了光刻剂。但重大挑战仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半导体制造业中使用微气泡。因此，我们需要通过明确了解微气泡去除光刻抗蚀剂层的功能机制，来提高微气泡的去除能力。本研究的目的是阐明微气泡对光刻胶层表面的影响。
2022-01-10 11:37:13
1396 
半导体的清洗在制造工序中也是非常重要的。特别是光刻胶的去除是最困难的，一般使用硫酸和过氧化氢混合的溶液(SPM)等。但是，这些废液的处理是极其困难的，与环境污染有很大的关系，因此希望引进环保的清洗技术。因此，作为环保的清洗技术之一，以蒸馏水、臭氧为基础，利用微气泡的清洗法受到关注。
2022-04-19 11:22:57918 
在未来几代器件中，光刻胶(PR)和残留物的去除变得非常关键。在前端制程(FEOL)离子注入后(源极/漏极、扩展、haIos、深阱)，使用PR封闭部分电路导致PR实质上硬化且难以去除。在后段制程
2022-07-04 17:04:087175 
光刻胶为何要谋求国产替代？中国国产光刻胶企业的市场发展机会和挑战如何？光刻胶企业发展要具备哪些核心竞争力？在南京半导体大会期间，徐州博康公司董事长傅志伟和研发总监潘新刚给我们带来前沿观点和独家分析。
2022-08-29 15:02:235918 
在上一篇文章，我们介绍了光刻工艺，即利用光罩(掩膜)把设计好的电路图形绘制在涂覆了光刻胶的晶圆表面上。下一步，将在晶圆上进行刻蚀工艺，以去除不必要的材料，只保留所需的图形。
2023-06-28 10:04:58843 
光刻工艺就是把芯片制作所需要的线路与功能做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用
2023-12-04 09:17:241335 
电子发烧友原创 章鹰 近日，全球半导体市场规模增长带动了上游半导体材料旺盛需求，“光刻胶”的突破也成为国内关注焦点。正当日本光刻胶企业JSR、东京应化和美国Lam Research在EUV光刻胶
2022-08-31 07:45:002718 。正性光刻胶在半导体制造中使用得最多，因其可以达到更高的分辨率，从而让它成为光刻阶段更好的选择。现在世界上有不少公司生产用于半导体制造的光刻胶。 光刻光刻在芯片制造过程中至关重要，因为它决定了芯片上的晶体管
2022-04-08 15:12:41
一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17:47
的厚膜图形；它还具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性；在受到紫外辐射后发生交联，是一种化学扩大负性胶，可以形成台阶等结构复杂的图形；在电镀时可以直接作为绝缘体使用。 SU-8光刻胶的优点：1
2018-07-12 11:57:08
]。光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体上，经曝光显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用超净高纯试剂进行蚀刻，从而完成了将掩膜版图形转移到底层上的图形转移过程。一个IC的制造一般需要经过10多次图形转移
2018-08-23 11:56:31
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显影后被
2019-11-07 09:00:18
这是我的版图一部分，然后生成了图案是这样的： 感觉间距小的地方全都有残留，间距大的地方没有残留；工艺参数：s9920光刻胶， evg 620‘未进行蒸汽底漆层涂覆，前烘：100摄氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分别采用了什么芯片？ 3协同通信的方式有哪些？ 4大数据及认知无线电（名词解释） 4半导体工艺的4个主要步骤： 4简叙半导体光刻技术基本原理 4给出4个全球著名的半导体设备制造商并指出其生产的设备核心技术： 5卫
2021-07-26 08:31:09
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41:23
