罗杰斯公司于近日推出了新款 curamik®系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的机械强度比其它陶瓷高，所以新款curamik® 基板能够帮助设计者在严苛的工作环境以及 HEV/EV 和其它可再生
2012-08-07 11:34:16
3492 晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的 PERC/PERL设计。虽然这一结构暂时缓解了背面钝化的问题，但并未根除，开孔处的高复合速率依然存在，而且使工艺进一步复杂。
2016-01-11 09:53:4911053 
本文介绍了在缓冲氧化物腐蚀(BOE)溶液中温度对氮化物和氧化物层腐蚀速率的影响。明确的框架结构和减少的蚀刻时间将提高制造过程的生产率，该方法从图案化氮化硅开始，以研究在BOE工艺之后形成的框架结构
2022-05-05 14:00:50907 
铜金属化过程中，氮化硅薄层通常作为金属层间电介质层（IMD）的密封层和刻蚀停止层。而厚的氮化硅则用于作为IC芯片的钝化保护电介质层（Passivation Dielectric, PD）。下图显示
2022-10-17 09:29:597618 仅从物理特性来看，氮化镓比碳化硅更适合做功率半导体的材料。研究人员还将碳化硅与氮化镓的“Baliga特性指标（与硅相比，硅是1）相比，4H-SiC是500，而氮化镓是900，效率非常高。
2023-02-10 11:29:221049 （干法刻蚀硅）17、 RIE SiO2 （干法刻蚀二氧化硅）18、 RIE Si3N4 （干法刻蚀氮化硅）19、 RIE Al、AlN、Ti、TiN （干法刻蚀金属，包括干法刻蚀铝、干法刻蚀氮化铝
2015-01-07 16:15:47
工艺，以制造出可预测性能特性和故障率的可复制氮化镓器件。相比之前的 MIMIC 和 MAFET 计划，WBST计划严重倾向于军事应用，不计成本地追求所需性能，但是，随着化合物半导体提供商不断完善其生产工艺
2017-08-15 17:47:34
基板的设备还能进一步缩小体积，4、具有极高的耐化学腐蚀性和良好的耐磨性能。5、斯利通氮化硅陶瓷基板还提供高端的定制化服务。终上所述，对于车用IGBT，氮化硅是再适合不过的。氮化硅陶瓷电路板可以适应高温
2021-01-27 11:30:38
还能进一步缩小体积，节约更多空间，为新能源汽车提供更多可能性。氮化硅还具有极高的耐化学腐蚀性和良好的耐磨性能，能在汽车内部恶劣的环境下，延长电子设备的使用周期。斯利通氮化硅陶瓷基板还提供高端的定制化服务
2021-01-21 11:45:54
习的凭依，是当下智能机器人发展必不可少的一环。科学发展离不开基础设施的支持，芯片和传感器想要稳定高效的工作也需要好的助力——斯利通氮化铝陶瓷基板（AlN）。陶瓷之所以被选中，得益于其本身优异的性能。对任何
2021-04-23 11:34:07
。常用的陶瓷基材料包括氧化铝、氮化铝、氧化锆、ZTA、氮化硅、碳化硅等。FR线路板是指以环氧玻璃纤维布作为主要材料的线路。那么，陶瓷线路板与普通PCB板材区别在哪？
一、陶瓷基板与pcb板的区别
1、材料
2023-06-06 14:41:30
和大尺寸芯片，并且氮化铝材质坚硬，能够在严酷环境条件下照旧工作，因此可以满足不同封装基片的应用。（3）Si3N4陶瓷基片氮化硅陶瓷基片具有较高的理论热导率、良好的化学稳定性能、无毒、较高的抗弯强度
2021-01-20 11:11:20
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
与MACOM的HMIC工艺制造。这种二极管是在外延晶片上用设计成可重复电特性和极低寄生的工艺制造的。该二极管完全钝化氮化硅，并有一个额外的聚酰亚胺层划痕保护。这些保护涂层防止在自动或手动处理过程中对接头的损坏
2018-11-16 11:53:06
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，又比碳化硅基氮化镓器件在成本上更具有优势，采用硅来做氮化镓衬底，与碳化硅基氮化镓相比，硅基氮化镓晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
主要优点。主要种类有：A: 96/99氧化铝陶瓷基片：应用范围最广，价格低廉。B:氮化铝陶瓷基片：导热系数高，无毒，可代替BeO陶瓷基片。C:氮化硅陶瓷基片：强度高，虽导热系数比不上氮化铝陶瓷，但可以
2016-09-21 13:51:43
等主要优点。主要种类有：A: 96/99氧化铝陶瓷基片：应用范围最广，价格低廉。B:氮化铝陶瓷基片：导热系数高，无毒，可代替BeO陶瓷基片。C:氮化硅陶瓷基片：强度高，虽导热系数比不上氮化铝陶瓷
