮点。纳米材料是指三维尺寸中至少有一维为纳米尺寸的材料，如薄膜
2019-08-02 07:51:17
大量噪声信号时，可能会导致PDI值偏高。2. 静态光散射仪（SLS）：SLS是一种通过光学显微镜观察颗粒图像并计算出其直径分布情况来计算PDI的方法。它具有高灵敏度、高准确性等优点，但需要对样品进行
2023-11-28 13:38:39
选择性焊接的工艺特点是什么典型的选择性焊接的工艺流程包括哪几个步骤
2021-04-25 08:59:39
本文提出了一种基于I2C总线的新型可编程增益放大器的设计方法，可根据输入的模拟信号大小，自动选择量程进行放大/衰减。
2021-04-21 06:01:39
新型车载影音系统的工作原理是什么？如何去设计一种新型车载影音系统？
2021-05-12 06:46:11
在本设计中，设计了一种新型的应用pin diodes的射频开关转换电路，实现的功能是4路RF输入信号选择其中任意2路RF信号输出。
2021-06-04 06:55:00
机台及其蚀刻方法，晶片边缘的蚀刻机台，适用于对具有正面及背面的晶片的边缘进行蚀刻。 一种晶片边缘的蚀刻机台，适用于对具有正面及背面的晶片的边缘进行蚀刻，而上述蚀刻机台包括：一旋转夹盘，具有一工作台
2018-03-16 11:53:10
目前手上有个应用程序，生成的数据可以复制到剪贴板中，在Excel中选择“选择性粘贴”-》“粘贴链接”功能后，excel中显示的数据是前面那个软件的实时数据。现在我想把这个功能在labview里实现，请大侠们指点。
2014-01-12 11:43:58
本设计实例概述了一种有源滤波器合成方法，它把滤波器的灵敏度降到了无源元件的公差范围，并促成了廉价、高阶、高选择性的滤波器的制造。
2021-06-07 06:28:37
是一种全新 的方法，彻底了解选择性焊接工艺和设备是成功焊接所必需的。麦|斯|艾|姆|P|CB样板贴片,麦1斯1艾1姆1科1技全国1首家P|CB样板打板 选择性焊接的流程 典型的选择性焊接的工艺流程
2013-09-23 14:32:50
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案，选择性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
实验名称：基于电场诱导的白光LED结构化涂层制备及其应用研究 研究方向：电场诱导结构制备工艺试验研究 实验内容： 本文主要围绕：平面电极和机构化电极两种电场诱导工艺进行试验研究，在平面电极
2022-03-29 15:44:41
为什么要设计一种新型电压基准电路？怎样去设计一种新型电压基准电路？
2021-04-22 06:37:20
选择性控制系统属于复杂控制系统之一，昌晖仪表与大家分享选择性控制系统口诀、选择性控制系统分类和选择性控制系统应用的相关专业技术知识。选择性控制系统仪表工口诀 常用的控制系统通常只能在一定工况下工
2019-04-21 16:40:03
一种新型的纳米巨磁阻抗磁敏传感器:摘 要： 主要介绍纳米微晶材料的巨磁阻抗效应及利用该效应研制的一种新型的磁敏传感器。 它以脉冲频率的方式作为输出结果，与
2009-04-28 23:34:54
29 磁性纳米粒子的制备及其细胞分离方面的应用:介绍了一种始终在溶液中制备Fe3O4磁性纳米粒子的化学共沉淀,并对制得的粒子进行表面修饰的方法. 通过IR, XRD和AFM等测试仪器对样品进
2009-10-26 09:23:5914 针对正交空时分组码在频率选择性衰落信道中正交性被破坏的问题，该文提出了一种基于干扰对消的译码方案。该方案借鉴D-BLAST 系统的检测方法，采用干扰抵消和干扰置零方法消
2009-11-17 14:21:228 基于嵌入式隐马尔可夫模型(Embedded Hidden Markov Model, E-HMM)的人脸识别方法的识别性能依赖于模型参数的合理选择。提出了一种基于E-HMM的多模型选择性集成人脸识别算法，选择出个体
2009-11-24 15:40:598 单分散纳米微粒制备方法研究进展:单分散纳米微粒既可以在严格控制的条件下直接制备,也可以通过对多分散纳米微粒体系进行分级分离获得。本文在总结近年来国内外单分散纳米微
2010-01-02 14:22:3020 本文介绍了选择性控制系统的工作原理和设计方法;选择器是选择性控制系统的关键部件，本文给出了确定选择器型式的一种方法— 静态特性交叉法。本方法简单、形象、直观，并以
