关键词: 常温键合;第三代半导体;异质集成;半导体设备;青禾晶元;半导体技术突破;碳化硅(SiC);氮化镓(GaN);超高真空键合;先进封装;摩尔定律 随着5G/6G通信、新能源汽车与人工智能对芯片
2025-12-29 11:24:17
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深耕,一举斩获两项大奖——“2025年度第三代半导体市场开拓领航奖”,以及ST首款专为电机控制设计的600V半桥功率GaN及驱动器GANSPIN611荣获的“2025年度优秀产品奖”!
2025-12-28 09:14:18
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为推动小芯片创新的下一波浪潮,Cadence 成功流片其第三代通用小芯片互连技术(UCIe)IP 解决方案,在台积电先进的 N3P 工艺上实现了业界领先的每通道 64Gbps 速率。随着行业向日
2025-12-26 09:59:44
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Neway第三代GaN系列模块的生产成本Neway第三代GaN系列模块的生产成本受材料、工艺、规模、封装设计及市场定位等多重因素影响,整体呈现“高技术投入与规模化降本并存”的特征。一、成本构成:核心
2025-12-25 09:12:32
2025年12月4日,深圳高光时刻!由第三代半导体产业标杆机构「行家说三代半」主办的「2025行家极光奖」颁奖晚宴盛大启幕,数百家SiC&GaN领域精英企业齐聚一堂,共襄产业盛事。
2025-12-13 10:56:01
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集团【AspenCore】主办的全球电子成就奖(WEAA)——年度功率半导体产品奖;另一项则是由第三代半导体产业知名研究机构【行家说】评定的 年度优秀产品奖 。
2025-12-11 15:25:38
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2025年行至尾声,智融科技凭借领先的数模混合设计实力、卓越的消费级电源管理方案,以及在第三代半导体驱动技术的前瞻布局,一举揽获多项行业大奖,成为国产数模混合IC与GaN/SiC第三代半导体驱动赛道的“双料”先锋!
2025-12-11 15:20:51
377 近日,在深圳举办的“2025行家极光奖”颁奖典礼上,士兰微电子凭借在碳化硅(SiC)领域的持续创新与深厚积累,一举斩获三大奖项:“中国SiC器件IDM十强企业”、“中国SiC模块十强企业”以及“第三代半导体年度创新产品”。
2025-12-10 17:43:35
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与之匹配的被动元件协同进化。 当第三代半导体器件以其高频、高效、耐高温高压的优势,在新能源汽车电驱系统、光伏储能逆变器、工业伺服电源、AI服务器电源及数据中心供电等场景中加速普及时,供电系统中的电容正面临前所未有的挑战:高频开关噪声加剧、高温容值
2025-12-04 15:34:17
217 如有雷同或是不当之处,还请大家海涵。当前在各网络平台上均以此昵称为ID跟大家一起交流学习! 碳化硅(SiC)功率器件作为第三代半导体的核心代表,凭借其高频、高效、耐高温、耐高压等特性,正在新能源汽车、光伏储能、工业电源
2025-12-04 08:21:12
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如有雷同或是不当之处,还请大家海涵。当前在各网络平台上均以此昵称为ID跟大家一起交流学习! 碳化硅是第三代半导体材料的代表;而半导体这个行业又过于学术,为方便阅读,以下这篇文章的部分章节会以要点列示为主,如果遗漏
2025-12-03 08:33:44
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如有雷同或是不当之处,还请大家海涵。当前在各网络平台上均以此昵称为ID跟大家一起交流学习! 我曾是一名从事第三代半导体行业的产品质量管理从业者,所以一直深耕于半导体产品的质量把控工作,特别是现在的碳化硅(SIC)材料领域
2025-12-02 08:33:06
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(World Electronics Achievement Awards, 简称WEAA)年度功率半导体/驱动器产品奖,彰显了安森美在第三代半导体领域技术领导地位和市场优势。
2025-11-27 13:55:06
1348 在半导体设计与制造过程中,器件性能的精确测试是确保产品可靠性与一致性的关键环节。苏州永创智能科技有限公司推出的 STD2000X 半导体静态电性测试系统 ,正是面向 Si、SiC、GaN 等材料
2025-11-21 11:16:03
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。 然而,传统测试系统往往面临精度不足、兼容性差、扩展性弱等挑战,尤其在面对第三代半导体材料(如SiC、GaN)时,更是力不从心。 今天我们来看一款来自苏州永创智能科技的STD2000X 半导体静态电性测试系统,它不仅在精度与速度上实