半导体材料市场构成：在半导体材料市场构成方面，大硅片占比最大，占比为32.9%。其次为气体，占比为14.1%，光掩膜排名第三，占比 为12.6%，其后：分别为抛光液和抛光垫、光刻胶配套试剂、光刻胶、湿化学品、建设靶材，比分别为7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
大家有没有用过半导体制冷的，我现在选了一种制冷片，72W的，我要对一个2.5W的热负载空间（100x100x100mm）降温，用了两片，在环温60度时热负载所处的空间只降到30度，我采用的时泡沫胶
2012-08-15 20:07:10
半导体制冷的机理主要是电荷载体在不同的材料中处于不同的能量级，在外电场的作用下，电荷载体从高能级的材料向低能级的材料运动时，便会释放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半导体制冷片是利用半导体材料的Peltier效应而制作的电子元件，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术，其特点是无运动部件，可靠性也比较高。半导体制冷片的工作原理是什么？半导体制冷片有哪些优缺点？
2021-02-24 09:24:02
的制造方法，其实归根究底，就是在矽半导体上制造电子元器件，电子元器件包括很多品种：整流桥，二极管，电容等各种IC类，更复杂的还有整流模块等等。ASEMI半导体的每一个电子元器件的完成都是由精密复杂
2018-11-08 11:10:34
在制造半导体器件时，为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体，使之导电性极差，然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成N型半导体或P型半导体改善其导电性？
2012-07-11 20:23:15
们的投入中，80%的开支会用于先进产能扩增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先进封装及特殊制程。而先进工艺中所用到的EUV极紫外光刻机，一台设备的单价就可以达到1.2亿美元，可见半导体
2020-02-27 10:42:16
半导体制造技术经典教程（英文版）
2014-03-06 16:19:35
。假如海外半导体代工厂不给中国大陆设计公司代工，那么中国的半导体产业将会受到很严重影响。半导体制造发展历史20世纪50年代——晶体管技术自从1947年贝尔实验室的第一个晶体管发明以来，20世纪50年代
2020-09-02 18:02:47
噪声、空气噪声和微振动也是特殊的污染物。还有一点值得注意的就是：半导体工厂内会有大量的酸性气体（这些气体来自于晶圆的蚀刻、清洗等过程），其次由于半导体制造的过程中会需要大量使用光阻液、显影液等等，这些
2020-09-24 15:17:16
AL-CU互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法侧壁孔洞缺陷是当前Ａｌ?Ｃｕ 金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电迁移，从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺
2009-10-06 09:50:58
，购买或者开发EUV光刻机是否必要？中国应如何切实推进半导体设备产业的发展？EUV面向7nm和5nm节点所谓极紫外光刻，是一种应用于现代集成电路制造的光刻技术，它采用波长为10～14纳米的极紫外光作为
2017-11-14 16:24:44
半导体制造领域的标志：NR9-PY 系列负性光刻胶，适用于lift-off工艺；具有高效粘附性，高反应速度并耐高温性能好。 NR71-PY 系列 负性光刻胶，适用于lift-off工艺，耐高温性能好
2010-04-21 10:57:46
`浮胶是显影或腐蚀过程中常出现的一种不良现像，也是影响较为严重的一种光刻弊病。显影时产生的浮胶 在显影时，玻璃表面的胶膜皱起呈桔皮状或胶膜大片剥离。产生这一现像，说明胶膜与玻璃表面ITO层粘附不好
2018-11-22 16:04:49
SU 8光刻胶系列产品简介：新型的化学增幅型负像 SU- 8 胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶，克服了普通光刻胶采用 UV光刻导致的深宽比不足的问题，十分适合于制备高深宽比微结构。SU- 8
