电子发烧友网报道（文/刘静）7月12日，北京通美晶体技术股份有限公司（以下简称：北京通美）科创板IPO成功过会。北京通美作为磷化铟衬底行业的巨头之一，其2020年磷化铟衬底产品市场占有率位居全球第二
2022-07-15 08:10:00
5153 本内容主要介绍了硅衬底LED芯片主要制造工艺，介绍了什么是led衬底，led衬底材料等方面的制作工艺知识
2011-11-03 17:45:134626 
氮化镓由于其宽的直接带隙、高热和化学稳定性，已成为短波长发射器（发光二极管和二极管激光器）和探测器等许多光电应用的诱人半导体，以及高功率和高温电子器件。对于实现先进的氮化镓器件，如激光二极管或高功率灯，对低线程位错密度(<106cm-2)的高质量氮化镓衬底有很强的需求。
2022-02-08 15:26:132894 
阻，从而能量损耗更低，功率转换效率更高。相关统计数据显示，氧化镓的损耗理论上是硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化镓的1/3。另外，氧化镓具有良好的化学和热稳定性，成本低，制备方法简便、便于批量生产
2023-03-15 11:09:59
高效能、高电压的射频基础设施。几年后，即2008年，氮化镓金属氧化物半导场效晶体（MOSFET）（在硅衬底上形成）得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。
2023-06-15 15:50:54
充电器6、AUKEY傲基27W氮化镓充电器7、AUKEY傲基61W氮化镓充电器8、AUKEY傲基65W氮化镓充电器9、AUKEY傲基100W氮化镓充电器10、amc 65W氮化镓充电器11、Aohai奥海
2020-03-18 22:34:23
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
技术迭代。2018 年，氮化镓技术走出实验室，正式运用到充电器领域，让大功率充电器迅速小型化，体积仅有传统硅（Si）功率器件充电器一半大小，氮化镓快充带来了充电器行业变革。但作为新技术，当时氮化镓
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近，氮化镓凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出，成为大多数射频应用中可替代砷化镓和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
首先报道了基于氮化镓双异质结构、波长为402.5 nm的受激辐射。1996年日本日亚公司中村修二领导研制出世界上第一支GaN基紫光激光器。从此，波长为405 nm的氮化镓紫光激光器的发展和应用推动
2020-11-27 16:32:53
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关？氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计？
2021-06-17 10:56:45
。
与硅芯片相比：
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而，虽然 GaN 似乎是一个更好的选择，但它
2023-08-21 17:06:18
硅-硅直接键合技术主要应用于SOI、MEMS和大功率器件，按照结构又可以分为两大类：一类是键合衬底材料，包括用于高频、抗辐射和VSIL的SOI衬底和用于大功率高压器件的类外延的疏水键合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
内的波长标准偏差标准为1.3nm，波长范围为4nm微米。硅衬底氮化镓基LED外延片的翘曲度很小，2英寸硅衬底LED大多数在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅衬底大功率LED量产硅4545
2014-01-24 16:08:55
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未来可以做到10英寸、12英寸，整个晶圆的长度可以拉长至2米
2017-08-29 11:21:41
【作者】：李杨超;张铭;赵学平;董国波;严辉;【来源】：《纳米科技》2010年01期【摘要】：采用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的CuCrO2薄膜,通过X射线衍射、扫描电镜、紫外吸收光谱及电学性能
2010-04-24 09:00:59
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
半导体是在单晶硅（或锗）中参入微量的三价元素，如：硼、铟、镓或铝等；N型半导体是在单晶硅（或锗）中参入微量的五价元素，如：磷、锑、砷等。P型半导体与N型半导体，在材料成本方面应该差别不是很大，但要把它
2012-05-22 09:38:48
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
氧化铝晶体导报 工艺情报交流记者李博民高工2011-10-20 长LED蓝宝石的5N 氧化铝 ，铁必须小于5pp， 硅小于5pp， 锆小于1pp ，钛小于1pp，铜小于1ppm，镍小于1pp，钇
2011-12-20 10:03:56
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术，瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
硬件和软件套件有助加快并简化固态射频系统开发经优化后可供烹饪、照明、工业加热/烘干、医疗/制药和汽车点火系统的商业制造商使用系统设计人员能够以LDMOS的价格充分利用硅基氮化镓性能的优势在IMS现场
2017-08-03 10:11:14
