电子发烧友网报道（文/黄山明）芯片，一直被誉为 人类智慧、工程协作与精密制造的集大成者 ，而制造芯片的重要设备光刻机就是 雕刻这个结晶的 “ 神之手 ”。但仅有光刻机还不够，还需要光刻胶、掩膜版以及
2025-10-28 08:53:35
6234 ，中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光元件技术与工程部研究团队在中红外光谱合束光栅研究方面取得新进展，相关研究成果以“Robust volcano-shaped gold-coated
2025-12-24 06:38:3830 
、5G网络、卫星通信、激光雷达等领域。近期，苏州纳米所纳米加工平台基于在InP材料外延、器件设计、器件制备等方面的积累在InP基半导体激光器领域取得了重要进展。 进展1：低阈值高功率单模激光器 DFB激光器因其窄线宽、高边模抑制比和低相位噪声优势已成为光纤
2025-12-23 06:50:0529 
从协议到实践——EtherNet/IP与NetStaX的最新进展
2025-12-19 15:26:55990 
2025年半导体芯片技术多领域创新突破，应用前景无限 概述 近期，半导体芯片技术在硬件与软件优化、量子计算、设计工具、汽车与消费电子应用等多个关键领域取得显著进展。台积电等领军企业技术突破，以及AI
2025-12-17 11:18:42887 收购湖北三峡实验室重大科技成果“光刻胶用光引发剂制备专有技术及实验设备所有权”，标志着我国在这一关键材料领域实现突破性进展。 “这不仅是一项技术成果的市场转化，更是我国半导体产业链自主可控进程中的重要突破。”业内专家
2025-12-17 09:16:275950 在半导体制造过程中，晶圆去胶工艺之后确实需要进行清洗和干燥步骤。以下是具体介绍：一、清洗的必要性去除残留物光刻胶碎片：尽管去胶工艺旨在完全去除光刻胶，但在实际操作中，可能会有一些微小的光刻胶颗粒残留
2025-12-16 11:22:10110 
在Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2025) 上，Soitec 的宽禁带半导体产品设计经理 Eric Guiot 代表 Soitec 分享了我们在碳化硅（SiC）技术方面的最新进展。
2025-12-13 15:50:181689 11月26日，立讯精密在最新的投资者关系活动记录中披露了在人形机器人领域的最新进展。
2025-12-03 14:50:35817 在芯片制造这场微观世界的雕刻盛宴中，光刻胶（PR）如同一位技艺精湛的工匠手中的隐形画笔，在硅片这片“晶圆画布”上勾勒出亿万个晶体管组成的复杂电路。然而，这支“画笔”却成了中国芯片产业最难突破的瓶颈之一：
2025-11-29 09:31:004623 
晶圆边缘曝光（WEE）作为半导体制造关键精密工艺，核心是通过光刻胶光化学反应去除晶圆边缘多余胶层，从源头减少污染、提升产品良率。文章聚焦其四阶段工作流程、核心参数要求及光机电协同等技术难点。友思特
2025-11-27 23:40:39243 
Labs（芯科科技）亚太区业务副总裁王禄铭、中国大陆区总经理周巍及台湾区总经理宝陆格就公司技术路线、产品策略及市场趋势回答了媒体提问。三位高管围绕安全认证、无线连接、边缘计算等议题，介绍了公司在物联网领域的最新进展。
2025-11-13 10:48:13946 如有雷同或是不当之处，还请大家海涵。当前在各网络平台上均以此昵称为ID跟大家一起交流学习！ 在半导体行业，光刻（Photo）工艺技术就像一位技艺高超的艺术家，负责将复杂的电路图案从掩模转印到光滑的半导体晶圆上。作为制造过
2025-11-10 09:27:481749 
电子发烧友网报道（文/李弯弯）2025年10月27日，VESA（视频电子标准协会）在深圳益田威斯汀酒店举办新闻发布会，详细介绍了DisplayPort汽车扩展标准（DP AE）的最新进展，同时分享了
2025-11-08 10:43:0110205 