2010-01-12 17:19:5934 该文提出一种“选择性寄存”的方法用于解决同步双端口存储器IP 同时对同一地址进行读写操作时造成的读出数据丢失的问题。利用该方法，通过使用同步双端口存储器IP 和标准单
2010-02-10 15:06:0119 •纳米微粒的制备方法分类：
•1 根据是否发生化学反应，纳米微粒的制备方法通常分为两大类：
•物理方法和化学方法。
•2 根
2010-08-12 17:25:3719 纳米铁氧体的制备与表征方法研究摘要：本文对纳米铁氧体的制备方法以及表征方法做了简要的概述，对铁氧体的分类、纳米铁氧体技术的发展及特性也做了介绍，在纳米铁氧
2010-10-02 11:30:4652 选择性焊接的工艺特点 可通过与波峰焊的比较来了解选择性焊接的工艺特点。两者间最明显的差异在于波峰焊中PCB的下部完全浸入液态焊料中，而在选择性
2010-09-20 01:07:221128 在以数据为中心的无线传感器网络中，当恶意节点出现并发起选择性转发攻击时，出现的问题是恶意节点未能转发来到的信息，而丢掉部分和全部的关键信息，会严重破坏数据的收集，
2011-11-15 10:14:1621 为提高谐波检测的精确性和实时性，通过对滤波器边带选择性的分析，提出了一种同时满足精确性和实时性的滤波器优化方法。理论分析、仿真和实验结果都证明了该方法的正确性和有
2012-05-02 14:45:5938 机会中继选择协议是一种基于即时信道状态的单协作中继选择方法。文章将机会中继的思想推广到多中继选择场景，提出一种新的中继选择协议。协议通过采用目的节点确认协作中继及
2012-05-29 14:14:0536 一种新型SVPWM调制方法的研究与实现。
2016-03-30 14:40:327 SLM选择性激光融化
2016-12-25 22:12:070 一种新型的电刷调整方法_周国玉
2017-01-02 16:09:050 项集的模式挖掘方法应用于分类器的选择过程，利用垂直数据结构、频繁闭项集及模式挖掘方法的优势，提出一种预测性能更好、更加高效的选择性集成分类算法。
2017-11-14 17:15:038 目前碳纳米管的制备方法主要有三种，分别是弧光放电法，激光高温烧灼法以及化学气相沉淀法。本文采用的实验样品是使用化学气相沉淀法制备多壁碳纳米管阵列
2018-03-23 17:10:0012877 
近日，科技日报记者从中国科学技术大学获悉，该校俞书宏教授课题组与合作者合作，设计了一种“脉冲式轴向外延生长”方法，成功制备了尺寸、结构可调的一维胶体量子点-纳米线分段异质结，利用ZnS纳米线对CdS
2018-11-27 16:19:593720 近日，上海交通大学的姜雪松教授课题组，报道了一种制备近红外光响应的动态褶皱的方法。该方法利用含有碳纳米管的聚二甲基硅氧烷弹性体作为双层体系的基质，多种功能聚合物作为顶层材料制备了对近红外光响应的动态褶皱。
2018-04-27 15:14:507417 
本文提出了一种带预测补偿的选择性谐波检测方法以及基于该方法的电压和电流闭环控制方法。这种检测方法是从负载电流中直接检测出指定次谐波（包括正序谐波和负序谐波） ， 并通过增加预测补偿角彻底解决系统
2020-08-27 09:50:513542 
在 PCB 组装过程中，很多时候，由于一种或多种原因，更传统的工具或方法（例如波峰焊）并非总是最佳选择。组装技术人员可能会花费大量时间来尝试使这些传统过程正常运行。或者，他们可以使用专门针对当前
2020-09-23 20:39:179351 中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心先进材料与结构分析实验室A05组长期致力于碳纳米结构的制备、物性与应用基础研究。该课题组研究人员发展出一种新的连续直接制备大面积自支撑的透明导电碳纳米管（CNT）薄膜的方法——吹胀气溶胶法（BACVD）
2020-10-13 14:17:134894 
在利用摩擦起电诱导电致发光器件实现人眼直接观测的空间压力映射方面，河北大学物理科学与技术学院柔性光电薄膜与器件团队苏丽博士等人在成功实现摩擦起电诱导电致发光宽谱颜色操控基础上开发了新型自驱动可视化柔性压力传感器
2020-11-10 10:14:014282 频率选择性表面（FSS）功能上就是对空间中传播的平面波的“滤波器”，物理上多通过周期结构来实现，属于典型的电磁散射问题。
2021-06-07 10:21:406 我们华林科纳开发了一种可控、平滑的氢氧化钾基湿法刻蚀技术，AlN和AlxGa1xN之间的高选择性被发现对于基于AlGaN的深紫外发光二极管实现有效的衬底减薄或去除至关重要，从而提高光提取效率