2018-07-04 14:42:34
厂的应用。 2 SPC技术概述 早期的半导体制造企业为保证产品质量，基本上以工艺检测和产品检验为主要手段进行产品的质量监控，很明显这是一种事后检测的方法，随着各类使用半导体元器件的电子产品的质量需求的提高
2018-08-29 10:28:14
、晶圆、光刻、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装上市等基本步骤。硅熔炼成硅锭：通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，学名电子级硅(EGS)，平均每一百万
2017-05-04 21:25:46
`《半导体制造工艺》学习笔记`
2012-08-20 19:40:32
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http
2021-07-06 09:39:22
，但显然值得更多的关注用于商业利用和实施。本文综述了臭氧化去离子水（DI-O3 水）在硅片表面制备中的应用，包括去除有机杂质、金属污染物和颗粒以及光刻胶剥离。 介绍自半导体技术起源以来，清洁衬底表面在
2021-07-06 09:36:27
工艺步骤：光刻：通过在晶片表面涂上均匀的薄薄一层粘性液体（光刻胶）来定义图案的过程。光刻胶通过烘烤硬化，然后通过光穿过包含掩模信息的掩模版进行投射而选择性地去除。蚀刻：从晶片表面选择性地去除不需要的材料
2021-07-08 13:13:06
三种常见的光刻技术方法根据暴光方法的不同,可以划分为接触式光刻,接近式光刻和投影式光刻三种光刻技术。 ◆投影式暴光是利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的暴光方法.在这种暴光方法中,由于掩膜
2012-01-12 10:56:23
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
我想用单片机开发板做个热疗仪，开发板是某宝上买的那种，有两个猜想：一个用半导体制冷片发热，一个用电热片。但我不会中间要不要接个DA转换器还是继电器什么的，查过一些资料，如果用半导体制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
喷胶机是现代光电子产业中光刻胶涂布的重要设备。可对不同尺寸和形状的基片进行涂胶，最大涂胶尺寸达8寸，得到厚度均匀的光刻胶层，同时可对大深宽比结构的侧壁进行均匀涂胶；通过计算机系统控制器进行工艺参数的编辑和操作。
2020-03-23 09:00:57
想用半导体制冷片制作小冰箱，需要用到大功率电源，半导体制冷片，还有散热系统，单片机控制系统，能调温度，还能显示温度，具体的思路已经有了，想问问你们有没好点的意见，能尽量提高点效率还有温度调节的精度
2020-08-27 08:07:58
本文介绍了一种去除传输线的方法。
2021-05-21 07:10:45
{:1:}想了解半导体制造相关知识
2012-02-12 11:15:05
形成电路，而“湿法”刻蚀（使用化学浴）主要用于清洁晶圆。 干法刻蚀是半导体制造中最常用的工艺之一。 开始刻蚀前，晶圆上会涂上一层光刻胶或硬掩膜（通常是氧化物或氮化物），然后在光刻时将电路图形曝光在晶圆
2017-10-09 19:41:52
) （7）光刻胶的去除 5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除 6 、离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱 7、 去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、 用热磷酸去除
2011-12-01 15:43:10
表面，将经过光照分解的光刻胶层除去，保留未曝光部分的光刻胶层，用化学方法使受UV 光照射部分的光刻胶溶于显影液中，显影后的玻璃要经过一定的温度的坚膜处理。（如图：） G． 坚膜：将玻璃再经过一次高温处理
2016-06-30 09:03:48
