本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系，目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因，无论是与表面结构相关，缺陷相关，由于表面存在的氧化层，还是由于有机残差。
2022-03-16 13:08:09
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摘要 等离子体蚀刻工艺，特别适用于在具有非氧化物成分的特征上选择性蚀刻氧化物，例如氮化硅，尤其是当该特征具有在氧化物蚀刻期间易于刻面的角部时。主要的含氟气体，优选六氟丁二烯 (C4F6)，与显着更大
2022-02-24 13:42:29327 
磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高温下已被使用多年来蚀刻对二氧化硅(二氧化硅)层有选择性的氮化硅(Si3N4)。生产需要完全去除Si3N4，同时保持二氧化硅损失最小。批量晶片清洗的挑战是如何保持Si3N4对二氧化硅的高蚀刻选择性，以获得更长的槽寿命。
2022-02-15 11:25:59455 
大约100°CTo然后可以致密该碳化硅层以去除氢含量。此外，碳化硅层可以暴露于氮源以提供活性氮-氢基团，然后可以使用其它方法堡续沉积薄膜。等离子体处理条件可用于调节薄膜的碳、氢或氮含量。
2022-02-15 11:11:14397 
本文讨论了稀氢氟酸清洗过程中颗粒沉积在硅片表面的机理。使用原子力显微镜的直接表面力测量表明，硅表面上的颗粒再沉积是由于颗粒和晶片表面之间的主要相互作用。表面活性剂的加入可以通过改变颗粒和晶片之间
2022-02-11 14:44:2771 
或者在大约100°CTo然后可以致密该碳化硅层以去除氢含量。此外，碳化硅层可以暴露于氮源以提供活性氮-氢基团，然后可以使用其它方法堡续沉积薄膜。等离子体处理条件可用于调节薄膜的碳、氢或氮含量。文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
2022-02-07 10:36:03348 
摘要 纳米晶金刚石(NCD)可以保留单晶金刚石的优越杨晶模量(1100GPa)，以及在低温下生长的能力(450C)，这推动了NCD薄膜生长和应用的复兴。然而，由于晶体的竞争生长，所产生的薄膜的粗糙度
2022-01-25 13:18:391172 
摘要 厚度约为1毫米的大面积均匀多晶金刚石薄膜在4英寸的衬底上生长并形成图案。 氧化硅晶片使用集成电路兼容工艺的微系统应用。通过在4英寸上旋转金刚石粉末装载水，实现了密度为2X 1010 /cm2
2022-01-21 16:36:27145 
摘要 金刚石具有优良的物理和电子性能，因此使用金刚石的各种应用正在开发中。此外，通过蚀刻技术控制金刚石几何形状对于这类应用至关重要。然而，用于蚀刻其他材料的传统湿法工艺对金刚石无效。此外，目前用于
2022-01-21 13:21:54120 
摘要 丁二烯、氢和氩的三元混合物在平行板等离子体反应器中沉积了类金刚石碳膜。这些薄膜的蚀刻量为02，cf4/02等离子体放电。推导出了沉积气体混合物的组成与根据蚀刻和沉积速率定义的无量纲数(EN
2022-01-07 16:19:11103 
金刚石提供了优越的光学和机械材料性能，使其成为实现集成光机械电路的主要候选材料。由于金刚石衬底尺寸成熟，高效的纳米结构方法可以实现全面的集成器件。在此，我们回顾了由多晶和单晶金刚石制造的光学和力学
2022-01-07 16:00:03181 
从晶圆到芯片，有哪些工艺流程？晶圆制造工艺流程步骤如下： 1.表面清洗 2.初次氧化 3.CVD 4.涂敷光刻胶 5.用干法氧化法将氮化硅去除 6.去除光刻胶 7.用热磷酸去除氮化硅层 8.退火处理
2021-12-30 11:11:164260 电流的极端规模集成。在这个过程中，固相氮化硅(Si3N4)层在部分二氧化硅(SiO2)沉积中起到掩模的作用。通过这种沉积，形成了由数百个交替堆叠的Si3N4和二氧化硅原子层组成的垂直堆叠结构.Si3N4掩模必须在程序结束时去除，通常通过热化学蚀
2021-12-28 14:10:10296 