2017-05-18 16:20:14
，都在告诉我们，创新无可限量！目前来说，关于陶瓷基板比较成熟的有氧化铝陶瓷电路板、氮化铝陶瓷电路板，很多公司可以做3535、5050、7070等，凡亿PCB可以接受客户定制，不管是什么规格都可以制作，但是一定要满足线间距大于20微米，更是采用全自动化的生产，无需过多的人力，也避免了很多流程上的失误。
2020-10-23 09:05:20
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
公司介绍：上海施迈尔精密陶瓷有限公司自1992 年成立至今已近20 年。公司本着可持续发展的原则致力于研发、设计、制造、销售以氧化锆、氧化铝、碳化硅、氮化硅、石英 为主要原料的产品。产品广泛应用
2012-03-26 11:02:31
、汽车电子、深海钻探等领域得到广泛应用。目前，常用电子封装陶瓷基片材料包括氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(S13N4)、氧化铍(BeO)碳化硅(SiC)等。陶瓷基板产品问世，开启散热
2021-04-19 11:28:29
（Bulk）衬底为基础制作了纵型氮化镓FET，并从芯片OFF性能的角度考察了成品率（如下图所示）。采用目前市面上已有的氮化镓基板制作的晶片，其产出率只有33%，而采用以上的工艺，其成品率可以提高到72
2023-02-23 15:46:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
SiC芯片面积。解决方案在于提高模块的热阻。 在基板功率模块中，将模块电绝缘到散热器的陶瓷基板占整体热阻的最大份额。如今，有许多具有不同机械和热性能的材料可供选择。表1概述了最常用的材料：氧化铝
2023-02-20 16:29:54
实现多层化且生产效率较高。电阻常用陶瓷基板氧化铝陶瓷基板：从现实情况来看，广泛使用的还是Al2O3基板，同时其加工技术与其他材料相比也是最先进的。按含氧化铝(Al2O3)的百分数不同可分为：75瓷
2019-04-25 14:32:38
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
绝缘性能好、散热性能好、热阻系数低、膨胀系数匹配、机械性能优、焊接性能佳的显著特点。使用氮化铝陶瓷基板作为芯片的承载体，可以将芯片与模块散热底板隔离开，基板中间的AlN陶瓷层可有效提高模块的绝缘能力
2017-09-12 16:21:52
是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。 该产品采用标准ED3封装，采用双面有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
`氮化铝陶瓷基板因其热导率高、绝缘性好、热膨胀系数低及高频性低损耗等优点广为人知，在LED照明、大功率半导体、智能手机、汽车及自动化等生活与工业领域得到大量应用。但氮化铝陶瓷散热基板制备厂商主要
2020-11-16 14:16:37
的要求也会越来越高。而高导热是永远避不开的话题，氮化铝在目前看来，是性价比最高的基板。氮化硅陶瓷目前应用于电力电子模块，优势：高机械强度，韧性和导热性氮化硅的成本高于氮化铝基板，导热系数在80以上。氮化硅
2021-04-25 14:11:12
) （7）光刻胶的去除 5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除 6 、离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱 7、 去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、 用热磷酸去除
2011-12-01 15:43:10
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
。超硬度的材料包括:金刚石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化钛等。3)高强度。在常温和高温下，碳化硅的机械强度都很高。25℃下，SiC的弹性模量，拉伸强度为1.75公斤/平方厘米，抗压强度为
2019-07-04 04:20:22
气体在加热基板上反应或分解使其生成物淀积到基板上形成薄膜。CVD技术可以分为常压、低压、等离子体增强等不同技术。采用CVD所能制作的膜有多晶硅、单晶硅、非晶硅等半导体薄膜，氧化硅、氮化硅等绝缘体介质