近日，上扬软件与其长期合作伙伴新进半导体再度达成深度合作共识，将为其在宜兴建设的全新6英寸产线提供CIM解决方案，涵盖MES（制造执行系统）、EAP（设备自动化程序）、RMS（配方管理系统）等核心
2025-11-07 13:47:17576 科技，涵盖 光通信、光学、半导体、激光、量子、红外及传感 等领域。本届展会将汇聚全球领先企业与创新力量，通过技术展览、商贸对接、高端论坛等多元场景，深度呈现光电技术在半导体、量子技术、先进制造、生物医疗、消费电子等关键领域的创新成果与应用前景
2025-11-07 10:42:44422 
电子发烧友网综合报道 近日，我国半导体材料领域迎来重大突破。北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面
2025-10-27 09:13:046178 
近日，深圳稳顶聚芯技术有限公司（简称“稳顶聚芯”）宣布，其自主研发的首台国产高精度步进式光刻机已成功出厂，标志着我国在半导体核心装备领域取得新进展。 此次稳顶聚芯出厂的步进式光刻机属于WS180i
2025-10-10 17:36:33929 意法半导体（简称ST）公布了其位于法国图尔的试点生产线开发下一代面板级包装（PLP）技术的最新进展。该生产线预计将于2026年第三季度投入运营。
2025-10-10 09:39:42608 清洗策略半导体制造过程中产生的污染物可分为四类：颗粒物（灰尘/碎屑）、有机残留（光刻胶/油污）、金属离子污染、氧化层。针对不同类型需采用差异化的解决方案：颗粒物清除
2025-10-09 13:40:46705 
半导体腐蚀清洗机是集成电路制造过程中不可或缺的关键设备，其作用贯穿晶圆加工的多个核心环节，具体体现在以下几个方面：一、精准去除表面污染物与残留物在半导体工艺中，光刻、刻蚀、离子注入等步骤会留下多种
2025-09-25 13:56:46497 
摩矽半导体：专耕半导体行业20年，推动半导体国产化进展！
2025-09-24 09:52:052102 
、金属屑），优先选择物理作用强的超声波或兆声波模块；针对有机残留（光刻胶、树脂）、油污等，则需化学溶解能力强的喷淋系统配合溶剂（如丙酮、NMP）。对于金属离子污染，
2025-09-22 11:04:05463 
图1 肘形图形为目标图形，不同方法得到的全息掩模分布、空间像与光刻胶轮廓 近日，中国科学院上海光学精密机械研究所高端光电装备部李思坤研究员团队在全息光刻研究方面取得进展。相关成果以
2025-09-19 09:19:56443 
光刻胶剥离工艺是半导体制造和微纳加工中的关键步骤，其核心目标是高效、精准地去除光刻胶而不损伤基底材料或已形成的结构。以下是该工艺的主要类型及实施要点：湿法剥离技术有机溶剂溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
%。至少将GAA纳米片提升几个工艺节点。
2、晶背供电技术
3、EUV光刻机与其他竞争技术
光刻技术是制造3nm、5nm等工艺节点的高端半导体芯片的关键技术。是将设计好的芯片版图图形转移到硅晶圆上的一种精细
2025-09-15 14:50:58
近日，来自中国的晶众光电科技有限公司（以下简称“晶众”）自主研发的InAs/GaSb II型超晶格SESAM技术，在国际顶尖光学期刊《Optics Letters》上再次获得关注，这一成就标志着中国在高端光电技术领域取得了重要突破。
2025-09-11 15:06:30913 提高光刻胶残留清洗效率需要结合工艺优化、设备升级和材料创新等多方面策略，以下是具体方法及技术要点：1.工艺参数精准控制动态调整化学配方根据残留类型（正胶/负胶、厚膜/薄膜）实时匹配最佳溶剂组合。例如
2025-09-09 11:29:06627 
电子发烧友网综合报道 三安半导体在近期发布的中报里公开了不少关于碳化硅业务的新进展，包括器件产品、客户导入、产能等信息。 在产能方面，湖南三安在职员工1560人，已经拥有6英寸碳化硅配套产能
2025-09-09 07:31:001630 引言 晶圆光刻图形是半导体制造中通过光刻工艺形成的微米至纳米级三维结构（如光刻胶线条、接触孔、栅极图形等），其线宽、高度、边缘粗糙度等参数直接决定后续蚀刻、沉积工艺的精度，进而影响器件性能。传统
