0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

光刻胶的保存和老化失效

jf_90731233 来源:jf_90731233 作者:jf_90731233 2024-07-08 14:57 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

我们在使用光刻胶的时候往往关注的重点是光刻胶的性能,但是有时候我们会忽略光刻胶的保存和寿命问题,其实这个问题应该在我们购买光刻胶前就应该提出并规划好。并且,在光刻过程中如果发现有异常情况发生,我们通常要考虑光刻胶是否过期失效了。接下来我们将介绍一下光刻胶保存和老化失效的基础知识。
光刻胶的保存
光刻胶对光敏感,在光照或高温条件下其性能会发生变化。光刻胶在储存过程中会老化,因此通常保存在防光的棕色玻璃试剂瓶中(部分电子束胶由于对紫外波段不感光,有可能直接使用白色塑料瓶包装),冷藏保存,并且紫外光刻胶只能在黄光(λ> 500 nm)下进行处理。通常一款光刻胶的失效日期和建议的存储温度会标注产品标签上。如果保持在这些温度下,未开封的光刻胶将稳定到有效期(通常是生产后的2年,视产品不同略有不同)。通常光刻胶销售时会有一个承诺有效日期,这个日期往往会小于瓶示质保期。需要区分。
温度:对于绝大多数紫外光刻胶而言,通常建议的保存条件是5-10℃下保存(除制造商要求的特殊保存温度外)。如果未打开的瓶子在低于最佳温度的条件下(例如,在5 – 8°C的温度下与建议的10 – 18°C的温度相比)存储,则可以使一些光刻胶,在超过其有效期限外还可以保持光刻胶的特性并使用。
如果频繁打开光刻胶试剂瓶会导致溶剂蒸发,光刻胶会增稠并因此产生较厚的膜。对于膜厚为1.4 µm的光刻胶,仅损失1%的溶剂就已经导致4%的膜厚,因此带来的影响是需要更高的曝光剂量。所以建议按照实际使用的量进行购买相应包装规格的光刻胶。
如果已经购买了较大包装的光刻胶,可以分装在干净的小瓶中,减小光刻胶开盖次数,大瓶子应该密封好并保存于冷藏室中。另外,小瓶光刻胶可以使用锡箔纸包裹,并备注好相关信息存储。瓶子的清洗步骤:①丙酮(去除有机杂质);②异丙醇(清洗污染的丙酮残留物)。挥发较慢的异丙醇会破坏光刻胶,因此在装入光刻胶之前必须保证瓶中无异丙醇残留。
试剂瓶的选择:只有合适的塑料(无染色的特氟龙,无增塑剂的HD-PE)或低钠玻璃容器可用于储存、转移和分配光刻胶。光刻胶分装后到使用前,根据粘度的不同,建议等待几个小时,以便引入的气泡能够脱气,从而避免在在涂胶时出现气孔等缺陷。
稀释:稀释光刻胶会加速光刻胶的老化,因此建议合理计算使用稀释胶的量,按需求稀释,避免出现浪费。另外,稀释应该尽快完成,避免引入颗粒污染物。最后和分装一样,稀释的过程中不可避免的引入了气泡,需要用过静置一段时间,让气泡逸出后方可使用。
从冰箱中取出后,在任何情况下都不要立即打开瓶子,因为空气中的水汽会凝结在过冷的光刻胶表面,后续会形成气泡等缺陷。因此打开之前,应将瓶子在室温中自然恢复至室温再打开瓶盖。
对于显影液:水溶性显影液应该防止冷冻,即使偶尔的非极端存储条件也并不会导致显影液失效。有机显影液,请按照瓶示存储条件存储。对于一些对温度感的有机溶剂如二甲基亚砜(DMSO)的熔点刚好低于室温,所以可能会在较冷的房间里冷冻。解冻可能需要几天时间,但解冻后产品仍可照常使用。
对于添加缓冲试剂的氢氟酸(BOE),在较低温度的环境下易结晶,当然这取决于氟化氢浓度。 解冻后BOE任然可以使用。但是由于这些小晶体在几天后仍然存在,它们会沉淀在基片上并形成颗粒,所以处理时必须小心。
老化失效
在存储过程中,光敏组分与酚醛树酯的热化学反应可能导致形成红色偶氮染料,从而使光刻胶逐渐变暗。少量的染料已经使光刻胶充分变暗,但是不会严重影响光刻胶的性能。
储存了数年的光刻胶并且已经超过质保期外的话,只能在相当大的限制下使用。这也适用于在过高温度下存储的光刻胶或 高度稀释的光刻胶都会比正常情况下老化失效速度更快。其中一个不良结果就是由于光敏组分的沉淀而形成一定的颗粒。通过0.2 µm过滤器过滤只能在早期解决此问题。
从长远来看,光敏组分越来越多地从光刻胶中沉淀出来,这不仅会导致显影速度降低,而且还会产生更高的暗腐蚀和较低的附着力。如果在高温下(例如夏季)长时间未按照建议存储条件保存光刻胶,则可能会从感光成分中分离出氮气。打开时,瓶子会发出嘶嘶声并起泡沫。在这种情况下,应在瓶盖稍微打开的情况下放置1-2天,直到光刻胶稳定下来。如果不正确的存储时间不是很长时间,还可以适当使用该光刻胶,但其工艺参数往往需要适当修改。
粘附性变化,光刻胶的粘附性损失是由于树脂的化学变化造成的,在某些工艺中,可以通过优化的衬底预处理和/或通过烘烤来补偿。
厚度/粘度变化:如上所述,随着使用时间的延长,每次打开瓶盖都会使瓶子中填充的溶剂气氛破坏掉,从而导致光刻胶溶剂的持续挥发(一般开盖100次会有明显的变化),甚至是1%的溶剂变化都会导致光刻胶的粘度变化,从而导致光刻胶越用越厚,不是特别严重的情况下,可以通过提高转速来弥补。
显影液的老化失效:通常紫外光刻胶的显影液多为碱性显影液如NaOH、KOH或TMAH基显影液,其老化是由于吸收空气中的co2,从而导致显影液显影速度变慢。因此我们建议储存在封闭的原始容器中。 在开放的显影容器中,可以选择利用N2保护,如果条件不允许,其失效速度与容器的形状等有关,不能一概而论。
带光刻胶膜样品的存放
涂胶的晶圆保存,在晶圆上并经过前烘的光刻胶膜可以在曝光前保存数周而不会降低曝光的质量。但是需要注意保存条件,避免紫外(含紫外光源)的曝光,避免颗粒等污染物吸附在衬底上,部分特殊光刻胶需要注意空气气氛中的氧化。
曝光后的光刻胶膜最为敏感,灵敏度会在3小时后降低约3%(相当于初始值),在24小时候降低约6%,在72小时后降低约8%。电子束胶相较于紫外胶更加稳定。
显影后的光刻胶,由于不再利用其光敏成分,可以存储的时间会较显影前能够存储更长的时间,但是需要注意后续使用过程中的温度,过高的温度会使得形成的图形变形或者消失。