2018-11-05 15:42:42
、设计和评估高性能氮化镓功率芯片方面，起到了极大的贡献。
应用与技术营销副总裁张炬（Jason Zhang）在氮化镓领域工作了 20 多年，专门从事高频、高密度的电源设计。他创造了世界上最小的参考设计，被多家头部厂商采用并投入批量生产。
2023-06-15 15:28:08
低热量化学气相工艺制备氮化硅美国Aviza工艺公司开发出一种低温化学气相沉积工艺(LPCVD)，可在500℃左右进行氮化硅沉积。这个工艺使用一
2009-06-12 21:08:29729 针对目前氮化硅陶瓷球材料性能评价体系不完善，以及各个厂家生产的陶瓷球质量参差不齐的问题，对3个较著名厂家（记为A、B、C）的陶瓷球的密度、显气孔率、硬度、断裂韧性及压碎载荷等主要性能参数进行了研究
2018-03-20 15:53:13
1 1.1 碳化硅和氮化镓器件的介绍, 应用及优势
2018-08-17 02:33:006437 CMOS 工艺流程介绍
1.衬底选择：选择合适的衬底，或者外延片，本流程是带外延的衬底；
2. 开始：Pad oxide 氧化，如果直接淀积氮化硅，氮化硅对衬底应力过大，容易出问题；
2020-06-02 08:00:000 氮化镓+碳化硅PD 方案的批量与国产氮化镓和碳化硅SIC技术成熟密不可分，据悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案产品体积更小，散热更好，效率比超快恢复管提高2个百分点以上。
2021-04-01 09:23:261413 瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）基础科学学院的Tobias Kippenberg教授带领的科学家团队已经开发出一种采用氮化硅衬底制造光子集成电路的新技术，得到了创记录的低光学损耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:392334 近日，瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）教授Tobias Kippenberg团队开发出一种采用氮化硅衬底制造集成光子电路（光子芯片）技术，得到了创纪录的低光学损耗，且芯片尺寸小。相关研究在《自然—通讯》上发表。
2021-05-24 10:43:384490 料相比，氮化硅的导通电阻更低，电源开关损耗也更低，电能的转换效率也有所提升。在微波射频领域，由于氮化镓在电场下具有较高的电子速度，因此电流密度较高，加之氮化镓又具有耐高压的特性。因此，在微波射频领域中使用氮化镓对
2021-11-17 09:03:452804 在中红外波长下，演示了一种具有大纤芯-包层指数对比度的锗基平台——氮化硅锗波导。仿真验证了该结构的可行性。这种结构是通过首先将氮化硅沉积的硅上锗施主晶片键合到硅衬底晶片上，然后通过层转移方法获得氮化硅上锗结构来实现的，该结构可扩展到所有晶片尺寸。
2021-12-16 17:37:571073 
关键词:氮化硅，二氧化硅，磷酸，选择性蚀刻，密度泛函理论，焦磷酸 介绍 信息技术给我们的现代社会带来了巨大的转变。为了提高信息技术器件的存储密度，我们华林科纳使用浅沟槽隔离技术将半导体制造成无漏
2021-12-28 16:38:085460 
气相沉积装置中分别进行10min和6h。机械微缺陷样品的成核密度(Nd1010cm-2在10min后)、薄膜均匀性和粒径(6h后低于2um)的结果优越，表明化学蚀刻（冷热强酸、熔融碱或四氟化碳等离子体）对氮化硅上良好的CVD金刚石质量并不重要。 介绍 氮化硅基陶瓷被认为是金
2022-01-21 15:02:04652 
氮化铝(AlN)是一种六方纤锌矿结构的共价键化合物，晶格参数为a=3.114，c=4.986。纯氮化铝呈蓝白色，通常为灰色或灰白色，是典型的III-Ⅴ族宽禁带半导体材料。
2022-03-23 14:27:462292 本文提供了用于蚀刻膜的方法和设备。一个方面涉及一种在衬底上蚀刻氮化硅的方法，该方法包括:(a)将氟化气体引入等离子体发生器并点燃等离子体以a形成含氟蚀刻溶液；(b)从硅源向等离子体提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
评估各种清洗技术的典型方法是在晶片表面沉积氮化硅(Si，N4)颗粒，然后通过所需的清洗工艺处理晶片。国家半导体技术路线图规定了从硅片上去除颗粒百分比的标准挑战，该挑战基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 
氮化铝除了是新一代散热基板和电子器件封装的理想材料，还可用于热交换器、坩埚、保护管、浇注模具、半导体静电卡盘、压电陶瓷及薄膜、导热填料等。