2025-11-20 14:53:16
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在第三代半导体器件的研发与性能评估中,对半桥电路上管进行精确的电压与电流参数测试,是优化电路设计、验证器件特性的关键环节。一套科学、可靠的测试方案可为技术开发提供坚实的数据支撑,加速技术迭代与产业化
2025-11-19 11:01:05
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引言1.1研究背景与意义碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料,相比传统硅基材料具有显著的技术优势。SiC材料的禁带宽度为3.26eV,是硅的近3倍;击穿场强达3MV/cm,是硅的10倍;热导率
2025-11-19 07:30:47
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11月11至14日,年度国际第三代半导体行业盛会——第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛(IFWS & SSLCHINA 2025)在厦门隆重召开,中微
2025-11-18 14:02:44
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的保障,半导体器件的测试也愈发重要。 对于半导体器件而言,它的分类非常广泛,例如二极管、三极管、MOSFET、IC等,不过这些器件的测试有共性也有差异,因此在实际的测试时测试项目也有通用项目和特殊项目,本文将为大家整
2025-11-17 18:18:37
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行家说极光奖,作为聚焦于第三代半导体领域的专业奖项,以其严谨的产业洞察与技术前瞻性,已成为衡量企业创新深度与市场价值的重要风向标。它旨在表彰那些具有行业表率的优秀企业、引领产业变革的创新技术和优秀产品。
2025-11-17 10:19:49
725 2025年11月11-14日,第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛(IFWS&SSLCHINA 2025)在厦门盛大召开。作为覆盖90余个国家及地区、汇聚
2025-11-14 17:53:47
2418 如有雷同或是不当之处,还请大家海涵。当前在各网络平台上均以此昵称为ID跟大家一起交流学习! 碳化硅(Silicon Carbide, SiC)作为第三代半导体材料的代表,以其优异的物理和化学特性,在电力电子、光电子、射频器件等领域展现出了巨
2025-11-11 08:13:37
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加利福尼亚州托伦斯——2025年11月3日讯:下一代GaNFast氮化镓与高压碳化硅 (GeneSiC) 功率半导体行业领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未经审计的第三季度财务业绩。
2025-11-07 16:46:05
2452 近日,在2025世界智能网联汽车大会(WICV)“中国芯”汽车芯片供需对接会上,欧冶半导体凭借在智能汽车第三代E/E架构芯片领域的创新突破与产业贡献,获评为“2025中国汽车芯片优秀供应商”。
2025-11-03 10:22:28
455 电子器件、材料、半导体和有源/无源元器件。
可以在 CV 和 IV 测量之间快速切换,无需重新连接线缆。
能够捕获其他传统测试仪器无法捕获的超快速瞬态现象。
能够检测 1 kHz 至 5 MHz
2025-10-29 14:28:09
10月25日,第三代半导体产业合作大会在盐城高新区召开。省工业和信息化厅二级巡视员余雷、副市长祁从峰出席会议并致辞。盐都区委书记马正华出席,盐都区委副书记、区长臧冲主持会议。
2025-10-27 18:05:00
1276 在新能源汽车、5G通信和人工智能的推动下,功率半导体正经历前所未有的技术变革。SiC和GaN等第三代半导体器件的高频、高压特性,对封装基板提出了更严苛的要求——既要承受超高功率密度,又要确保信号
2025-10-22 18:13:11
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第56个世界标准日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会、广电计量主办,无锡广电计量承办的半导体功率器件标准与检测研讨会在无锡顺利举行,汇聚行业权威专家,分享前沿技术议题,以标准引领技术创新,质量护航“中国芯”崛起。
2025-10-21 14:28:57
2221 随着第三代半导体材料SiC在新能源汽车、5G通信和工业控制等领域的广泛应用,其动态特性的精准测量成为保障系统可靠性的关键。泰克示波器凭借高带宽、高速采样率和专业的分析功能,为SiC器件的动态参数测试
2025-10-17 11:42:14