腐蚀(一般称刻蚀)—进行的化学物质是气体。 1 湿法腐蚀，采用溶液进行的腐蚀是一种各向同性腐蚀。因而，光刻胶掩模下面的薄膜材料，在模方向上也随着时间的增长而受到腐蚀，因此，出现与掩模图形不一致的现象
2019-08-16 11:11:34
。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。 清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。 而100多亿个晶体管就是通过这样的方式雕刻
2020-07-07 11:36:10
半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中
2016-11-27 22:34:51
151n光刻胶曝光显影后开口底部都会有一撮残留，找不到原因。各位帮分析下
2023-04-20 13:13:52
、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片、等产品进行在线颗粒监测和分析。产品优势：离线优势：PMT-2离线光刻胶微粒子计数器外接离线取样装置，可实现实验室、工厂
2022-12-14 10:44:24
PMT-2在线光刻胶液体粒子计数器，采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器，双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统，可以对清洗剂、半导体、超纯水
2023-01-03 15:54:49
GK-1000光刻掩膜版测温仪，光刻机曝光光学系统测温仪光刻机是一种用于微纳米加工的设备，主要用于制造集成电路、光电子器件、MEMS（微机电系统）等微细结构。光刻机是一种光学投影技术，通过将光线通过
2023-07-07 11:46:07
急需突破的领域，但它也是技术门槛最高的，国内最大的半导体制造公司中芯国际的营收只有第一大晶圆代工公司台积电的1/20，与英特尔相比更是只有1/20，但是这些芯片制造公司都离不开一个设备——光刻机，它是整个半导体制造行业的明珠。
2018-07-22 10:32:3710947 在国家政策与市场的双重驱动下，近年来，国内企业逐步向面板、半导体光刻胶发力……
2019-04-23 16:15:3612831 
在国际半导体领域，我国虽已成为半导体生产大国，但整个半导体产业链仍比较落后。特别是由于国内光刻胶厂布局较晚，半导体光刻胶技术相较于海外先进技术差距较大，国产化不足5%。在这种条件下，国内半导体厂商积极开展研究，如晶瑞股份的KrF光刻胶，南大光电的ArF光刻胶均取得较好的研究效果。
2020-03-06 15:40:564165 光刻胶按应用领域分类，大致分为LCD光刻胶、PCB光刻胶（感光油墨）与半导体光刻胶等。按照下游应用来看，目前LCD光刻胶占比26．6%，刻胶占比24．5%，半导体光刻胶占比24．1%，PCB光其他类光刻胶占比24．8%。
2020-06-12 17:13:395379 光刻胶是由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成份组成的、对光敏感的混合液体。利用光化学反应，经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质，其中曝光是通过紫外光
2022-12-06 14:53:541238 首先，我们都知道要制作一颗芯片可以简单分为三个步骤：IC芯片设计芯片制造封装测试。从最早诞生于电路设计师的脑袋中，到将大脑中的线路图像设计出来，最后送到半导体车间经由光刻机反复光刻，中间经过
2020-11-14 09:36:575407 
近期，专注于电子材料市场研究的TECHCET发布最新统计和预测数据：2021年，半导体制造所需的光刻胶市场规模将同比增长11％，达到19亿美元。
2021-03-22 10:51:125081 按照应用领域分类，光刻胶主要包括印制电路板（PCB）光刻胶专用化学品（光引发剂和树脂）、液晶显示器（LCD）光刻胶光引发剂、半导体光刻胶光引发剂和其他用途光刻胶四大类。本文主要讨论半导体光刻胶。
2021-05-17 14:15:524011 
。 信越化学之所以停止供货部分晶圆厂KrF光刻胶，与2月份日本福岛东部海域发生7.3级地震有莫大关联。地震导致信越化学KrF光刻胶产线受到很大程度的破坏，至今尚未完全恢复生产。 光刻胶是半导体制造中的关键产品，重要性毋庸置疑，现在这么多半导