第三代半导体指以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）和金刚石为代表的化合物半导体，该类半导体材料禁带宽度大于或等于2.2eV，因此也被称为宽禁带（WBG）半导体材料。
2021-12-23 15:11:38856 在中红外波长下，演示了一种具有大纤芯-包层指数对比度的锗基平台——氮化硅锗波导。仿真验证了该结构的可行性。这种结构是通过首先将氮化硅沉积的硅上锗施主晶片键合到硅衬底晶片上，然后通过层转移方法获得氮化硅上锗结构来实现的，该结构可扩展到所有晶片尺寸。
2021-12-16 13:55:39194 
氮化镓和碳化硅一样，不断地挑战着硅基材料的物理极限，多用于电力电子、微波射频领域，在电力电子的应用中，氮化镓的禁带宽度是硅基材料的3倍，同时反向击穿电压是硅基材料的10倍，与同等电压等级的硅基材
2021-11-17 09:06:531146 电子发烧友网报道（文、李诚）氮化镓和碳化硅一样，不断地挑战着硅基材料的物理极限，多用于电力电子、微波射频领域，在电力电子的应用中，氮化镓的禁带宽度是硅基材料的3倍，同时反向击穿电压是硅基材料的10倍
2021-11-16 09:39:053959 
前言切割刀片是由人造金刚石颗粒和结合剂组成，在划片设备空气主轴高速旋转下，针对某些材料进行切断、开槽等加工，具有精度高、稳定性好、效率高等特点。人造金刚石颗粒带有单独磨削能力，是起主要切削作用的磨料
2021-11-13 01:34:4026 
业界主流的薄膜沉积工艺主要有原子层沉积（ALD）、物理式真空镀膜（PVD）和化学式真空镀膜（CVD）等，其中ALD属于CVD的一种，属于当下最先进的薄膜沉积技术。
2021-09-03 11:25:47616 
了控制挑战。金刚石凭借其独特的性质，或能解决其中的部分挑战。 Element Six（元素六，E6）公司首席技术专家Daniel Twitchen称，该公司开发的化学气相沉积（CVD）金刚石生长工艺，为金刚石在量子领域的应用铺平了道路。 E6是戴比尔
2021-06-28 17:08:021957 研究飞行器表面沉积静电分布规律对于评估其在飞行过程中的静电安全性具有重要意义。结合某型实体飞机开展l:1仿真建模与计算。通过仿真计算，得到了飞杋在飞行状态下的电容，对比分析了模型结构、沉积电荷量对
2021-05-29 17:08:06
11 近日，瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）教授Tobias Kippenberg团队开发出一种采用氮化硅衬底制造集成光子电路（光子芯片）技术，得到了创纪录的低光学损耗，且芯片尺寸小。相关研究在《自然—通讯》上发表。
2021-05-24 10:47:391896 据报道，光子集成电路（PIC）通常采用硅衬底，大自然中有丰富的硅原料，硅的光学性能也很好。但是，基于硅材料的光子集成电路无法实现所需的各项功能，因此出现了新的材料平台。氮化硅（Si3N4）就是其中
2021-05-07 16:06:501229 
瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）基础科学学院的Tobias Kippenberg教授带领的科学家团队已经开发出一种采用氮化硅衬底制造光子集成电路的新技术，得到了创记录的低光学损耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:29:281187 研究飞行器表面沉积静电分布规律对于评估其在飞行过程中的静电安全性具有重要意义。结合某型实体飞机开展l仿真建模与计算。通过仿真计算，得到了飞机在飞行状态下的电容，对比分析了模型结构、沉积电荷量对飞机
2021-04-15 11:45:1813 氮化镓+碳化硅PD 方案的批量与国产氮化镓和碳化硅SIC技术成熟密不可分，据悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案产品体积更小，散热更好，效率比超快恢复管提高2个百分点以上。
2021-04-01 09:23:26950 金刚石芯片关键技术获得突破：从根本上改变金刚石的能带结构,金刚石,芯片,碳化硅,半导体,纳米