2025-09-03 09:25:20648 
在芯片制造领域的光刻工艺中，光刻胶旋涂是不可或缺的基石环节，而保障光刻胶旋涂的厚度是电路图案精度的前提。优可测薄膜厚度测量仪AF系列凭借高精度、高速度的特点，为光刻胶厚度监测提供了可靠解决方案。
2025-08-22 17:52:461542 
这一突破的核心力量。 然而，EUV光刻的广泛应用并非坦途，其光源本身存在反射损耗大、亮度低等固有缺陷，这对配套的光刻胶材料提出了前所未有的严苛要求——不仅需要具备高效的EUV吸收能力，还要在反应机制的稳定性、缺陷控制的精准度等方面实
2025-08-17 00:03:004219 电子束光刻（EBL）是一种无需掩模的直接写入式光刻技术，其工作原理是通过聚焦电子束在电子敏感光刻胶表面进行纳米级图案直写。
2025-08-14 10:07:212552 
当您寻找可靠的国产半导体材料供应商时，一家在光刻胶领域实现全产业链突破的企业正脱颖而出——久日新材（688199.SH）。这家光引发剂巨头，正以令人瞩目的速度在半导体核心材料国产化浪潮中崭露头角
2025-08-12 16:45:381160 半导体湿法去胶是一种通过化学溶解与物理辅助相结合的技术，用于高效、可控地去除晶圆表面的光刻胶及其他工艺残留物。以下是其核心原理及关键机制的详细说明：化学溶解作用溶剂选择与反应机制有机溶剂体系：针对正性光刻胶
2025-08-12 11:02:511505 
电子发烧友网综合报道 近日，八亿时空宣布其KrF光刻胶万吨级半导体制程高自动化研发/量产双产线顺利建成，标志着我国在中高端光刻胶领域的自主化进程迈出关键一步。 此次建成的KrF光刻胶产线采用
2025-08-10 03:26:009090 图1 实验原理示意图 近期，中国科学院上海光学精密机械研究所超强激光科学与技术全国重点实验室宾建辉研究员团队在激光驱动离子加速方面取得新进展。相关研究成果分别以“Enhanced proton
2025-08-06 09:36:46517 
光刻工艺是芯片制造的关键步骤，其精度直接决定集成电路的性能与良率。随着制程迈向3nm及以下，光刻胶图案三维结构和层间对准精度的控制要求达纳米级，传统检测手段难满足需求。光子湾3D共聚焦显微镜凭借非
2025-08-05 17:46:43944 
浸泡的方式，用去离子水（DIWater）或其他溶剂清除晶圆表面的残留物（如光刻胶碎片、蚀刻剂副产物、颗粒污染物等）。主要作用：确保前一道工序后的有害物质被彻底去除
2025-08-04 14:53:231078 
于：光刻工艺后清洗：去除光刻胶残留及显影液副产物。刻蚀后清洁：清除蚀刻副产物及侧壁颗粒。先进封装：TSV（硅通孔）、Bumping（凸点）等3D结构的窄缝污染物清除。
2025-07-23 15:06:54
晶圆蚀刻后的清洗是半导体制造中的关键步骤，旨在去除蚀刻残留物（如光刻胶、蚀刻产物、污染物等），同时避免对晶圆表面或结构造成损伤。以下是常见的清洗方法及其原理：一、湿法清洗1.溶剂清洗目的：去除光刻胶
2025-07-15 14:59:011621 
图1 激光烧蚀曲面元件示意图 近期，中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光元件技术与工程部魏朝阳研究员团队，在激光烧蚀曲面元件理论研究中取得新进展。研究首次阐明激光烧蚀过程中曲面元件对形貌
2025-07-15 09:58:24462 
污染物。 方法：湿法化学清洗（如SC-1溶液）或超声波清洗。 硅片抛光后清洗 目的：清除抛光液残留（如氧化层、纳米颗粒），避免影响后续光刻精度。 方法：DHF（氢氟酸）腐蚀+去离子水冲洗。 2. 光刻工序 光刻胶涂覆前清洗 目的：去除硅