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 存储
    +关注

    关注

    13

    文章

    4696

    浏览量

    89571
  • 电子束
    +关注

    关注

    2

    文章

    130

    浏览量

    13944
  • 光刻胶
    +关注

    关注

    10

    文章

    348

    浏览量

    31551
  • BOE
    BOE
    +关注

    关注

    0

    文章

    159

    浏览量

    9171
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    中国打造自己的EUV光刻胶标准!

    电子发烧友网报道(文/黄山明)芯片,一直被誉为 人类智慧、工程协作与精密制造的集大成者 ,而制造芯片的重要设备光刻机就是 雕刻这个结晶的 “ 神之手 ”。但仅有光刻机还不够,还需要光刻胶、掩膜版以及
    的头像 发表于 10-28 08:53 5844次阅读

    光刻胶剥离工艺

    光刻胶剥离工艺是半导体制造和微纳加工中的关键步骤,其核心目标是高效、精准地去除光刻胶而不损伤基底材料或已形成的结构。以下是该工艺的主要类型及实施要点:湿法剥离技术有机溶剂溶解法原理:使用丙酮、NMP
    的头像 发表于 09-17 11:01 999次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离工艺

    光刻胶旋涂的重要性及厚度监测方法

    在芯片制造领域的光刻工艺中,光刻胶旋涂是不可或缺的基石环节,而保障光刻胶旋涂的厚度是电路图案精度的前提。优可测薄膜厚度测量仪AF系列凭借高精度、高速度的特点,为光刻胶厚度监测提供了可靠
    的头像 发表于 08-22 17:52 1389次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>旋涂的重要性及厚度监测方法

    国产光刻胶突围,日企垄断终松动

      电子发烧友网综合报道 光刻胶作为芯片制造光刻环节的核心耗材,尤其高端材料长期被日美巨头垄断,国外企业对原料和配方高度保密,我国九成以上光刻胶依赖进口。不过近期,国产光刻胶领域捷报频
    的头像 发表于 07-13 07:22 5671次阅读

    行业案例|膜厚仪应用测量之光刻胶厚度测量

    光刻胶,又称光致抗蚀剂,是一种关键的耐蚀剂刻薄膜材料。它在紫外光、电子束、离子束、X 射线等的照射或辐射下,溶解度会发生变化,主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。由于
    的头像 发表于 07-11 15:53 359次阅读
    行业案例|膜厚仪应用测量之<b class='flag-5'>光刻胶</b>厚度测量

