光刻胶是芯片制造的关键材料，圣泉集团实现了

光刻胶介绍

光刻胶是芯片制造过程中的关键材料，芯片制造要根据具体的版图（物理设计，layout）设计出掩模板，然后通过光刻（光线通过掩模板，利用光刻胶对裸片衬底等产生影响）形成一层层的结构，最后形成3D立体电路结构，从而产生Die（裸片）。工艺的发展，***的发展，材料学的同步发展才能促进摩尔定律的发展。

光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。

光刻胶的技术复杂，品类较多，根据其化学反应机理可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶做涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。

1）光聚合型，采用烯类单体，负性胶；

2）光分解型，叠氮醌类化合物，正性胶

3）光交联型，聚乙烯醇硅酸酯，负性胶；

不同的材料性质不同，涉及到的参数也有所不同，实际应用中也会有所不同。相关参数主要包括以下几种：

1）分辨率，用关键尺寸（摩尔定律）来衡量分辨率；

2）对比度，光刻胶从曝光区到非曝光区过度的陡度，会对芯片制造良率产生影响；

3）粘滞性粘度，衡量光刻胶流动特性的参数；

4）敏感度，产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值（最小曝光量）；

5）粘附性，粘附于衬底的强度；

6)抗蚀性，光刻胶要保持粘附在衬底上并在后续刻蚀工序中保护衬底表面；

这是一种老式的旋转涂胶机，将芯片上涂上光刻胶然后将芯片放到上边，可以通过机器的旋转的力度将光刻胶均匀分布到芯片表面，光刻胶只有均匀涂抹在芯片表面，才能保证光刻的成功。

此次的突破有几个特点：1）并非是国内技术人员单独实现的；2）周期较长，一直以来是通过自身研究和国外合作的方式；3）实现的突破是别人早就有的东西，虽然是突破，但仍然是在追赶。

可以看出国内芯片事业一直是属于受限的状态，国内其他芯片制造相关公司也都是受制于类似的原因：

1）生产设备落后，由于资本投入有限，虽然国内很早以前就开始着力于芯片事业的发展，但是资本投入直至近几年才有较大突破；

2）不掌握核心技术，一方面是从业人员不够多有关，另一方面还是与资本投入有关，互联网的发展一方面促进了国内经济和社会的发展，另一方面对于电子以及芯片行业产生竞争效应，人才被互联网行业吸引的较多；

3）国内的VC和PE等机构发展较国外有较大差距，芯片发展主要依赖于国家支持；民间资本一直以来的浮躁特点：低风险、短投资促使资本对IC相关投资力度较弱。

随着国内芯片市场的发展，对外芯片的采购量日益增大，超过石油市场；“棱镜门”事件；3G、4G的发展，高通垄断被判罚等事件，国家对芯片行业的重视和投入也日渐增多。

材料新突破

圣泉集团是一家新三板企业，主要做做材料方面的研究。圣泉集团的电子酚醛树脂主要包括以下几种材料：线性苯酚甲醛树脂、液体酚醛树脂、线性双酚A甲醛树脂、线性邻甲酚甲醛树脂、XYLOK酚醛树脂、光刻胶用线性酚醛树脂、DCPDN酚醛树脂、含氮酚醛树脂，其中线性酚醛树脂是属于正性光刻胶。

正性光刻胶的分辨率一般较负性光刻胶略差，对比度也略差，一般应用的特征尺寸不会很小，也就是说此次的突破性进展只是芯片制造行业的一小步，也只能说是突破，对于国内芯片的发展来说当然也很关键了，但是对于芯片制造实现国际领先水平还有较大差距。

虽然美国对我们国家的芯片事业一直在进行技术封锁，但是通过与非美国外技术先进的公司进行合作，或者资本注入的方式对国外公司进行控制来实现国内的技术突破都是加快国产芯片进程的不错的方法。

国内“制芯”技术较日美韩和***等差距较大，虽然目前国内的芯片发展已经有了较多燃料（资本投入），技术上也有了一些突破，但是芯片事业的发展仍然任重而道远。