2022-01-05 16:10:511655 
的IOSC相比，用氧化锌纳米制备的IOSCs中短路电流的增加，主要是由于PCE增强后电荷传输界面面积的增加。这项工作提出了一种制造具有更大电荷传输面积的高效光伏器件的方法，以备未来的前景。 介绍 为了提高界面稳定性和防止器件降解，含有半导体氧化物
2022-01-20 11:27:38660 
问题，而且包括蚀刻速率、均匀性和选择性在内的工艺性能都是使该工艺难以从台式转换到单晶片型的障碍。在这里，我们提出了一种新颖的设计，该设计引入了上晶片加热板，以保持磷酸蚀刻剂的高温，从而克服在氮化物剥离工艺中单晶片处
2022-02-15 16:38:572730 
本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法，应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜，通过无损摩擦化学去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鲜硅。因此，可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻，通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度，从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅的蚀刻速率。
2022-03-18 15:39:18954 
和水热蚀刻制备黑硅具有更大的优势。它为制备黑硅可见光和近红外光电子器件提供了一种合适而经济的方法。本文采用湿式蚀刻法制备了微结构硅，并对其微观结构进行了表征，并对其光学性能进行了测试。
2022-03-29 16:02:591360 
本文采用超声增强化学蚀刻技术制备了多孔硅层，利用高频溶液和硝酸技术在p型取向硅中制备了多孔硅层。超声检测发现p型硅多孔硅层的结构，用该方法可以制备质量因子的多孔硅微腔，超声波蚀刻所导致的质量的提高可
2022-04-06 13:32:13880 
本文采用超声增强化学蚀刻技术制备了多孔硅层，利用高频溶液和硝酸技术在p型取向硅中制备了多孔硅层。超声检测发现p型硅多孔硅层的结构，用该方法可以制备质量因子的多孔硅微腔，超声波蚀刻所导致的质量的提高可
2022-04-15 10:18:45764 
本文提供了用于蚀刻膜的方法和设备。一个方面涉及一种在衬底上蚀刻氮化硅的方法，该方法包括:(a)将氟化气体引入等离子体发生器并点燃等离子体以a形成含氟蚀刻溶液；(b)从硅源向等离子体提供硅；以及(c
2022-04-24 14:58:511655 
本文章提出了一种新的半导体超卤素深度分析方法，在通过臭氧氧化去除一些硅原子层，然后用氢氟酸蚀刻氧化物后重复测量，确定了成分和表面电位的深度分布，因此这种分析技术提供了优于0.5纳米的深度分辨率，通过
2022-05-06 15:50:39939 
在本文中，使用电感耦合等离子体(ICP)蚀刻方法进行了阵列制作铁氧化物纳米点的生物纳米过程，ICP法是一种很有前途的方法，用于半导体图案化的干蚀刻方法，这种方法的特点是通过安装在反应室顶部的天线线圈
2022-05-19 16:05:212806 
我们华林科纳研究了TMAH溶液中摩擦诱导选择性蚀刻的性能受蚀刻温度、刻蚀时间和刮刻载荷的影响，通过对比试验，评价了硅摩擦诱导的选择性蚀刻的机理，各种表面图案的制造被证明与控制尖端痕迹划伤。 蚀刻时间
2022-05-20 16:37:453558 
本研究的目的是我们华林科纳开发足够快的氮化钛蚀刻配方，可用于单晶片工具(SWT)，但对电介质和金属具有高选择性。大多数蚀刻实验是在分子间Tempus F-20TM工具上进行的，该工具能够在一个基板上
2022-05-30 16:39:111956 
通过使用多级等离子体蚀刻实验设计、用于蚀刻后光致抗蚀剂去除的替代方法，以及开发自动蚀刻后遮盖物去除顺序；一种可再现的基板通孔处理方法被集成到大批量GaAs制造中。对于等离子体蚀刻部分，使用光学显微镜
2022-06-23 14:26:57985 
摩擦纳米发电机（Triboelectric Nanogenerator，TENG）最早由王中林院士提出，TENG器件通过两个摩擦电层相互作用产生的摩擦起电和静电感应现象的耦合效应，可以将机械能转化为电能来收集微小的机械能。