2021-01-25 11:14:333136 21 世纪初，以金刚石、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为主的第三代半导体材料进入大众的视野，其中金刚石更是凭借其特有的性质成为备受关注的芯片材料，甚至被业界评为“终极半导体材料”。 据IT之家
2021-02-05 09:41:111786 来自哈尔滨工业大学的韩杰才院士团队，与香港城市大学、麻省理工学院等单位合作，在金刚石单晶领域取得重大科研突破。该项研究成果现已通过 “微纳金刚石单晶的超大均匀拉伸弹性”为题在线发表于国际著名
2021-01-11 10:25:101878 此外，他们还通过相对较大的样本展示了金刚石微桥阵列如何实现同步的深弹性应变。而超大的、高度可控的弹性应变，则能从根本上改变金刚石的能带结构，最终计算出带隙在某特定取向上最多可减小约 2 eV（电子伏特），上述发现将对金刚石的电子应用产生重大影响。
2021-01-06 14:08:371268 金刚石是一种著名的坚硬材料，但现在香港城市大学的科学家们已经设法将其拉伸到前所未有的程度。拉伸纳米级的样品改变了它们的电子和光学特性，这可能会打开一个新的金刚石设备世界。虽然金刚石是自然界中天然存在
2021-01-04 17:47:381377 金刚石是一种著名的坚硬材料，但现在香港城市大学的科学家们已经设法将其拉伸到前所未有的程度。拉伸纳米级的样品改变了它们的电子和光学特性，这可能会打开一个新的金刚石设备世界。虽然金刚石是自然界中天然存在
2021-01-04 15:40:591234 清洗不当造成的表面缺陷的形成机理，并通过合理的实验设计和分析，给出了具体的解决方案。 热磷酸湿法刻蚀已经在半导体制造工艺中应用了几十年了。由于热磷酸对氮化硅和氮氧化硅刻蚀具有良好的均匀性和较高的选择比，一直到
2020-12-22 10:21:071107 
做也是在安全范围内，没有加压。 Q2：Die表面钝化层的具体作用有哪些？及不同种类芯片的钝化层工艺是否存在差异？ Answer：钝化层一般是氮化硅，有些用氮氧化硅，有些在氮化硅上面再
2020-12-29 11:38:541482 嫦娥五号返回地球时，进入大气层后高速摩擦将使探测器表面温度高达3000℃以上，而这样的温度下几乎连金刚石都会熔化，那么——嫦娥五号任务是我国探月工程“绕、落、回”三步走的收官之战，如果把整个任务比作一场接力跑，那么嫦娥五号返回地球就是最后的一棒。
2020-12-18 11:45:12945 C/C++ 程序中的源代码中包含以 # 开头的各种编译指令，这些指令称为预处理指令。预处理指令不属于 C/C++ 语言的语法，但在一定意义上可以说预处理扩展了 C/C++。
2020-11-29 10:17:35985 1987年预测了一种叫做光子带隙晶体（photonic bandgap crystal，PBC）的材料，可以像微电路处理电子信号一样处理光子［1］。从那之后，研究人员微细加工出了一维和二维版本的PBC［2］，并找到了若干应用场景。虽然可以通过直接微细加工制造出一些小型的PBC［3］
2020-11-17 16:29:531609 日本大阪大学研究生院工学研究科博士生片桐健登和副教授尾崎典雅，与爱媛大学地球深部动力学研究中心的入舩彻男教授等人组成的研究小组，明确了纳米多晶状态金刚石高速变形时的强度。研究小组将最大尺寸数十纳米的微晶烧结在一起，形成了“纳米多晶”状态的金刚石，然后向其施加超高压力，以调查其强度。
2020-11-12 10:43:58851 近年来，随着半导体市场的飞速发展，第三代半导体材料也成为人们关注的重点。第三代半导体材料指的是碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）等新兴材料。而这
2020-11-09 17:26:521807 50 多年来，采用高压高温技术（HPHT） 制造的合成金刚石广泛应用于研磨应用，充分发挥了金刚石极高硬度和极强耐磨性的特性。在过去20年中，基于化学气相沉积（CVD） 的新金刚石生成方法已投入商业化
2020-07-07 10:40:251 在高精度车床上用精细修研的金刚石车刀高速精车有色金属件,可使加工精度达到IT7—IT5,表面粗糙度为Rα0.04—0.01μm，这种车削称为"镜面车削"。
