国产光刻胶通过半导体工艺量产验证

来源：太紫微公司

近日，光谷企业在半导体专用光刻胶领域实现重大突破：武汉太紫微光电科技有限公司（以下简称“太紫微公司”）推出的T150 A光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。

众所周知，光刻胶是半导体芯片制造过程中所必须的关键材料，其研发和生产过程复杂且严格。光刻胶是指经过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射后，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，主要应用于积体电路和分立器件的细微图形加工。
光刻工艺流程包括前处理、涂胶、软烘烤、对准曝光、PEB(Post Exposure Bake)、显影、硬烘烤和检验等八个环节。在这些环节中，光刻胶的性能直接影响到集成电路芯片的质量和性能。
光刻胶通常使用在紫外光波段或更小的波长(小于400纳米)进行曝光。由于目前光刻机曝光光源一共有六种，分别是紫外全谱（300～450nm）、 G 线（436nm）、 I 线（365nm）、深紫外（DUV，包括 248nm 和 193nm）和极紫外（EUV），相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生，对应分别为，g 线光刻胶、i 线光刻胶、KrF光刻胶、 ArF光刻胶、EUV光刻胶。

该产品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于被业内称之为“妖胶”的国外同系列产品UV1610，T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，其对后道刻蚀工艺表现更为友好，通过验证发现T150 A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。

值得注意的是，太紫微公司成立于2024年5月，由华中科技大学武汉光电国家研究中心团队创立。团队立足于关键光刻胶底层技术研发，在电子化学品领域深耕二十余载。

企业负责人、英国皇家化学会会员、华中科技大学教授朱明强表示：“以原材料的开发为起点，最终获得具有自主知识产权的配方技术，这只是个开始，我们团队还会发展一系列应用于不同场景下的KrF与ArF光刻胶，为国内相关产业带来更多惊喜。”

太紫微核心研发团队成员（前排左一为朱明强教授）

太紫微公司致力于半导体专用高端电子化学品材料的开发，并以新技术路线为半导体制造开辟新型先进光刻制造技术，同时为材料的分析与验证提供最全面的手段。

“无论是从国内半导体产业崛起的背景来看，还是从摩尔定律演变的规律展望未来，‘百家争鸣’的局面已形成，光刻领域还会有很多新技术、新企业破茧成蝶，但拥有科技创新的力量是存活下去的必要前提。”太紫微外聘专家顾问表示。

审核编辑 黄宇