0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

光刻胶的原理和正负光刻胶的主要组分是什么

jt_rfid5 来源:芯片工艺技术 作者:芯片工艺技术 2022-10-21 16:40 次阅读

最近有人问我光刻胶曝光的原理和正负光刻胶的主要组分是什么,我也只是知道是这么一回事,但是里面包含许多专有名词还是挺拗口的,反正我是不想去记它。

今天刚好找了一下以前的笔记,大家可以复习一下,写材料的时候也能从copy一下。

首先,是光刻的工序

93b59506-4e0b-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

光刻胶分两种,一种正光刻胶、一种负光刻胶,出来的效果图如上。

①正性光致抗蚀剂:受光照部分发生降解反应而能为显影液所溶解。留下的非曝光部分的图形与掩模版一致。正性抗蚀剂具有分辨率高、对驻波效应不敏感、曝光容限大、针孔密度低和无毒性等优点,适合于高集成度器件的生产。②负性光致抗蚀剂:受光照部分产生交链反应而成为不溶物,非曝光部分被显影液溶解,获得的图形与掩模版图形互补。负性抗蚀剂的附着力强、灵敏度高、显影条件要求不严,适于低集成度的器件的生产。

光刻胶的组成:树脂(resin/polymer),光刻胶中不同材料的粘合剂,给与光刻胶的机械与化学性质(如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等);感光剂,感光剂对光能发生光化学反应;溶剂(Solvent),保持光刻胶的液体状态,使之具有良好的流动性;添加剂(Additive),用以改变光刻胶的某些特性,如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。

例如台湾的一款正胶成分如下

9480bb1e-4e0b-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯,一种天然的橡胶;溶剂是二甲苯;感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂,产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影液。负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨;曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。

例如一款负胶的主要成分:

949cf8f6-4e0b-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

正性光刻胶。树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛,提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性,当没有溶解抑制剂存在时,线性酚醛树脂会溶解在显影液中;感光剂是光敏化合物(PAC,Photo Active Compound),最常见的是重氮萘醌(DNQ),在曝光前,DNQ 是一种强烈的溶解抑制剂,降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后,DNQ 在光刻胶中化学分解,成为溶解度增强剂,大幅提高显影液中的溶解度因子至 100 或者更高。这种曝光反应会在 DNQ 中产生羧酸,它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度,所以生成的图形具有良好的分辨率。

94b73964-4e0b-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

光刻胶原料中,虽树脂质量占比不高,但其控制光刻胶主要成本。ArF树脂以丙二醇甲醚醋酸酯为主, 质量占比仅 5%-10%,但成本占光刻胶原材料总成本的 97% 以上。

95038b8e-4e0b-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

953a6280-4e0b-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

95d3d2bc-4e0b-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

95ed665a-4e0b-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

半导体工艺中右一种lift-off工艺,很多人也做过

960116aa-4e0b-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

这种就是一种异常情况,会出现毛刺黑丝等异常。

9625a3da-4e0b-11ed-a3b6-dac502259ad0.png


审核编辑:郭婷

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    328

    文章

    24506

    浏览量

    202136
  • 光刻胶
    +关注

    关注

    10

    文章

    281

    浏览量

    29739

原文标题:【半导光电】光刻胶的成分和光刻原理

文章出处:【微信号:今日光电,微信公众号:今日光电】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    #硬声创作季 微电子工艺:光刻83.2--光刻胶

    IC设计工艺光刻胶
    Mr_haohao
    发布于 :2022年10月21日 02:03:43

    【科普转载】光刻工作原理简介03(光刻胶)#硬声创作季

    光刻光刻胶
    电子知识科普
    发布于 :2022年10月27日 17:14:48

    Futurrex高端光刻胶

    正负光刻胶且显影速度快。 RR41 & 5系列 化学品,具有独特性能的光刻胶去胶液,并能安全的去除多种临时涂层,且与Si、III/V基衬底、II/VI衬底、氧化铟锡(ITO)及铜
    发表于 04-21 10:57

    光刻胶残留要怎么解决?

    这是我的版图一部分,然后生成了图案是这样的: 感觉间距小的地方全都有残留,间距大的地方没有残留;工艺参数:s9920光刻胶, evg 620‘未进行蒸汽底漆层涂覆,前烘:100摄氏度,90s
    发表于 11-29 14:59

    Microchem SU-8光刻胶 2000系列

    对基材进行清洗。常用的清洗方法是利用浓硫酸及双氧水的混合溶液浸泡,随后用去离子水清洗并用氮气吹干。除此之外还可以利用反应离子刻蚀或等离子表面清洗仪清洗。SU 8光刻胶光刻工艺:将 SU- 8 光刻胶
    发表于 07-04 14:42

    光刻胶

    MEMS、芯片封装和微加工等领域。目前,直接采用 SU8光刻胶来制备深宽比高的微结构与微零件已经成为微加工领域的一项新技术。在微流控芯片加工中,SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。运用
    发表于 07-12 11:57

    光刻胶在集成电路制造中的应用

    (电子科技大学 微电子与固体电子学院,成都 610054)摘 要:光刻胶技术是曝光技术中重要的组成部分,高性能的曝光工具需要有与之相配套的高性能的光刻胶才能真正获得高分辨率的加工能力。主要围绕
    发表于 08-23 11:56

    光刻胶有什么分类?生产流程是什么?

    光刻胶也称为光致抗蚀剂,是一种光敏材料,它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正
    发表于 11-07 09:00

    机有什么典型应用 ?

    机是现代光电子产业中光刻胶涂布的重要设备。可对不同尺寸和形状的基片进行涂胶,最大涂胶尺寸达8寸,得到厚度均匀的光刻胶层,同时可对大深宽比结构的侧壁进行均匀涂胶;通过计算机系统控制器进行工艺参数的编辑和操作。
    发表于 03-23 09:00

    光刻工艺步骤

    一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型:正性光刻和负性光刻,区别如下
    发表于 01-12 10:17

    《炬丰科技-半导体工艺》光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓

    的历史蚀刻工艺进行了两个主要的工艺更改,这使得这项工作成为必要。首先,我们从 Clariant AZ4330 光刻胶切换到 Shipley SPR220-3。我们发现后者的光刻胶具有更好的自旋均匀性
    发表于 07-06 09:39

    光刻胶显影残留原因

    151n光刻胶曝光显影后开口底部都会有一撮残留,找不到原因。各位帮分析下
    发表于 04-20 13:13

    光刻胶光刻机的关系

    光刻胶光刻机研发的重要材料,换句话说光刻机就是利用特殊光线将集成电路映射到硅片的表面,如果想要硅片的表面不留下痕迹,就需要网硅片上涂一层光刻胶
    的头像 发表于 02-05 16:11 1.1w次阅读

    光刻胶为何要谋求国产替代

    193nmArF湿法光刻胶、ArF干法光刻胶,248nmKrF正负光刻胶、KrF厚膜光刻胶、365nmi线
    的头像 发表于 08-31 09:47 1319次阅读

    光刻胶黏度如何测量?光刻胶需要稀释吗?

    光刻胶在未曝光之前是一种黏性流体,不同种类的光刻胶具有不同的黏度。黏度是光刻胶的一项重要指标。那么光刻胶的黏度为什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻胶
    发表于 11-13 18:14 694次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>黏度如何测量?<b class='flag-5'>光刻胶</b>需要稀释吗?