2020-11-04 11:45:141026 可收集40％电荷，比仅具有15％电荷收集效率的商用纳米金刚石电池有了显着改进。 NDB的创新之处在于创造了一种专有的纳米金刚石处理新方法，可以有效地从制造电池所用的金刚石中提取电荷。 据悉，NDB的纳米金刚石电池最长使用寿命可达2.8万
2020-10-26 16:31:241874 金刚石线核心技术并大规模投入生产的企业和国内领先的金刚石线制造商。 主营业务： 岱勒新材产品目前已广泛应用于太阳能、LED、半导体、精密光学仪器、国防军工等行业，产销量和市场占有率均居国内行业前列，并且已出口至俄罗斯、韩国、日本、台湾
2020-10-26 15:41:342217 
材料优异的热稳定性是通过改变晶界能来实现的。在应力作用下，合金会产生自己的类金刚石碳，可以起到润滑剂的作用。
2020-09-26 03:29:251266 2020年8月下旬，第三代半导体将写入十四五规划引起市场广泛关注，而金刚石则是第三代半导体的主要原料。豫金刚石主要产品为人造金刚石单晶（普通单晶）和大单晶金刚石，具有人造金刚石合成工艺、设备、原辅
2020-10-23 17:07:153301 8月24日，国际学术期刊《自然·物理》在线刊发了电子科技大学夏娟研究员、王曾晖教授与合作者的研究成果《二硒化钨-二硒化钼双层异质结的层间强耦合及高压调控研究》。他们借助能产生百万大气压强的金刚石对顶砧（DAC）装置，针对仅有蝉翼千分之一厚度的二维异质结材料开展了极高压研究。
2020-09-15 10:39:321273 
”，用于形成铜线层（铜互连），化学气相沉积（CVD），其中混合特殊气体以引起化学反应，形成包含所需材料的蒸汽，然后形成分子在反应中产生的沉积在晶片表面上以形成膜，并进行热氧化，其中加热晶片以在晶片表面上形成氧化硅膜。
2020-08-31 15:23:016870 日前，据外媒报道，总部位于美国普莱森顿的新能源初创公司NDB宣布完成了对其纳米金刚石电池的两项概念验证测试，而且实现了一个重要的里程碑。
2020-08-31 11:44:281972 该团队最终的掺杂纤维制造过程是一个分为两个阶段的操作。首先将玻璃挤压成甘蔗形状，在其外部涂上金刚石颗粒。然后，将涂覆的甘蔗形状玻璃插入一个单独的中空玻璃管中，并将双组件下拉到掺杂金刚石的光纤中。
2020-08-24 11:22:44484 
对电、磁等基本物理量高分辨率高灵敏度的探测在物理、材料、生命科学等领域均有重要应用。金刚石中的NV色心以其室温大气环境下优越的相干性质而成为高灵敏的磁量子传感器。NV色心作为量子传感器，最终实用化的目标是将其应用于金刚石体外信号表征，但是金刚石近表面磁噪声环境复杂，NV色心易受到磁信号干扰。
2020-07-08 16:16:26857 磨制金属及合金试样要谨慎选择金相砂纸和金刚石磨盘我们从这里说起。 研究金属及合金内部组织的重要方法之一是金相检验，金相检验的基础工作就是制备无划痕、无变形损伤的高品质金相试样表面，这样才能确保在金相
2019-12-02 11:11:431473 金刚石微粉是颗粒度细于36/54微米的金刚石颗粒，经过粉碎、整形处理，可制作成超硬材料等，并广泛应用于芯片、光学晶体、超精细加工、大型硅片超精抛光、表面改性等领域，俗称“工业牙齿”。
2020-06-23 14:50:201759 CMOS 工艺流程介绍
1.衬底选择：选择合适的衬底，或者外延片，本流程是带外延的衬底；
2. 开始：Pad oxide 氧化，如果直接淀积氮化硅，氮化硅对衬底应力过大，容易出问题；
2020-06-01 21:06:1812 尽管石墨烯只有一个原子厚，却以其令人难以置信的强度而闻名。那么如何使其变得更强大？当然，一种方法是将其变成钻石。韩国的研究人员现在已经开发出一种新方法，可以将石墨烯转化为最薄的金刚石薄膜，而无需使用高压。
2020-03-27 17:29:322113 据日本东京理科大学官网近日报道，该校科学家发现，在水基电池中采用导电纳米金刚石作为电极材料，可显著提升电池的能量存储能力。
2019-12-12 15:53:242069 近日，中国科学技术大学杜江峰院士团队利用金刚石中的电子自旋与核自旋作为两量子比特体系，首次实现了室温固态自旋可编程量子处理器。