2022-08-04 17:06:244670 硅局部氧化(LOCOS)的隔离效果比整面全区覆盖式氧化效果好。LOCOS工艺使用一层很 薄的二氧化硅层200-500A作为衬垫层以缓冲LPCVD氮化硅的强张力。经过氮化硅刻蚀、光 刻胶剥除和晶圆清洗后，没有被氮化硅覆盖的区域再生长出一层厚度为3000〜5000 A的氧化 层。
2022-08-12 11:18:057917 本文主要讲解氮化铝陶瓷基板的金属化如何通过化学镀铜方式。
2022-08-25 17:06:211364 
在半导体湿法蚀刻中， 热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺， 实践中发现温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。 从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发， 我们华林科纳分析了影响蚀刻率的各个因素， 并通过
2022-08-30 16:41:592998 
材料。而氮化硅陶瓷板在各方面比较均衡，也是综合性能最好的结构陶瓷材料。因此，Si3N4氮化硅在电力电子器件陶瓷基板制造领域具有很强的竞争力。 过去，电路基板是由分立元件或集成电路与分立元件组合而成的平面材料，以满足整
2022-10-07 10:22:001544 
。但是，作为绝缘体安装在陶瓷基板上的半导体元件是散热还是冷却，提高作为热传导介质的氮化硅陶瓷基板的热传导性是主要问题。
2022-10-13 16:29:58670 RTCVD过程可以用来沉积多晶硅、氮化硅和二氧化硅，例如在浅沟槽隔离工艺中使用CVD氧化硅填充沟槽。
2022-11-08 09:52:20616 如今高导热氮化硅陶瓷基板因其优异的机械性能和高导热性而成为下一代大功率电子器件不可缺少的元件，适用于复杂和极端环境中的应用。在这里，我们概述了制备高导热氮化硅陶瓷的最新进展。
2022-11-10 10:01:332010 2022年9月，威海圆环先进陶瓷股份有限公司生产的行业标准规格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高导热氮化硅陶瓷基板已经达到量产规模，高导热氮化硅陶瓷基板各项理化指标到了国际上行业领军的质量水平，突破了西方先进国家在高导热氮化硅陶瓷基板的技术保护和应用产品对我国“卡脖子”难题。
2022-11-11 16:36:574150 
针对越来越明显的大功率电子元器件的散热问题，主要综述了目前氮化硅陶瓷作为散热基板材料的研究进展。对影响氮化硅陶瓷热导率的因素、制备高热导率氮化硅陶瓷的方法、烧结助剂的选择、以及氮化硅陶瓷机械性能和介电性能等方面的最新研究进展作了详细论述
2022-12-06 09:42:40820 综合上述研究可发现，虽然烧结方式不一样，但都可以制备出性能优异的氮化硅陶瓷。在实现氮化硅陶瓷大规模生产时，需要考虑成本、操作难易程度和生产周期等因素，因此找到一种快速、简便、低成本的烧结工艺是关键。
2022-12-06 10:30:392408 等优点，广泛应用于电子器件封装。 由于具有优异的硬度、机械强度和散热性，氮化硅陶瓷和氮化铝陶瓷基板都可以制成用于电子封装的陶瓷基板，同时它们也具有不同的性能和优势。以下就是区别。 1、散热差异 氮化硅陶瓷基板的导热
2022-12-09 17:18:241219 
碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）被称为“宽带隙半导体”（WBG）。在带隙宽度中，硅为1.1eV，SiC为3.3eV，GaN为3.4eV，因此宽带隙半导体具有更高的击穿电压，在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:341220 、碳化硅和氧化物半导体材料，其中三族化合物半导体常见的有氮化镓和氮化铝；氧化物半导体材料主要有氧化锌、氧化镓和钙钛矿等。第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优点
2023-02-05 15:01:485078 硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 15:47:333197 
氮化铝陶瓷具有优异的电性能和热性能，被认为是最具有前途的高热导陶瓷基片材料。为了封装结构的密封，元器件搭载及输入、输出端子的连接等目的，氮化铝陶瓷基板表面及内部均需要金属化。