2025-07-14 14:10:021016 厚胶量产到ArF浸没式胶验证，从树脂国产化到EUV原料突破，一场静默却浩荡的技术突围战已进入深水区。 例如在248nm波长的KrF光刻胶武汉太紫微的T150A胶以120nm分辨率和93.7%的良率通过中芯国际28nm产线验证，开创了国内半导体光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006083 光刻胶，又称光致抗蚀剂，是一种关键的耐蚀剂刻薄膜材料。它在紫外光、电子束、离子束、X 射线等的照射或辐射下，溶解度会发生变化，主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。由于
2025-07-11 15:53:24430 
上半年，东风汽车坚定高质量发展步伐，整体销量逐月回升，经营质量持续改善，自主品牌和新能源渗透率和收益性进一步提升，半年累计终端销售汽车111.6万辆，转型突破取得新进展。
2025-07-10 15:29:16810 一、涂胶显影设备：光刻工艺的“幕后守护者” 在半导体制造的光刻环节里，涂胶显影设备与光刻机需协同作业，共同实现精密的光刻工艺。曝光工序前，涂胶机会在晶圆表面均匀涂覆光刻胶；曝光完成后，显影设备则对晶
2025-07-03 09:14:54770 
引言 在半导体制造与微纳加工领域，光刻图形线宽变化直接影响器件性能与集成度。精确控制光刻图形线宽是保障工艺精度的关键。本文将介绍改善光刻图形线宽变化的方法，并探讨白光干涉仪在光刻图形测量中
2025-06-30 15:24:55739 
引言 在半导体制造与微纳加工领域，光刻图形的垂直度对器件的电学性能、集成密度以及可靠性有着重要影响。精准控制光刻图形垂直度是保障先进制程工艺精度的关键。本文将系统介绍改善光刻图形垂直度的方法，并
2025-06-30 09:59:13489 、蚀刻、薄膜沉积等工序，每个环节均需准确温控。以下以典型场景为例，阐述半导体直冷机Chiller的技术需求与解决方案：1、光刻工艺中的温度稳定性保障光刻胶涂布与曝
2025-06-26 15:39:09820 
引言 在晶圆上芯片制造工艺中，光刻胶剥离是承上启下的关键环节，其效果直接影响芯片性能与良率。同时，光刻图形的精确测量是保障工艺精度的重要手段。本文将介绍适用于晶圆芯片工艺的光刻胶剥离方法，并探讨白光
2025-06-25 10:19:48815 引言 在半导体及微纳制造领域，光刻胶剥离工艺对金属结构的保护至关重要。传统剥离液易造成金属过度蚀刻，影响器件性能。同时，光刻图形的精确测量是保障工艺质量的关键。本文将介绍金属低蚀刻率光刻胶剥离液组合
2025-06-24 10:58:22565 引言 在显示面板制造的 ARRAY 制程工艺中，光刻胶剥离是关键环节。铜布线在制程中广泛应用，但传统光刻胶剥离液易对铜产生腐蚀，影响器件性能。同时，光刻图形的精准测量对确保 ARRAY 制程工艺精度
2025-06-18 09:56:08693 半导体药液单元（Chemical Delivery Unit, CDU）是半导体前道工艺（FEOL）中的关键设备，用于精准分配、混合和回收高纯化学试剂（如蚀刻液、清洗液、显影液等），覆盖光刻、蚀刻
2025-06-17 11:38:08
一、产品概述全自动Mask掩膜板清洗机是半导体光刻工艺中用于清洁光罩（Reticle/Mask）表面的核心设备，主要去除光刻胶残留、颗粒污染、金属有机物沉积及蚀刻副产物。其技术覆盖湿法化学清洗、兆
2025-06-17 11:06:03
引言 在半导体制造过程中，光刻胶剥离液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）虽在光刻胶剥离方面表现出色，但因其高含量使用带来的成本、环保等问题备受关注。同时，光刻图形的精准
2025-06-17 10:01:01678 近日，瑞丰光电受邀亮相DVN（东京）国际汽车照明研讨会。本次研讨会，瑞丰光电在现场展示了多项前沿技术并发表主题演讲，详细介绍了在车载光学领域的技术应用实践，以及在车内外显示交互的最新进展。
2025-06-16 17:17:42957 通过使用光掩膜和光刻胶在基板上复制流体图案的过程。基板将涂覆硅二氧化层绝缘层和光刻胶。光刻胶在被紫外光照射后可以容易地用显影剂溶解，然后在腐蚀后，流体图案将留在基板上。无尘室(Cleanroom)排除掉空间范围内空气中的微