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，又比碳化硅基氮化镓器件在成本上更具有优势，采用硅来做氮化镓衬底，与碳化硅基氮化镓相比，硅基氮化镓晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
。尽管以前氮化镓与LDMOS相比价格过高，但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化镓技术(MACOM GaN)使得二者成本结构趋于相当。基于氮化镓的MAGb功率晶体管在2.6GHz频段可提供高于70
2017-08-30 10:51:37
是硅基氮化镓技术。2017 电子设计创新大会展台现场演示在2017年的电子设计创新大会上，MACOM上海无线产品中心设计经理刘鑫表示，硅衬底有一些优势，材料便宜，散热系数好。且MACOM在高性能射频领域
2017-07-18 16:38:20
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
认为，毕竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN，无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色！帅呆了！至少现在看是这样，让我们回顾下不同衬底风格的GaN之间有什么区别？
2019-07-31 07:54:41
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
TI始终引领着提倡开发和实施全面性方法，确保在严苛操作环境下，GaN设备也能够可靠地运行和具有出色的使用寿命。为此，我们用传统的硅方法制作GaN的硅基，从而利用硅的内在特性。
2019-07-31 06:19:34
运行时的电性能和效率要比传统的硅材料高得多。对于已被实际使用的碳化硅半导体和氮化镓半导体来说，其耐受电压（高于标称电压，用于保持可靠性的基础电压）的需求是不同的。例如，碳化硅耐电压大于或等于1000
2023-02-23 15:46:22
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器，逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低寄生电感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
几十倍、甚至上百倍的数量增加，因此成本的控制非常关键，而硅基氮化镓在成本上具有巨大的优势，随着硅基氮化镓技术的成熟，它能以最大的性价比优势取得市场的突破。[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
TG传输门电路中。当C端接+5，C非端接0时。源极和衬底没有连在一起，为什么当输入信号改变时，其导通程度怎么还会改变？导电程度不是由栅极和衬底间的电场决定的吗？而栅极和衬底间的电压不变。所以其导通程度应该与输入信号变化无关啊！而书上说起导通程度岁输入信号的改变而改变？为什么?求详细解释！谢谢！
2012-03-29 22:51:18
)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm
2010-04-22 11:32:16
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23:23
我经常感到奇怪，我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度；毕竟，大潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力，我们就能
2022-11-16 06:43:23
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
如题，寻求一种Si衬底上N+离子注入的有效单项监控手段
2021-04-01 23:50:33
三五价技术。氮化镓可用于制造场效应管（FET）。平面氮化镓场效应管和硅基的MOSFET类似，通过栅极控制电流从源极流向漏极。不过制造工艺上氮化镓和CMOS不同。氮化镓的衬底是在高温下利用金属有机气相沉积
2016-08-30 16:39:28
OPPO公司分享了这一应用的优势，一颗氮化镓可以代替两颗硅MOS，体积更小、更节省空间，且阻抗比单颗硅MOS更低，可降低在此路径上的热量消耗，降低充电温升，提升充电的恒流持续时间。不仅如此，氮化镓有
2023-02-21 16:13:41
SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路
2012-01-12 10:47:00
有如此多的误解的原因之一，是现有硅技术的供应商使用吓人策略和发出错误信息，例如关于氮化镓技术的可靠性问题、各式各样的设计挑战、高昂的价格和不可靠的供应链等，从而劝阻潜在的氮化镓用户。
但这些攻击并没有
2023-06-25 14:17:47
硅衬底和砷化镓衬底金金键合后，晶圆粉碎是什么原因，偶发性异常，找不出规律，有大佬清楚吗，求助！
2023-03-01 14:54:11
LED衬底目前主要是蓝宝石、碳化硅、硅衬底三种。大多数都采用蓝宝石衬底技术。碳化硅是科锐的专利，只有科锐一家使用，成本等核心数据不得而知。硅衬底成本低，但目前技术还不完善。 从LED成本上来看，用
2012-03-15 10:20:43
`供应蓝宝石衬底！深圳永创达科技有限公司 联系电话***齐先生 网址www.yochda.com适用于外延片生产商与PSS加工`
2012-03-10 10:44:06
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
请教，衬底的缺陷密度对结深有什么影响
2019-04-26 07:50:15
哪怕不接麦克风， 在录音状态下，低频噪声依旧。衬底是否良好接地，拿不准。难道这是出低频噪声的原因吗？
2019-03-01 05:47:28
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