2021-06-25 16:12:28784 5月27日，半导体光刻胶概念股开盘即走强，截至收盘，A股光刻胶板块涨幅达6.48%。其中晶瑞股份、广信材料直线拉升大涨20%封涨停，容大感光大涨13.28%，扬帆新材大涨11.37%，南大光电
2021-05-28 10:34:152623 在半导体制造方面，国内厂商需要突破的不只是光刻机等核心设备，光刻胶也是重要的一环。而南大光电研发的高端ArF光刻机，已经获得了国内某企业的认证，可用于55nm工艺制造。 南大光电发布公告称，控股
2021-06-26 16:32:372200 德国达姆施塔特, 2021年7月 28日 –- 全球领先的科技公司默克日前宣布推出新一代环保精密清洗溶剂产品 -- AZ® 910 去除剂。该系列产品用于半导体芯片制造图形化工艺中清除光刻胶
2021-07-28 14:23:102646 
摘要 我们华林科纳提出了一种新型的双层光阻剂方法来减少负光阻剂浮渣。选择正光刻胶作为底层抗蚀剂，选择负光刻胶作为顶层抗蚀胶。研究了底层抗蚀剂的粘度和厚度对浮渣平均数量的影响。实验表明，低粘度正光刻胶
2022-01-26 11:43:22687 
臭氧水中微气泡的存在显著提高了光刻胶的去除率，这是由于溶解臭氧浓度的升高和微气泡对自由基产生的直接影响。此外，臭氧微气泡溶液能够有效地去除高剂量离子植入的光刻胶，由于其非定形碳状层或“地壳”，它非常
2022-01-27 15:55:14448 臭氧水中微气泡的存在显著提高了光刻胶的去除率，这是由于溶解臭氧浓度的升高和微气泡对自由基产生的直接影响。此外，臭氧微气泡溶液能够有效地去除高剂量离子植入的光刻胶，由于其非定形碳状层或“地壳”，它非常
2022-02-11 15:24:33419 
了晶圆厂占地面积，并降低了资本投资和运营成本。 在 CMOS 制造中，离子注入用于修改硅衬底以满足各种带隙工程需求。通常，图案化光刻胶 (PR) 用于定义离子注入位置。离子注入后，图案化的光刻胶必须完全去除，表面必须为下一轮的图
2022-03-01 14:39:431350 
平版印刷术被定义为“一种从已经准备好的平坦表面(如光滑的石头或金属板)印刷的方法，以便油墨仅粘附在将要印刷的设计上”。在半导体器件制造中，石头是硅片，而墨水是沉积、光刻和蚀刻工艺的综合效果，从而产生
2022-03-14 15:20:531935 
半导体的清洗在制造工序中也是非常重要的。特别是光刻胶的去除是最困难的，一般使用硫酸和过氧化氢混合的溶液(SPM)等。但是，这些废液的处理是极其困难的，与环境污染有很大的关系，因此希望引进环保的清洗技术。因此，作为环保的清洗技术之一，以蒸馏水、臭氧为基础，利用微气泡的清洗法受到关注。
2022-03-24 16:02:56733 
本文提出了一种新型的双层光阻剂方法来减少负光阻剂浮渣。选择正光刻胶作为底层抗蚀剂，选择负光刻胶作为顶层抗蚀胶。研究了底层抗蚀剂的粘度和厚度对浮渣平均数量的影响。实验表明，低粘度正光刻胶AZ703
2022-03-24 16:04:23754 
通过使半导体制造工艺中浇口蚀刻后生成的聚合物去除顺畅，可以简化后处理序列，从而缩短前工艺处理时间，上述感光膜去除方法是:在工艺室内晶片被抬起的情况下，用CF4+O2等离子体去除聚合物的步骤；将晶片安放在板上，然后用O2等离子体去除感光膜的步骤；和RCA清洗步骤。
2022-04-11 17:02:43783 
本文的目标是讨论一种新技术，它可以在保持竞争力的首席运营官的同时改善权衡。 将开发湿化学抗蚀剂去除溶液的能力与对工艺和工具要求的理解相结合，导致了用于光刻胶去除的单晶片清洗技术的发展。 该技术针对
2022-05-07 15:11:11621 
这项研究首先集中于去除直接沉积在硅衬底上的193纳米厚的光刻胶和BARC层，使用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和椭圆偏振光谱(SE)来评估去除效率，在第二部分中，研究了金属硬掩模/多孔低k镶嵌结构
2022-05-30 17:25:241114 
本文章介绍了我们华林科纳一种光刻胶剥离用组合物，该组合物不仅对离子注入工艺后或离子注入工艺和高温加热工艺后硬化或变质为聚合物的光刻胶具有良好的去除力，而且使膜质腐蚀性最小化。半导体工艺中离子注入工艺