2019-12-02 14:58:11380 SiC（碳化硅）由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途。此外，SiC（碳化硅）的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级），具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。
2019-05-15 10:40:183796 碳化硅、氮化镓、氧化镓和金刚石等宽禁带半导体材料（又称“第三代半导体”），被视为世界各国竞相发展的战略性、先导性领域，2017年以来亦成为国内重点发展方向之一，各地政府相继布局。
2019-01-04 10:44:133900 立大学Dr. Jianbo LIANG分享了《通过表面激活键在室温下直接结合金刚石和硅》主题报告。报告中表示，利用表面活化键合(SAB)制备了室温下的金刚石/Si键合界面，并利用透射电镜(TEM)研究
2020-10-03 03:21:02158 尽管在今年的I ／ O大会上谷歌并未公布太多与Daydream平台相关的技术，但据其招聘信息显示，谷歌正在加大对镜片的研发力度，正在聘请“金刚石车削技术人员”来协助为AR／VR设备快速制作“新颖的”光学原型。
2018-09-10 15:57:021015 金刚石刀具磨损的常见形式为机械磨损和破损。机械磨损——机械摩擦、非常微小；破损——本身裂纹、冲击和振动。刀具磨损直接影响到加工质量（具体视加工材料而定）。金刚石刀具只能安装在机床主轴转动非常平稳的高精度机床上使用（不能有振动）。
2018-08-30 14:30:474540 由于AL-31和太行已是定型产品，采用新型的主轴设计方案代价太大，能否在不改变轴承材料与结构设计的基础上,通过表面工程技术提高轴承使用寿命是一个有效的技术途径。由于金刚石是所有天然物质中最硬的材料
2018-08-23 11:34:5313710 1.1 碳化硅和氮化镓器件的介绍, 应用及优势
2018-08-01 18:26:405055 通道或外延将其从原始的Si衬底中剥离下来，而后通过一个35 nm的SiN界面层结合在CVD合成的金刚石衬底上。
2018-07-26 17:53:2512789 聚晶金刚石在要求耐磨性高、尺寸精度高并保持接触良好的场合取得了很好的效果。用聚晶金刚石取代天然金刚石制作半自动砂轮架的球式支座，寿命为2500h，效果远远好于传统材料。聚晶金刚石修整笔可以用来修整几乎所有的砂轮，包括立方氮化硼砂轮。
2018-02-25 12:47:047587 对于激光焊接的金刚石锯片而言，需要进行外观、显微组织和焊接强度等参量的检测。外观检测主要检测是否存在焊接宏观缺陷如孔洞裂纹、咬边和未焊透等，通常需要进行100％的检测，显观组织检测主要检测焊接部位
2018-07-05 18:06:02330 50 多年来，采用高压高温技术（HPHT） 制造的合成金刚石广泛应用于研磨应用，充分发挥了金刚石极高硬度和极强耐磨性的特性。在过去20年中，基于化学气相沉积（CVD） 的新金刚石生成方法已投入商业化应用，这样就使得以较低成本生成单晶和多晶金刚石。
2018-02-15 14:00:216404 金刚石压机压力控制系统性能的好坏决定了金刚石的合成品质，该液压系统是一个精度要求高、易受干扰、响应滞后的复杂机电液耦合系统，很难建立一个全程精确的系统模型。提出一种加入补偿因压力损失导致顶锤位移产生
2018-03-30 14:27:510 针对目前氮化硅陶瓷球材料性能评价体系不完善，以及各个厂家生产的陶瓷球质量参差不齐的问题，对3个较著名厂家（记为A、B、C）的陶瓷球的密度、显气孔率、硬度、断裂韧性及压碎载荷等主要性能参数进行了研究
2018-03-20 16:09:030 半导体所张金英副研究员与国防科技大学的研究团队在硅衬底上生长了金刚石膜和氮化铝薄膜，成功制备了一种嵌入式电极结构的声表面波器件。研究发现，该器件可高效激发出高达17.7 GHz的Sezawa模式的声
2018-01-18 17:53:364033 
