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低热量化学气相工艺制备氮化硅
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2023-03-22 09:49:29506
506高效率低能耗干法超细研磨与分散压电陶瓷等硬质矿物材料技术升级
氮化硅研磨环由于研磨环存在内外气压差，可以在密闭的真空或者很浓密的场景中快速的上下运动，氮化硅磨介圈在大的球磨机里不仅起到研磨粉碎的作用，更重要的是众多的氮化硅磨介圈环会发生共振现象，氮化硅
2023-03-31 11:40:35597
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氮化硅陶瓷基板的市场优势和未来前景
氮化硅基板是一种新型的材料，具有高功率密度、高转换效率、高温性能和高速度等特点。这使得氮化硅线路板有着广泛的应用前景和市场需求，正因为如此斯利通现正全力研发氮化硅作为基材的线路板。
2023-04-11 12:02:401364
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多孔氮化硅陶瓷天线罩材料制备及性能研究
近日，上海玻璃钢研究院有限公司的高级工程师赵中坚沿着该思路，以纯纤维状α-Si3N4粉为主要原料，通过添加一定比例氧化物烧结助剂，经冷等静压成型和气氛保护无压烧结工艺烧结制备出了能充分满足高性能导弹天线罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461279
1279国产氮化硅陶瓷基板邂逅碳化硅功率模块，国产新能源汽车开启性能狂飙模式
新能源电动汽车爆发式增长的势头不可阻挡，氮化硅陶瓷基板升级SiC功率模块，对提升新能源汽车加速度、续航里程、充电速度、轻量化、电池成本等各项性能尤为重要。
2023-05-02 09:28:451170
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高导热氮化硅陶瓷基板研究现状
的要求，传统的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO等的缺点也日益突出，如较低的理论热导率和较差的力学性能等，严重阻碍了其发展。相比于传统陶瓷基板材料，氮化硅陶瓷由于
2022-12-05 10:57:121388
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陶瓷基板制备工艺研究进展
目前常用的高导热陶瓷粉体原料有氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化铍（BeO）等。随着国家大力发展绿色环保方向，由于氧化铍有毒性逐渐开始退出历史的舞台。
2023-06-27 15:03:56544
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氮化硅陶瓷在四大领域的研究及应用进展
氮化硅陶瓷轴承球与钢质球相比具有突出的优点:密度低、耐高温、自润滑、耐腐蚀。疲劳寿命破坏方式与钢质球相同。陶瓷球作为高速旋转体产生离心应力，氮化硅的低密度降低了高速旋转体外圈上的离心应力。
2023-07-05 10:37:061561
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氮化硅是半导体材料吗 氮化硅的性能及用途
氮化硅是一种半导体材料。氮化硅具有优异的热稳定性、机械性能和化学稳定性，被广泛应用于高温、高功率和高频率电子器件中。它具有较宽的能隙（大约3.2电子伏特），并可通过掺杂来调节其导电性能，因此被视为一种重要的半导体材料。
2023-07-06 15:44:433823
3823沉积氮化硅薄膜的重要制备工艺——PECVD镀膜
PECVD作为太阳能电池生产中的一种工艺，对其性能的提升起着关键的作用。PECVD可以将氮化硅薄膜沉积在太阳能电池片的表面，从而有效提高太阳能电池的光电转换率。但为了清晰客观的检测沉积后太阳能电池
2023-09-27 08:35:491775
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国科光芯实现传输损耗-0.1dB/cm（1550 nm波长）级别氮化硅硅光芯片的量产
据麦姆斯咨询报道，经过两年、十余次的设计和工艺迭代，国科光芯（海宁）科技股份有限公司（简称：国科光芯）在国内首个8英寸低损耗氮化硅硅光量产平台，实现了传输损耗-0.1 dB/cm（1550 nm波长
2023-11-17 09:04:54656
656碳化硅和氮化镓哪个好
、结构、制备方法、特性以及应用方面存在着一些差异。以下将详细介绍碳化硅和氮化镓的区别。 1. 物理性质 碳化硅是由碳和硅元素组成的化合物，具有多种晶体结构，包括六方晶系、三方晶系和立方晶系。它具有较高的熔点、硬度、热导率和
2023-12-08 11:28:51742
742京瓷利用SN氮化硅材料研发高性能FTIR光源
京瓷株式会社（以下简称京瓷）成功研发用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下简称SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234
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TOPCon核心工艺技术路线盘点
TOPCon 电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、BSG 去除和背面刻蚀、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝沉积、正背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试分选，约 12 步左右。从技术路径角度：LPCVD 方式为目前量产的主流工艺，预计 PECVD 路线有望成为未来新方向。
2023-12-26 14:59:112733
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氮化镓芯片生产工艺有哪些
氮化镓芯片是一种新型的半导体材料，由于其优良的电学性能，广泛应用于高频电子器件和光电器件中。在氮化镓芯片的生产工艺中，主要包括以下几个方面：材料准备、芯片制备、工厂测试和封装等。 首先，氮化镓芯片
2024-01-10 10:09:41506
506LPCVD技术助力低应力氮化硅膜制备
LPCVD是低压化学气相沉积（low-pressurechemical vapor deposition）的缩写，低压主要是相对于常压的APCVD而言，主要区别点就是工作环境的压强，LPCVD的压强通常只有10~1000Pa，而APCVD压强约为101.3KPa。
2024-01-22 10:38:35167
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工商网监
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