的独特性意味着，几乎所有这些材料都不能用作半导体。不过，透明导电氧化物氧化镓（Ga2O3）是一个特例。这种晶体的带隙近5电子伏特，如果说氮化镓（3.4eV）与它的差距为1英里，那么硅（1.1eV）与它的差距
2023-02-27 15:46:36
适合5G应用的高频衬底材料
2021-01-25 06:49:51
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
论述了一种测试混合信号集成电路衬底噪声波形的方法采用电压比较器利用衬底电压对比
较器状态的影响对噪声作出统计测试根据测试结果重建噪声波形设计了一
2010-08-29 16:08:46
14 LED衬底材料有哪些种类
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要
2011-01-05 09:10:254039 芯片是五面发光的，通常需要将将芯片置于支架内，反光杯的开口面积远大于芯片发光面积，导致单位面积光通量低，芯片表面颜色均匀性非常差，芯片正上方偏蓝，而外圈偏黄。 基于氮化镓的蓝/白光LED的芯片结构强烈依赖于所用的衬底材料。目前大部分厂商采用蓝宝石作为衬底材料
2016-11-05 08:19:156265 基于电压比较器衬底噪声的测试方法
2017-01-22 13:38:085 当代LED大部分是由一个组合的氮化铟镓（InGaN）和蓝宝石衬底。建筑作品，使得LED制造商提供150 lm/W，然而过量的参展功效产品，建筑也有一些缺点，鼓励芯片制造商寻求其他选择。
2017-06-01 10:49:394 氮化镓单晶材料生长难度非常大，苏州纳维的2英寸氮化镓名列第一。真正的实现了“中国造”的氮化镓衬底晶片。氮化物半导体的产业发展非常快，同样也是氮化物半导体产业发展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:017651 LED衬底材料是半导体照明产业的基础材料，其决定了半导体照明技术的发展路线。目前，能作为LED衬底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最广泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:033716 据报道，武汉大学的研究团队近期公布了采用PSSA（patterned sapphire with silica array）衬底来降低氮化镓接合边界失配问题的方法，提出PSSA衬底可提高铟氮化镓、氮化镓（InGaN/GaN）倒装芯片可见光LED的效率。
2020-12-09 17:00:23793 1月24日，苏州纳维科技有限公司（以下简称“纳维科技”）总部大楼奠基仪式在苏州纳米城举行。 项目占地面积超14000平方米，总建筑面积超34000平方米，将建设成为国际前三的氮化镓（GaN）单晶衬底
2021-01-28 09:19:342253 本文提供了用于蚀刻膜的方法和设备。一个方面涉及一种在衬底上蚀刻氮化硅的方法，该方法包括:(a)将氟化气体引入等离子体发生器并点燃等离子体以a形成含氟蚀刻溶液；(b)从硅源向等离子体提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
Micro LED被誉为新时代显示技术，但目前仍面临关键技术、良率、和成本的挑战。 微米级的Micro LED已经脱离了常规LED工艺，迈入类IC制程。相对其它竞争方案，大尺寸硅衬底氮化镓（GaN
2022-08-17 12:25:421137 制造大直径GaN衬底的要点（钠熔剂法） 丰田合成表示，6英寸功率半导体氮化镓衬底的研发得益于早期LED氮化镓衬底技术的积累。
2022-11-18 12:33:261758 GaN半导体产业链各环节为：衬底→GaN材料外延→器件设计→器件制造。其中，衬底是整个产业链的基础。 作为衬底，GaN自然是最适合用来作为GaN外延膜生长的衬底材料。
2023-08-10 10:53:31664 
氮化镓衬底是一种用于制造氮化镓（GaN）基础半导体器件的基板材料。GaN是一种III-V族化合物半导体材料，具有优异的电子特性和高频特性，适用于高功率、高频率和高温应用。
使用氮化镓衬底可以在上面
2023-08-22 15:17:312379 SOI是Silicon-On-Insulator的缩写。直译为在绝缘层上的硅。实际的结构是，硅片上有一层超薄的绝缘层，如SiO2。在绝缘层上又有一层薄薄的硅层，这种结构将有源硅层与衬底的硅层分开。而在传统的硅制程中，芯片直接在硅衬底上形成，没有使用绝缘体层。
2023-10-10 18:14:031123 
SiC衬底，产业瓶颈亟待突破
2023-01-13 09:06:233 当前，大尺寸衬底成为碳化硅衬底制备技术的重要发展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
碲锌镉（CZT）单晶材料作为碲镉汞（MCT）红外焦平面探测器的首选衬底材料，其表面质量的优劣将直接影响碲镉汞薄膜材料的晶体质量以及成品率，故生产出外延级别的碲锌镉衬底表面是极其重要的。
2024-01-02 13:51:18158 
晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层：氮化镓衬底上生长一层氮化镓，形成二维电子气层。GaN材料的禁带宽度大，由于
2024-01-09 18:06:41667 电子科技领域中，半导体衬底作为基础材料，承载着整个电路的运行。随着技术的不断发展，对半导体衬底材料的选择和应用要求也越来越高。本文将为您详细介绍半导体衬底材料的选择、分类以及衬底与外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54515 衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。
2024-03-08 11:07:41161 
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