50多年来，采用高压高温技术（HPHT） 制造的合成金刚石广泛应用于研磨应用，充分发挥了金刚石极高硬度和极强耐磨性的特性。在过去20年中，基于化学气相沉积（CVD） 的新金刚石生成方法已投入商业化
2017-11-18 11:05:580 人造金刚石是一种重要的工业原材料，几乎涉及国计民生的各个领域。我国目前是金刚石生产和出口大国，产量约占世界产量的2/3。但是，国产金刚石工业产值却只占世界工业产值的1/3，这主要是由于质量不高所造成
2017-10-26 11:40:520 人造金刚石是一种重要的工业原材料，几乎涉及国计民生的各个领域。我国目前是金刚石生产和出口大国，产量约占世界产量的2/3。但是，国产金刚石工业产值却只占世界工业产值的1/3，这主要是由于质量不高所造成
2017-10-26 11:42:450 本文综述了金属锂二次电池中提高锂负极性能的研究进展。分别介绍了以下改性方法对金属锂表面进行预处理，使其表面预先形成性能良好的固体电解质界面膜，或直接在其表面制备保护膜;在电解液中加入添加剂对锂电
2017-10-11 11:27:387 宽禁带半导体（WBS）是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料，禁带宽度大于2eV，这类材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化镓、）AlN（氮化铝）、ZnSe（硒化锌）以及金刚石等。
2016-12-05 09:27:353810 
晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的 PERC/PERL设计。虽然这一结构暂时缓解了背面钝化的问题，但并未根除，开孔处的高复合速率依然存在，而且使工艺进一步复杂。
2016-01-11 10:04:567147 
罗杰斯公司于近日推出了新款 curamik®系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的机械强度比其它陶瓷高，所以新款curamik® 基板能够帮助设计者在严苛的工作环境以及 HEV/EV 和其它可再生
2012-08-07 11:36:032945 在太阳电池表面形成一层减反射薄膜是提高太阳电池的光电转换效率比较可行且降低成本的方法。应用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)系统，采用SiH4和NH3气源以制备氮化硅薄膜。研究探
2011-07-25 11:39:373800 
PECVD原理
PECVD作用：在硅片表面镀上一层深蓝色的氮化硅膜，可以充分吸收太阳光，降低反射，并且氮化硅膜有钝化的作用，保护电池
2010-07-18 11:29:186417 六面顶压机的对控制装置的要求
六面顶压机为人造金刚石合成的关键性设备，它具有多规范、自动化程度较高的特点，过去采用继电器-接触
2010-06-23 09:50:21576 介绍了一种在Q235钢表面，利用等离子反应溅射直接复合渗镀合成氮化钛的工艺方法。该渗镀层是由钢铁材料基体上均匀分布细小氮化钛颗粒的渗层和表面氮化钛沉积层组成。沉积层
2009-12-10 14:13:568 在将一个C源程序转换为可执行程序的过程中, 编译预处理是最初的步骤. 这一步骤是由预处理器(preprocessor)来完成的. 在源流程序被编译器处理之前, 预处理器首先对源程序中的"宏(m
2009-09-20 18:17:4647 本文研究了金刚石压机测控系统的主要结构，讨论了温度、压力的检测和控制方法，进行了系统的软硬件设计。关键词：金刚石压机， 嵌入式技术， 温度， 压力。目前我国人
2009-08-29 11:46:4418 介绍了一种新型金刚石高温压力传感器的优化设计方法。采用薄板弯曲理论研究了均匀载荷作用下多晶金刚石方膜在小挠度和大挠度下的应变分布情况。对设计时应当考虑的主要问
2009-07-09 13:42:4611 PLC在金刚石液压合成机中的设计应用
随着国内外基建行业技术水平的迅猛发展，市场对金刚石粉末锯片、砂轮、磨料等人造金刚石制品
2009-06-19 12:56:51510 
低热量化学气相工艺制备氮化硅美国Aviza工艺公司开发出一种低温化学气相沉积工艺(LPCVD)，可在500℃左右进行氮化硅沉积。这个工艺使用一