2025-06-16 14:36:251070 引言 在半导体制造与微纳加工领域，光刻胶剥离是重要工序。传统剥离液常对金属层产生过度刻蚀，影响器件性能。同时，光刻图形的精确测量也是确保制造质量的关键。本文聚焦金属低刻蚀的光刻胶剥离液及其应用，并
2025-06-16 09:31:51586 引言 在半导体制造领域，光刻胶剥离工艺是关键环节，但其可能对器件性能产生负面影响。同时，光刻图形的精确测量对于保证芯片制造质量至关重要。本文将探讨减少光刻胶剥离工艺影响的方法，并介绍白光
2025-06-14 09:42:56736 一、光刻工艺概述 光刻工艺是半导体制造的核心技术，通过光刻胶在特殊波长光线或者电子束下发生化学变化，再经过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜上的图形转移到衬底上，是现代半导体、微电子、信息产业
2025-06-09 15:51:162127 如果说最终制造出来的芯片是一道美食，那么光刻胶就是最初的重要原材料之一，而且是那种看起来可能不起眼，但却能决定一道菜味道的关键辅料。 光刻胶（photoresist），在业内又被称为光阻或光阻剂
2025-06-04 13:22:51992 引言 在半导体制造与微纳加工领域，光刻胶剥离液是光刻胶剥离环节的核心材料，其性能优劣直接影响光刻胶去除效果与基片质量。同时，精准测量光刻图形对把控工艺质量意义重大，白光干涉仪为此提供了有力的技术保障
2025-05-29 09:38:531108 
优势，为光刻图形测量提供了可靠手段。 Micro OLED 阳极像素定义层制备方法 传统光刻工艺 传统 Micro OLED 阳极像素定义层制备常采用光刻剥离工艺。首先在基板上沉积金属层作为阳极材料，接着旋涂光刻胶，通过掩模版曝光使光刻胶发生光化学反应，随后
2025-05-23 09:39:17628 图1.拼接曝光加工系统 衍射光栅广泛应用于精密测量、激光脉冲压缩、光谱分析等领域。干涉光刻作为一种无掩膜曝光光刻方法，在衍射光栅加工制造方面具有高效率、高灵活度的优势。但干涉光刻加工的光栅尺寸在
2025-05-22 09:30:59570 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）FMCW激光雷达有了新进展。近日FMCW激光雷达厂商Aeva宣布，通过与SICK AG和LMI等工业自动化领域领导者合作，其应用于工业自动化的高精度传感器Eve 1系列
2025-05-18 00:02:005783 近日，在2025英特尔代工大会上，英特尔展示了多代核心制程和先进封装技术的最新进展，这些突破不仅体现了英特尔在技术开发领域的持续创新，也面向客户需求提供了更高效、更灵活的解决方案。 在制程技术方面
2025-05-09 11:42:16626 
光刻图形转化软件可以将gds格式或者gerber格式等半导体通用格式的图纸转换成如bmp或者tiff格式进行掩模版加工制造，在掩膜加工领域或者无掩膜光刻领域不可或缺，在业内也被称为矢量图形光栅化软件
2025-05-02 12:42:10
近日，我们在武汉举办了Create2025百度AI开发者大会，与全球各地的5000多名开发者，分享了百度在AI领域的新进展。
2025-04-30 10:14:101219 光刻胶类型及特性光刻胶（Photoresist），又称光致抗蚀剂，是芯片制造中光刻工艺的核心材料。其性能直接影响芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介绍了光刻胶类型和光刻胶特性。
2025-04-29 13:59:337829 
及应用的详细介绍： 一、技术原理 化学反应机制 氨水（NH₄OH）：提供碱性环境，腐蚀硅片表面的自然氧化层（SiO₂），使附着的颗粒脱离晶圆表面。 过氧化氢（H₂O₂）：作为强氧化剂，分解有机物（如光刻胶残留）并氧化硅片表面，形成新的亲水性
2025-04-28 17:22:334238 刻蚀工艺的核心机理与重要性 刻蚀工艺是半导体图案化过程中的关键环节，与光刻机和薄膜沉积设备并称为半导体制造的三大核心设备。刻蚀的主要作用是将光刻胶上的图形转移到功能膜层，具体而言，是通过物理及化学
