0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

高导热率氮化硅散热基板材料的研究进展

jf_tyXxp1YG 来源:知网 热管理材料 作者:知网 热管理材料 2022-12-06 09:42 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

摘要:针对越来越明显的大功率电子元器件的散热问题,主要综述了目前氮化硅陶瓷作为散热基板材料的研究进展。对影响氮化硅陶瓷热导率的因素、制备高热导率氮化硅陶瓷的方法、烧结助剂的选择、以及氮化硅陶瓷机械性能和介电性能等方面的最新研究进展作了详细论述,最后总结了高热导率氮化硅作为散热基板材料的发展趋势。

b7b6ec4e-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b7db8658-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b7fcda88-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b8168c80-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b8483dd4-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b8649a60-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b8931ce6-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b8bbc4c0-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b8e2942e-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b9051f76-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b92c6ebe-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b96384bc-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b9848d24-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b9aa7994-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b9c606fa-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b9ea1522-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

b9ff77be-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

ba258a3a-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

ba454f28-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

ba704ed0-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

ba8756fc-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

bae56dbe-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

bafe4bc2-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

bb2e8fc6-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

bb493aec-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.png

参考文献:

DOI:10.13957/j.cnki.tcxb.2018.01.002

AMB(Active Metal Brazing)

bb73a0e8-7506-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

陶瓷与金属AMB

审核编辑 :李倩


声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 散热基板
    +关注

    关注

    0

    文章

    20

    浏览量

    6060
  • 介电性能
    +关注

    关注

    0

    文章

    4

    浏览量

    1765
  • 氮化硅
    +关注

    关注

    0

    文章

    111

    浏览量

    729

原文标题:高导热率氮化硅散热基板材料的研究进展

文章出处:【微信号:中科聚智,微信公众号:中科聚智】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    《氧化铝、碳化硅氮化硅,谁才是工业陶瓷老大?》

    电子散热领域潜力巨大,在半导体设备和新能源领域风头正劲。但它也有软肋:其电绝缘性不如氧化铝,尤其在高温下会呈现半导体特性,因此在精密电子绝缘领域很难撼动氧化铝的地位。 氮化硅:潜力无限的“骠骑
    发表于 04-29 07:23

    氮化硅陶瓷散热片解决方案

    就来深入探讨一种能够同时满足高强度、导热、高可靠性的先进材料解决方案——氮化硅陶瓷电子封装散热片。 一、直面严苛工况:量化
    的头像 发表于 04-22 10:55 145次阅读
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷<b class='flag-5'>散热</b>片解决方案

    技术突围与市场破局:碳化硅焚烧炉内胆的氮化硅陶瓷升级路径

    废物、高热值工业危废焚烧领域,工况温度常需维持在1200℃以上,且烟气腐蚀性强。采用氮化硅结合碳化硅的复合内胆,其服役寿命较传统铝或普通碳化硅
    发表于 03-20 11:23

    氮化硅陶瓷微波谐振腔基座:透波性能引领工业创新

    透波性能氮化硅陶瓷微波谐振腔陶瓷基座是现代高频电子设备和微波系统中的关键组件,其性能直接影响到微波信号的传输效率和系统稳定性。这种基座材料氮化硅陶瓷为核心,凭借优异的物理化学特性,
    的头像 发表于 01-23 12:31 442次阅读
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷微波谐振腔基座:<b class='flag-5'>高</b>透波性能引领工业创新

    氮化硅导电复合陶瓷:研磨抛光性能与应用深度解析

    进展,推动了行业技术升级。本文将务实分析该材料的物理化学性能,对比其他工业陶瓷的优缺点,并介绍其生产制造过程及适合的工业应用。   氮化硅陶瓷 首先,分析氮化硅导电复合陶瓷的物理化学性
    的头像 发表于 01-20 07:49 414次阅读
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>导电复合陶瓷:研磨抛光性能与应用深度解析