    针对晶圆上芯片工艺的光刻胶剥离方法及白光干涉仪在光刻图形的测量

    引言 在晶圆上芯片制造工艺中,光刻胶剥离是承上启下的关键环节,其效果直接影响芯片性能与良率。同时,光刻图形的精确测量是保障工艺精度的重要手段。本文将介绍适用于晶圆芯片工艺的光刻胶剥离方法,并探讨白光
    的头像 发表于 06-25 10:19 730次阅读
    针对晶圆上芯片工艺的<b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离方法及白光干涉仪在<b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    用于 ARRAY 制程工艺的低铜腐蚀光刻胶剥离液及白光干涉仪在光刻图形的测量

    引言 在显示面板制造的 ARRAY 制程工艺中,光刻胶剥离是关键环节。铜布线在制程中广泛应用,但传统光刻胶剥离液易对铜产生腐蚀,影响器件性能。同时,光刻图形的精准测量对确保 ARRAY 制程工艺精度
    的头像 发表于 06-18 09:56 614次阅读
    用于 ARRAY 制程工艺的低铜腐蚀<b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离液及白光干涉仪在<b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    低含量 NMF 光刻胶剥离液和制备方法及白光干涉仪在光刻图形的测量

    引言 在半导体制造过程中,光刻胶剥离液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)虽在光刻胶剥离方面表现出色,但因其高含量使用带来的成本、环保等问题备受关注。同时,光刻图形的精准
    的头像 发表于 06-17 10:01 597次阅读
    低含量 NMF <b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离液和制备方法及白光干涉仪在<b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    金属低刻蚀的光刻胶剥离液及其应用及白光干涉仪在光刻图形的测量

    引言 在半导体制造与微纳加工领域,光刻胶剥离是重要工序。传统剥离液常对金属层产生过度刻蚀,影响器件性能。同时,光刻图形的精确测量也是确保制造质量的关键。本文聚焦金属低刻蚀的光刻胶剥离液及其应用,并
    的头像 发表于 06-16 09:31 519次阅读
    金属低刻蚀的<b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离液及其应用及白光干涉仪在<b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法及白光干涉仪在光刻图形的测量

        引言   在半导体制造领域,光刻胶剥离工艺是关键环节,但其可能对器件性能产生负面影响。同时,光刻图形的精确测量对于保证芯片制造质量至关重要。本文将探讨减少光刻胶剥离工艺影响的方法,并介绍白光
    的头像 发表于 06-14 09:42 657次阅读
    减少<b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离工艺对器件性能影响的方法及白光干涉仪在<b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    光刻胶产业国内发展现状

    如果说最终制造出来的芯片是一道美食,那么光刻胶就是最初的重要原材料之一,而且是那种看起来可能不起眼,但却能决定一道菜味道的关键辅料。 光刻胶(photoresist),在业内又被称为光阻或光阻剂
    的头像 发表于 06-04 13:22 659次阅读

    光刻胶剥离液及其制备方法及白光干涉仪在光刻图形的测量

    引言 在半导体制造与微纳加工领域,光刻胶剥离液是光刻胶剥离环节的核心材料,其性能优劣直接影响光刻胶去除效果与基片质量。同时,精准测量光刻图形对把控工艺质量意义重大,白光干涉仪为此提供了
    的头像 发表于 05-29 09:38 980次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离液及其制备方法及白光干涉仪在<b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    光刻胶的类型及特性

    光刻胶类型及特性光刻胶(Photoresist),又称光致抗蚀剂,是芯片制造中光刻工艺的核心材料。其性能直接影响芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介绍了光刻胶类型和
    的头像 发表于 04-29 13:59 6935次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>的类型及特性

    晶圆表面光刻胶的涂覆与刮边工艺的研究

    随着半导体器件的应用范围越来越广,晶圆制造技术也得到了快速发展。其中,光刻技术在晶圆制造过程中的地位尤为重要。光刻胶光刻工艺中必不可少的材料,其质量直接影响到晶圆生产的效率和质量。本文将围绕着晶圆
    的头像 发表于 01-03 16:22 1129次阅读

    光刻胶成为半导体产业的关键材料

    光刻胶是半导体制造等领域的一种重要材料,在整个电子元器件加工产业有着举足轻重的地位。 它主要由感光树脂、增感剂和溶剂等成分组成。其中,感光树脂决定了光刻胶的感光度和分辨率等关键性能,增感剂有助于提高
    的头像 发表于 12-19 13:57 1791次阅读