2023-02-07 10:01:061530 硅基氮化镓技术是一种新型的氮化镓外延片技术，它可以提高外延片的热稳定性和抗拉强度，从而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:011046 现今，氮化硅（SiN）为光子集成提供了更多的途径，包括新的200mm、高产量、汽车级CMOS生产线。在过去的几年里，SiN紧随确立已久的硅光子学之后，该材料平台已经成熟，并在光子集成电路（PIC）市场上，为那些需要非常低传播损耗、可见波长或高激光功率的应用提供了新的机会。
2023-02-15 16:37:09878 
它的是氮化铝陶瓷电路板。氮化铝陶瓷是以AlN氮化铝为主要晶相的陶瓷。其机械性能好，抗弯强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可常压烧结。氮化铝陶瓷具有优良的电性能（介电常数、介电损耗、体电阻率、介电强度
2023-02-16 14:44:57924 
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：用于紫外发光二极管的碳化硅上的氮化铝镓编号：JFKJ-21-1173作者：华林科纳 一直在使用碳化硅（碳化硅）衬底生长氮化铝(AlGaN)结构，针对278nm深紫
2023-02-21 09:21:581 国产氮化硅陶瓷基板升级SiC功率模块，提升新能源汽车加速度、续航里程、轻量化、充电速度、电池成本5项性能优势
2023-03-15 17:22:551018 
氮化硅材料的引入，为人们提供了一个解决方案。氮化硅不仅具有多项优异的光学特性，而且氮化硅片上集成光波导的加工也能完美兼容当下标准的CMOS硅芯片制造工艺。目前，世界上仅少数几个实验室实现了0.01 dB每厘米甚至更低的光传输损耗。
2023-03-22 09:49:29506 氮化硅研磨环由于研磨环存在内外气压差，可以在密闭的真空或者很浓密的场景中快速的上下运动，氮化硅磨介圈在大的球磨机里不仅起到研磨粉碎的作用，更重要的是众多的氮化硅磨介圈环会发生共振现象，氮化硅
2023-03-31 11:40:35597 
氮化硅基板是一种新型的材料，具有高功率密度、高转换效率、高温性能和高速度等特点。这使得氮化硅线路板有着广泛的应用前景和市场需求，正因为如此斯利通现正全力研发氮化硅作为基材的线路板。
2023-04-11 12:02:401364 
目前，常用电子封装陶瓷基片材料包括氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）、氧化铍（BeO）、碳化硅（SiC）等。那么，谁才是最有发展前途的封装材料呢？
2023-04-13 10:44:04801 近日，上海玻璃钢研究院有限公司的高级工程师赵中坚沿着该思路，以纯纤维状α-Si3N4粉为主要原料，通过添加一定比例氧化物烧结助剂，经冷等静压成型和气氛保护无压烧结工艺烧结制备出了能充分满足高性能导弹天线罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461279 新能源电动汽车爆发式增长的势头不可阻挡，氮化硅陶瓷基板升级SiC功率模块，对提升新能源汽车加速度、续航里程、充电速度、轻量化、电池成本等各项性能尤为重要。
2023-05-02 09:28:451170 
随着新能源汽车的快速发展。陶瓷基板，特别是氮化铝陶瓷基板作为绝缘导热材料得到了很大的应用。目前市场以170w/m.k的材料为主，价格很贵，堪称陶瓷界的皇冠。而120-130w/m.k的价格就要实惠很多。那他们的散热表现差别有多少？先说结论：差别很小，考虑装配应用等因素外，基本可以忽略。
2023-05-04 12:11:36301 
氮化铝为大功率半导体优选基板材料。氧化铍（BeO）、氧化铝（Al2O3）、 氮化铝（AlN）和氮化硅（Si3N4）4 种材料是已经投入生产应用的主要陶瓷基板 材料，其中氧化铝技术成熟度最高、综合性能好、性价比高，是功率器件最为常用 的陶瓷基板，市占率达 80%以上。
2023-05-31 15:58:35879 
氮化铝陶瓷基板的导热系数在170-230 W/mK之间，是氧化铝陶瓷和硅基陶瓷的2-3倍，是钛基板的10-20倍。这种高导热系数的优异性能是由于氮化铝陶瓷基板的结构和化学成分决定的。其晶粒尺寸、晶格
2023-06-19 17:02:27511 氮化铝陶瓷的特性大多数陶瓷是离子键或共价键极强的材料，具有较高的绝缘性能和优异的高频特性，同时线膨胀系数与电子元器件非常相近，化学性能非常稳定且热导率高，是电子封装中常用的基板材料。长期以来
2022-09-22 09:54:42967 