2025-04-27 10:42:452200 
纳微半导体宣布将在5月6-8日参加于德国纽伦堡举办的PCIM 2025，全面展示氮化镓和碳化硅技术在AI数据中心、电动汽车、电机马达和工业领域的应用新进展。
2025-04-27 09:31:571008 高精度超表面逆向设计方法及透射/反射双功能的宽频段聚焦涡旋光产生器示意图 近日，中国科学院西安光机所超快光科学与技术全国重点实验室在太赫兹频段超表面逆向设计领域取得新进展，相关研究成果以《High
2025-04-22 06:12:21676 
——薄膜制作(Layer)、图形光刻(Pattern)、刻蚀和掺杂，再到测试封装，一目了然。 全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图
2025-04-15 13:52:11
体验的 Live API 的最新进展，以及正式面向开发者开放的高质量视频生成工具 Veo 2。近期，我们面向在 Google AI Studio 中使用 Gemini API 的开发者推出了许多不容错过的重要更新，一起来看看吧。
2025-04-12 16:10:431534 近日，华为公司常务董事、华为云计算CEO张平安在华为云生态大会2025上公布了AI基础设施架构突破性新进展——推出基于新型高速总线架构的CloudMatrix 384超节点集群，并宣布已在芜湖数据中心规模上线。
2025-04-12 15:09:031836 数据中介的示意图。
光刻胶
正性光刻胶中感光部分的光刻胶可以被腐蚀溶解掉，未感光部分的光刻胶不能被腐蚀溶解；复姓光刻胶的感光部分的光刻胶不能被腐蚀溶解，未感光部分的光刻胶可以被腐蚀溶解掉。如下图所示
2025-04-02 15:59:44
在智能电动汽车的时代浪潮中，每一次技术的突破都可能重塑未来的出行方式。2025年3月27日，备受瞩目的中国智能电动汽车科技与供应链展览会（CIES）于重庆国际博览中心盛大开幕。在为期3天的展会中，东芝半导体携丰富的车载相关产品及解决方案亮相会场，展示了公司在车载领域的尖端技术与最新进展。
2025-03-28 09:10:201985 
，三合一工艺平台，CMOS图像传感器工艺平台，微电机系统工艺平台。 光掩模版:基板，不透光材料 光刻胶:感光树脂，增感剂，溶剂。 正性和负性。 光刻工艺: 涂光刻胶。掩模版向下曝光。定影和后烘固化蚀刻
2025-03-27 16:38:20
微流控芯片制造过程中，匀胶是关键步骤之一，而匀胶机转速会在多个方面对微流控芯片的精度产生影响： 对光刻胶厚度的影响 匀胶机转速与光刻胶厚度成反比关系。旋转速度影响匀胶时的离心力，转速越大，角速度越大
2025-03-24 14:57:16750 体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类
2025-03-18 13:59:533005 
日前，京东方华灿的氮化镓研发总监马欢应半导体在线邀请，分享了关于氮化镓器件的最新进展，引起了行业的广泛关注。随着全球半导体领域对高性能、高效率器件的需求不断加大，氮化镓（GaN）技术逐渐成为新一代电子器件的热点，其优越的性能使其在电源转换和射频应用中展现出巨大的潜力。
2025-03-13 11:44:261526 北京市最值得去的十家半导体芯片公司
原创 芯片失效分析 半导体工程师 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作为中国半导体产业的重要基地，聚集了众多在芯片设计、制造、设备及新兴技术领域具有
2025-03-05 19:37:43
近日，华大半导体与湖南大学在上海举办SiC功率半导体技术研讨会，共同探讨SiC功率半导体在设计、制造、材料等领域的最新进展及挑战。
2025-02-28 17:33:531172 用的有机溶剂包括以下几种： 丙酮 性质与特点：丙酮是一种无色、具有特殊气味的液体，它具有良好的溶解性，能溶解多种有机物，如油脂、树脂等。在半导体清洗中，可有效去除晶圆表面的有机污染物，对于去除光刻胶等有机材料也有较好的