2023-02-15 15:24:113059 等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤，然而，载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓（GaN）设备，通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中，英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:541476 
纳米线(NWs)已经为气体和生物传感提供了一个极好的平台， 从而研究如何使纳米线的表面功能化，由于纳米尺度尺寸与分子尺寸兼容性，导致我们需要考虑如何使纳米线的表面功能化，从而以良好的选择性检测特定的气体分子。
2023-06-16 14:12:332526 
高质量固态纳米孔的制备是DNA测序、纳流器件以及纳滤膜等应用的关键技术。当前，在无机薄膜材料中制备固态纳米孔的主流方法是聚焦离子/电子束刻蚀。
2023-07-04 11:08:08736 
近日，中国科学院近代物理研究所材料研究中心与俄罗斯杜布纳联合核子研究所合作，研发出一种孔径小于10纳米的固态纳米孔制备新技术。相关研究成果发表在《纳米快报》（Nano Letters）上
2023-07-04 11:10:561627 
选择性波峰焊和波峰焊是pcba贴片加工中常用的焊接方法之一。然而，这些方法中的每一种都有自己的优点和缺点。
2023-08-07 09:09:342034 可通过与波峰焊的比较来了解选择性焊接的工艺特点。两者间明显的差异在于波峰焊中PCB的下部完全浸入液态焊料中，而在选择性焊接中，仅有部分特定区域与焊锡波接触。由于PCB本身就是一种不良的热传导介质，因此焊接时它不会加热熔化邻近元器件和PCB区域的焊点。
2023-10-20 15:18:461583 众所周知，微尺度和纳米尺度的地形结构对真核细胞和原核细胞的行为都有显著的影响。例如，具有特殊尺寸的纳米线、纳米柱、纳米管已被证明具有抗菌性能。开发这种结构提供了一种无药物的方法来对抗感染，这被认为是一种替代释放抗菌剂的常见抗菌表面的替代品。
2023-10-23 09:43:16773 
Si选择性刻蚀。 为了提高晶体管性能，基于SiGe中的传导沟道的技术目前已经在开发中。这种蚀刻是基于四氟化碳/N2/O2的气体混合物中的过程，其特征具有选择性，即Si隧道深度与SiGe层消耗之间的比值（图1）。 图1：样品用于研究该过程的选择性 实
2024-02-21 16:53:553978 
在这篇文章中，我们将详细探讨交流二元继电器的相位选择性和频率选择性。我们将从继电器的基本原理开始，然后探讨这两种选择性的原理和实现方法。 1. 继电器的基本原理 继电器是一种电子开关，它可以根据输入
2024-06-29 09:42:191901 和可靠性。 1. 过电流保护的基本原理 过电流保护是一种基于电流大小的保护方式，当电流超过设定的阈值时，保护装置会动作，切断故障电路。过电流保护通常包括过载保护和短路保护两种类型。 2. 选择性保护的重要性 选择性保护
2024-09-26 14:38:282063 先进的CEFT晶体管，为了进一步优化，一种名为选择性沉积的技术应运而生。这项技术通过精确控制材料在特定区域内的沉积过程来实现这一目标，并主要分为按需沉积（DoD， Deposition on Demand）与按需材料工艺（MoD， Material on Demand）两种形式。 按需沉积（DoD）
2024-12-07 09:45:011576 
, GAAFET）作为一种有望替代FinFET的下一代晶体管架构，因其能够在更小尺寸下提供更好的静电控制和更高的性能而备受关注。在制造n型GAAFET的过程中，一个关键步骤是在内隔层沉积之前对Si-SiGe堆叠纳米片进行高选择性的SiGe：Si蚀刻，以产生硅纳米片并释放沟道。 本文将探讨这一过
2024-12-17 09:53:332013 
随着全球能源需求的增长，开发高效率太阳能电池变得尤为重要。本文旨在开发一种成本效益高且可扩展的制备工艺，用于制造具有前侧SiOx/多晶硅选择性发射极的双面TOPCon太阳能电池，并通过优化工艺实现
2025-03-03 09:02:291206 
不同材料的刻蚀速率比，达到>5:1甚至更高的选择比标准。 一、核心价值与定义 l精准材料去除 高选择性蚀刻通过调整反应条件，使目标材料（如多晶硅、氮化硅）的刻蚀速率远高于掩膜或底层材料（如氧化硅、光刻胶），实现
2025-03-12 17:02:49809
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