2022-07-01 15:16:081442 
灰化，简单的理解就是用氧气把光刻胶燃烧掉，光刻胶的基本成分是碳氢有机物，在射频或微波作用下，氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通过泵被真空抽走，完成光刻胶的去除。
2022-07-21 11:20:174870 光刻胶是IC制造的核心耗材，技术壁垒极高。根据TECHCET数据，预计2022年全球半导体光刻胶市场规模达到23亿美元，同比增长7.5%，2025年超过25亿美元。
2023-03-21 14:00:492095 光刻法是微电子工艺中的核心技术之一，常用于形成半导体设备上的微小图案。过程开始于在硅片上涂布光刻胶，随后对其进行预热。接着，选择一种光源（如深紫外光或X光）透过预先设计好的掩模图案照射在硅片
2023-06-09 11:36:522037 
在半导体制造过程中，每个半导体元件的产品都需要经过数百道工序。这些工序包括前道工艺和后道工艺，前道工艺是整个制造过程中最为重要的部分，它关系到半导体芯片的基本结构和特性的形成，涉及晶圆制造、沉积、光刻、刻蚀等步骤，技术难点多，操作复杂。
2023-07-11 11:25:552897 
日本在半导体界一直以设备和材料笑傲群雄，2019年一则禁令一度扼住韩国半导体喉咙，涉及材料包括高纯氟化氢、氟聚酰亚胺、感光剂光刻胶，直到几个月前，受伤的双方才握手言和。
2023-07-27 09:54:55828 
半导体制造工艺之光刻工艺详解
2023-08-24 10:38:541221 
光刻胶作为影响光刻效果核心要素之一，是电子产业的关键材料。光刻胶由溶剂、光引发剂和成膜树脂三种主要成分组成，是一种具有光化学敏感性的混合液体。其利用光化学反应，经曝光、显影等光刻工艺，将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，是用于微细加工技术的关键性电子化学品。
2023-10-09 14:34:491674 
光刻是半导体加工中最重要的工艺之一，决定着芯片的性能。光刻占芯片制造时间的40%-50%，占其总成本的30%。光刻胶是光刻环节关键耗材，其质量和性能与电子器件良品率、器件性能可靠性直接相关。
2023-10-26 15:10:24359 
光刻胶在未曝光之前是一种黏性流体，不同种类的光刻胶具有不同的黏度。黏度是光刻胶的一项重要指标。那么光刻胶的黏度为什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻胶算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571 
为了生产高纯度、高质量的光刻胶，需要高纯度的配方原料，例如光刻树脂，溶剂PGMEA…此外，生产过程中的反应釜镀膜和金属析出污染监测也是至关重要的控制环节。例如，2019年，某家半导体制造公司由于光刻胶受到光阻原料的污染，导致上万片12吋晶圆报废
2023-11-27 17:15:48550 近期，万润股份在接受机构调研时透露，其“年产65吨半导体用光刻胶树脂系列”项目已经顺利投入运营。该项目旨在为客户提供专业的半导体用光刻胶树脂类材料。
2023-12-12 14:02:58328 光刻胶类别的多样化，此次涨价案所涉KrF光刻胶属于高阶防护用品，也是未来各地厂家的竞争焦点。当前市场中，光刻胶主要由东京大贺工业、杜邦、JSR、信越化学、住友化学及东进半导体等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36408 光刻胶主要下游应用包括：显示屏制造、印刷电路板生产、半导体制造等，其中显示屏是光刻胶最大的下游应用，占比30%。光刻胶在半导体制造应用占比24%，是第三达应用场景。
2024-01-03 18:12:21346 
光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料，是半导体制造中使用的核心电子材料之一。伴随着晶圆制造规模持续提升，中国有望承接半导体
2024-01-19 08:31:24340 
光刻胶是一种涂覆在半导体器件表面的特殊液体材料，可以通过光刻机上的模板或掩模来进行曝光。
2024-03-04 17:19:18399
电子发烧友App
工商网监
评论