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以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,正加速替代传统硅基材料,在新能源汽车、工业控制等领域实现规模化应用。GaN 凭借更高的电子迁移率和禁带宽度,成为高频通信、快充设备的核心
2025-10-13 18:29:43
402 2025年9月,一场聚焦前沿技术的“碳化硅功率器件测试和应用高级研修班”在苏州圆满落幕。本次盛会汇聚了全国各地的企业研发精英与测试工程师,共同探索第三代半导体的测试挑战与行业未来。普源精电(RIGOL)受邀出席,携核心解决方案与现场工程师展开深度交流,以硬核技术实力点燃全场热情。
2025-10-13 13:57:46
420 精准洞察,卓越测量---BW-4022A半导体分立器件综合测试平台
原创 一觉睡到童年 陕西博微电通科技
2025年09月25日 19:08 陕西
在半导体产业蓬勃发展的浪潮中,每一颗微小的半导体
2025-10-10 10:35:17
搭载第三代无线SoC中的Secure Vault安全技术率先通过PSA 4级认证
2025-10-09 15:57:30
42390 基本半导体B3M平台深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用 第一章:B3M技术平台架构前沿 本章旨在奠定对基本半导体(BASIC Semiconductor)B3M系列的技术认知
2025-10-08 13:12:22
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型栅极驱动器(BTD系列)和配套的电源管理芯片(BTP系列),明确围绕第三代半导体——碳化硅(SiC)MOSFET驱动的 高频、高压、高可靠性 核心需求进行构建 。这些产品在设计上高度契合SiC器件的低阈值电压、极高开关速度和高 dV/dt等特性带来的挑战。 该公司的策
2025-09-30 17:53:14
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倾佳电子行业洞察:基本半导体第三代G3碳化硅MOSFET助力高效电源设计 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备
2025-09-21 16:12:35
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8月28日,为期三天(8月26日-28日)的深圳电子展暨嵌入式展在深圳会展中心(福田)圆满落幕,作为电子行业的年度大展,elexcon汇聚了全球400+家顶尖技术巨头,探讨从AI芯片、存算一体、RISC-V生态,到第三代半导体、绿色能源电子等一系列议题。
2025-09-08 11:31:15
2241 当前,全球能源结构加速向清洁化、电动化与智能化升级,功率半导体器件成为能源变革与电力电子创新的核心基石。以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,凭借其宽禁带、高击穿场强、高热导率、高频低损耗等
2025-09-06 13:14:26
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界面可能影响用户体验; • 多功能一体设计虽全面,但测试流程和接线配置耗时,效率有待优化。 国产设备: • 模块化组合设计导致体积较大,难以适配自动化产线的高效需求; • 电压范围有限,难以满足第三代半导体器件的测试要求; •
2025-09-03 17:49:11
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碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的杰出代表,其物理特性,如宽禁带、高临界电场和高热导率,从根本上超越了传统硅(Si)基功率器件的性能极限。这些本征优势为电力电子系统的革新提供了坚实基础,尤其是在高压、大功率和高频应用中。
2025-08-30 10:03:11
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碳化硅是第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定,哪怕是在超过300℃的高温环境下,打破了传统材料下器件的参数瓶颈,直接促进了新能源等产业的升级。
2025-08-27 16:17:43
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随着全球能源转型、智能制造和高效电力系统的快速发展,半导体器件在工业领域中的地位日益重要。近年来,第三代半导体材料碳化硅(SiC,SiliconCarbide)凭借其卓越的电学、热学和机械性能
2025-08-25 14:10:30
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基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET半桥模块,该系列产品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技术,在比导通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现更出色。