的要求，传统的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO等的缺点也日益突出，如较低的理论热导率和较差的力学性能等，严重阻碍了其发展。相比于传统陶瓷基板材料，氮化硅陶瓷由于
2022-12-05 10:57:121390 
随着新能源汽车的快速发展。陶瓷基板，特别是氮化铝陶瓷基板作为绝缘导热材料得到了很大的应用。目前市场以170w/m.k的材料为主，价格很贵，堪称陶瓷界的皇冠。而120-130w/m.k的价格就要实惠
2023-05-07 13:13:16408 
目前常用的高导热陶瓷粉体原料有氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化铍（BeO）等。随着国家大力发展绿色环保方向，由于氧化铍有毒性逐渐开始退出历史的舞台。
2023-06-27 15:03:56544 
氮化铝陶瓷（AlN）因其优越的热、电性能，已成为电力电子器件如绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块的理想基板材料。本文对其应用于IGBT模块的研究进行深入探讨。
2023-07-01 11:08:40581 
氮化硅陶瓷轴承球与钢质球相比具有突出的优点:密度低、耐高温、自润滑、耐腐蚀。疲劳寿命破坏方式与钢质球相同。陶瓷球作为高速旋转体产生离心应力，氮化硅的低密度降低了高速旋转体外圈上的离心应力。
2023-07-05 10:37:061561 
氮化硅是一种半导体材料。氮化硅具有优异的热稳定性、机械性能和化学稳定性，被广泛应用于高温、高功率和高频率电子器件中。它具有较宽的能隙（大约3.2电子伏特），并可通过掺杂来调节其导电性能，因此被视为一种重要的半导体材料。
2023-07-06 15:44:433823 陶瓷散热基板中的“陶瓷”，并非我们通常认知中的陶瓷，属于电子陶瓷材料，主要用于陶瓷封装壳体和陶瓷基板，主要成分包括氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化铍(BeO)等。与传统的陶瓷有个共性，主要化学成分都是硅、铝、氧三种元素。
2023-08-23 15:07:30638 
PECVD作为太阳能电池生产中的一种工艺，对其性能的提升起着关键的作用。PECVD可以将氮化硅薄膜沉积在太阳能电池片的表面，从而有效提高太阳能电池的光电转换率。但为了清晰客观的检测沉积后太阳能电池
2023-09-27 08:35:491776 
氮化硅（Si3N4） 基板在各项性能方面表现最佳，可以提供最佳的可靠性和高功率密度，例如在高级电动汽车驱动逆变器中的应用。
2023-10-23 12:27:13408 
这是纳米碳化硅模块烧结工艺，使用铜键合技术，高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热电阻现有工程相比改善了10%以上，工作温度可达175igbt模块相比损失大幅减少40%以上，车辆行驶距离5 - 8%提高了。
2023-11-02 11:19:18342 据麦姆斯咨询报道，经过两年、十余次的设计和工艺迭代，国科光芯（海宁）科技股份有限公司（简称：国科光芯）在国内首个8英寸低损耗氮化硅硅光量产平台，实现了传输损耗-0.1 dB/cm（1550 nm波长
2023-11-17 09:04:54656 、结构、制备方法、特性以及应用方面存在着一些差异。以下将详细介绍碳化硅和氮化镓的区别。 1. 物理性质 碳化硅是由碳和硅元素组成的化合物，具有多种晶体结构，包括六方晶系、三方晶系和立方晶系。它具有较高的熔点、硬度、热导率和
2023-12-08 11:28:51742 京瓷株式会社（以下简称京瓷）成功研发用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下简称SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234 
在芯片制造中，有一种材料扮演着至关重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:09511 
晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层：氮化镓衬底上生长一层氮化镓，形成二维电子气层。GaN材料的禁带宽度大，由于
2024-01-09 18:06:41667 氮化镓芯片是一种新型的半导体材料，由于其优良的电学性能，广泛应用于高频电子器件和光电器件中。在氮化镓芯片的生产工艺中，主要包括以下几个方面：材料准备、芯片制备、工厂测试和封装等。 首先，氮化镓芯片
2024-01-10 10:09:41506
电子发烧友App
工商网监
评论