2009-06-12 21:08:29423 针对金刚石生产的复杂工艺流程特点和目前生产过程中存在的问题，设计了一套以
ARM7TDMI (S3C44B0X) 处理器作为主控芯片的人造金刚石六面顶压机控制系统。系统在软、 硬件方
2009-06-03 09:20:0720 以金刚石合成机控制系统改造为例，提出了一种基于IPC 与PLC 相结合的DCS 控制系统。在系统设计中，采用了上位机与下位机独立运行、以串行通信方式进行信息传递方法，并且引入
2009-05-25 10:07:1816 摘要：应用等离子体浸没离子注入与沉积方法合成了磷掺杂的类金刚石（diamond like carbon，DLC）薄膜。结构分析表明磷以微米级岛状结构分散于DLC薄膜表层，P 的掺杂增加了DLC 薄膜
2009-05-16 01:56:2428 摘要：应用X射线衍射仪的薄膜附件对热丝化学气相沉积金刚石厚膜的成核面和生长面进行分析，结果表明，金刚石厚膜的晶格常数从生长面到形核面沿深度方向是逐渐变小的。化
2009-05-16 01:54:4925 摘 要：用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si（100）基底上沉积了纳米氮化硼薄膜，然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理，分别
2009-05-16 01:54:1620 采用EA-CVD(Electron Assisted Chemical Vapor Deposition)方法制备金刚石厚膜，在反应气体（CH4+H2）中添加乙醇，在保持其它条件不变的情况下研究了不同乙醇流量对金刚石膜生长的影响。利
2009-05-16 01:53:3720 采用过滤真空阴极直流弧源（Filtered Cathodic Vicuum Arc Deposition, FCVA）方法沉积超硬（>6000HV）超厚(微米级)的DLC/DLC多层薄膜。通过显微硬度、内应力测量、XPS等方法表明，该薄膜显
2009-05-16 01:53:0664 由于金刚石与Si有较大的晶格失配度和表面能差，利用化学气相沉积（CVD）制备金刚石膜时，金刚石在镜面光滑的Si表面上成核率非常低。而负衬底偏压能够提高金刚石在镜面光滑
2009-05-16 01:51:3522 采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD)制备掺氮金刚石薄膜，研究了不同氮气流量对金刚石膜的生长速率、表面形貌和膜品质的影响。实验发现，在较低的氮气流量下，金刚石膜的生
2009-05-16 01:48:4920 用RF磁控溅射的方法在Si（100）基底上沉积了纳米氮化硼薄膜，然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理，用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜
2009-04-26 22:23:3726 采用电弧离子镀膜方法，以高纯石墨为碳离子源在PMMA树脂义齿表面沉积类金刚石膜。应用xps谱和Raman谱对膜层的结构进行了理论分析，对镀膜样品进行了抗磨性能实验、病理实验
2009-04-26 22:20:5428 利用苏州新达高新技术应用研究所研制的SD-01 型金刚石磨轮电火花外圆磨床对不同金刚石粒度浓度的磨轮进行不同加工条件下的电火花磨削试验研究对粒度120/140 的试样磨削效率在25m
2009-03-18 16:18:0935 结合声表面波的基本理论和递归刚度矩阵法，通过将瑞利波从声表面波中分离，推导出基于ZNO/金刚石/Si结构的有效介电常数数学模型。根据所建立的数学模型，采用Matlab编制出相
2008-12-18 16:36:4618 通过多串口通信技术在金刚石合成控制系统中的应用，讨论了32位Windows操作系统下，VC多串口通信技术的设计与实现方法，并运用面向对象方法和多线程技术设计了一个比较完善的串口通信类。
2006-03-11 13:22:10582 
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