    氮化硅陶瓷封装基板:抗蠕变性能保障半导体长效可靠

    随着半导体技术向功率、集成度和高频方向演进,封装基板的可靠性与性能成为关键。氮化硅陶瓷以其卓越的抗蠕变特性脱颖而出,能够长时间保持形状和强度,抵抗缓慢塑性变形,从而确保半导体器件在
    的头像 发表于 01-17 08:31 1352次阅读
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷封装<b class='flag-5'>基板</b>:抗蠕变性能保障半导体长效可靠

    氮化硅陶瓷封装基片

    氮化硅陶瓷基片:高频电磁场封装的关键材料 氮化硅陶瓷基片在高频电子封装领域扮演着至关重要的角色。其独特的电阻与低介电损耗特性,有效解决了
    的头像 发表于 08-05 07:24 1588次阅读
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷封装基片

    热压烧结氮化硅陶瓷逆变器散热基板

    )等还原性气氛环境。氮化硅(Si3N4)陶瓷凭借其卓越的综合性能,特别是优异的耐还原性气体能力,成为此类严苛工况下的理想基板材料。   氮化硅陶瓷基板 一、
    的头像 发表于 08-03 11:37 1850次阅读
    热压烧结<b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷逆变器<b class='flag-5'>散热</b><b class='flag-5'>基板</b>

    氮化硅陶瓷基板:新能源汽车电力电子的散热革新

    在新能源汽车快速发展的今天,电力电子系统的性能提升已成为行业竞争的关键。作为核心散热材料的 陶瓷基板 ,其技术演进直接影响着整车的能效和可靠性。在众多陶瓷材料中,
    的头像 发表于 08-02 18:31 4694次阅读

    氮化硅陶瓷逆变器散热基板:性能、对比与制造

    氮化硅(Si₃N₄)陶瓷以其卓越的综合性能,成为现代大功率电子器件(如IGBT/SiC模块)散热基板的理想候选材料
    的头像 发表于 07-25 17:59 2334次阅读
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷逆变器<b class='flag-5'>散热</b><b class='flag-5'>基板</b>:性能、对比与制造

    氮化硅大功率电子器件封装陶瓷基板

    氮化硅陶瓷导热基片凭借其优异的综合性能,在电子行业,尤其是在功率密度、高可靠性要求领域,正扮演着越来越重要的角色。
    的头像 发表于 07-25 17:58 1605次阅读

    氮化硅陶瓷射频功率器件载体:性能、对比与制造

    氮化硅陶瓷凭借其独特的物理化学性能组合,已成为现代射频功率器件载体的关键材料。其优异的导热性、绝缘性、机械强度及热稳定性,为功率、高频率电子设备提供了可靠的解决方案。
    的头像 发表于 07-12 10:17 1.5w次阅读
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷射频功率器件载体:性能、对比与制造

    从氧化铝到氮化铝:陶瓷基板材料的变革与挑战

    在当今电子技术飞速发展的时代,陶瓷基板材料作为电子元器件的关键支撑材料,扮演着至关重要的角色。目前,常见的陶瓷基板材料主要包括氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、碳
    的头像 发表于 07-10 17:53 1949次阅读
    从氧化铝到<b class='flag-5'>氮化</b>铝:陶瓷<b class='flag-5'>基板材料</b>的变革与挑战

    氮化硅AMB陶瓷覆铜基板界面空洞的关键技术与工艺探索

    在现代电子封装领域,氮化硅(Si?N?) AMB陶瓷覆铜 基板凭借其卓越的热导率、低热膨胀系数以及优异的电气绝缘性能,逐渐成为高端电子设备的关键材料。然而,铜/陶瓷界面的空洞问题却成
    的头像 发表于 07-05 18:04 2550次阅读

    化硅薄膜和氮化硅薄膜工艺详解

    化硅薄膜和氮化硅薄膜是两种在CMOS工艺中广泛使用的介电层薄膜。
    的头像 发表于 06-24 09:15 2677次阅读
    氧<b class='flag-5'>化硅</b>薄膜和<b class='flag-5'>氮化硅</b>薄膜工艺详解