2025-02-24 17:19:571828 汽车结构件焊接技术的最新进展、应用现状以及未来发展趋势三个方面进行探讨。
### 汽车结构件焊接技术的最新进展
近年来，随着轻量化设计要求的提高，高强度钢、铝合金
2025-02-20 08:45:27844 过去两年中，氮化镓虽然发展迅速，但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时，不少垂直氮化镓的初创企业倒闭或者卖盘，这引发大家对垂直氮化镓未来的担忧。为此，在本文中，我们先对氮化镓未来的发展进行分析，并讨论了垂直氮化镓器件开发的最新进展以及相关的可靠性挑战。
2025-02-17 14:27:362014 
电子发烧友网综合报道 最近氧化镓领域又有了新的进展。今年1月，镓仁半导体宣布基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功实现4英寸氧化镓单晶的导电型掺杂。本次
2025-02-17 09:13:241340 图1 多物理场耦合模型示意图 近期，中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光元件技术与工程部研究团队在在激光烧蚀波纹的调制机理研究中取得新进展。研究揭示了激光烧蚀波纹对光学元件损伤阈值的影响。相关
2025-02-14 06:22:37677 
半导体设备光刻机防震基座的安装涉及多个关键步骤和考虑因素，以确保光刻机的稳定运行和产品质量。首先，选择合适的防震基座需要考虑适应工作环境。由于半导体设备通常在洁净的环境下运行，因此选择的搬运工具如
2025-02-05 16:48:451240 
机和光刻胶： 光掩膜：如同芯片的蓝图，上面印有每一层结构的图案。 光刻机：像一把精确的画笔，能够引导光线在光刻胶上刻画出图案。 光刻胶：一种特殊的感光材料，通过光刻过程在光刻胶上形成图案，进而构建出三维结构。
2025-01-28 16:36:003591 
随着汽车照明技术的快速发展，新型光电子半导体器件不断涌现，为汽车行业带来革新。为保证驾驶安全，AEC Q102标准作为国际公认的规范，为车载光电子半导体器件的质量和可靠性设立了严格的要求，对推动整个汽车行业的发展具有重要意义。
2025-01-16 09:22:52973 
供应商保持着长期合作关系。近日，Qorvo资深产品行销经理陈庆鸿（Footmark Chen）与Qorvo亚太区无线连接事业部高级行销经理林健富（Jeff Lin）接受了DigiTimes的专访，深入探讨了Qorvo在手机RF和Wi-Fi 7技术上的最新进展及市场策略，以下是根据此次专访整理的报告。
2025-01-15 14:45:531187 上期介绍了TGV技术的国内外发展现状，今天小编继续为大家介绍TGV关键技术新进展。TGV工艺流程中，成孔技术，填充工艺为两大核心难度较高。 成孔技术 TGV成孔技术需兼顾成本、速度及质量要求，制约
2025-01-09 15:11:432809 
用先进材料项目等。 恒坤新材成立于2004年12月，是中国境内少数具备12英寸集成电路晶圆制造关键材料研发和量产能力的创新企业之一。据其股东厦门市产业投资基金披露，恒坤新材是国内12英寸晶圆制造先进制程上出货量最大的光刻胶企业。 根据弗若斯特沙利文市
2025-01-07 17:38:55843 一、烘胶技术在微流控中的作用 提高光刻胶稳定性 在 微流控芯片 制作过程中，光刻胶经过显影后，进行烘胶（坚膜）能使光刻胶结构更稳定。例如在后续进行干法刻蚀、湿法刻蚀或者LIGA等工艺时，烘胶可以让
2025-01-07 15:18:06824 泊苏 Type C 系列防震基座在半导体光刻加工电子束光刻设备的应用案例-江苏泊苏系统集成有限公司一、企业背景与光刻加工电子束光刻设备挑战某大型半导体制造企业专注于高端芯片的研发与生产
2025-01-07 15:13:21
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