2025-08-01 10:25:14
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近日,在第五届全国新型储能技术及工程应用大会现场,广州智光储能科技有限公司(简称 “智光储能”)与海辰储能联合发布基于∞Cell 587Ah 大容量电池的第三代级联型高压大容量储能系统。这一突破性成果标志着全球首个大容量储能电池从技术发布到闭环应用的完整落地,为储能产业安全与高效发展注入新动能。
2025-07-30 16:56:14
1231 半导体产业作为现代科技的基石,其技术的发展日新月异。半导体器件从设计到生产,每个环节都对测试设备的精度、效率提出了严苛要求。示波器作为关键的测试测量仪器,在半导体器件测试中发挥着不可或缺的作用。是德
2025-07-25 17:34:52
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半导体分立器件主要包括: 二极管 (如整流二极管、肖特基二极管) 三极管 (双极型晶体管、场效应管) 晶闸管 (可控硅) 功率器件 (IGBT、MOSFET) 2. 核心测试参数 电气特性 :正向/反向电压、漏电流、导
2025-07-22 17:46:32
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近日,总投资超200亿元的长飞先进半导体基地项目正式运营投产。该项目是目前国内规模最大的碳化硅半导体基地,年产36万片6英寸碳化硅晶圆,可满足144万辆新能源汽车制造需求,推动我国第三代半导体实现
2025-07-22 07:33:22
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目录
第1章 半导体中的电子和空穴第2章 电子和空穴的运动与复合
第3章 器件制造技术
第4章 PN结和金属半导体结
第5章 MOS电容
第6章 MOSFET晶体管
第7章 IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本书较全面地讲述了现有各类重要功率半导体器件的结构、基本原理、设计原则和应用特性,有机地将功率器件的设计、器件中的物理过程和器件的应用特性联系起来。
书中内容由浅入深,从半导体的性质、基本的半导体
2025-07-11 14:49:36
BLR3XX系列是上海贝岭推出的第三代高精度基准电压源。具有高输出精度、低功耗、低噪声以及低温度系数的特性。
2025-07-10 17:48:14
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分档编程与16Bin分选机对接,量产测试效率达10,000件/小时 全兼容测试范围 覆盖硅基器件至第三代
2025-07-04 11:39:43
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此前,6.20~22日,为期三天的2025南京世界半导体博览会圆满落幕,本次大会集聚优势资源,聚焦人工智能技术、第三代半导体、汽车半导体、先进封装等热点领域,联合权威产业专家、行业优秀公司及政府相关部门,共绘产业高质量发展蓝图。
2025-06-24 17:59:23
1317 此前,6月20日至22日,为期三天的2025南京世界半导体博览会圆满落幕。本届大会汇聚优质资源,聚焦人工智能技术、第三代半导体、汽车半导体、先进封装等前沿热点领域,携手权威产业专家、行业领军企业及政府相关部门,共同擘画产业高质量发展新蓝图。
2025-06-23 17:57:46
1190 电子发烧友网综合报道,消息人士称,英伟达计划于 7 月推出第三代 “阉割芯片”。此次推出的 B20 和 B40/B30 芯片将替代 H20 芯片,试图重新夺回市场份额。 B20 芯片
2025-06-21 00:03:00
3666 近日,国内首家聚焦智能汽车第三代E/E架构的SoC芯片及解决方案商欧冶半导体宣布,已完成亿元人民币B3轮融资。本轮融资由光学龙头企业舜宇光学科技旗下舜宇产业基金战略领投,合肥高投、老股东太极华青佩诚
2025-06-19 16:09:25
1080 第三代半导体材料,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表,因其在高频、高效率、耐高温和耐高压等性能上的卓越表现,正在成为半导体领域的重要发展方向。在这些材料的制程中,电镜技术发挥着不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46
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第三代“快速”碳化硅MOSFET将助力Brightloop打造重型农业运输设备专用的氢燃料电池充电器。 BrightLoop所提供的领先高性能解决方案, 功率转换效率超过98%,功率密度高达35kW
2025-06-16 10:01:23
46514 
发展最成熟的第三代半导体材料,可谓是近年来最火热的半导体材料。尤其是在“双碳”战略背景下,碳化硅被深度绑定新能源汽车、光伏、储能等节能减碳行业,万众瞩目。陶瓷方面,
2025-06-15 07:30:57
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寻迹智行第三代自研移动机器人控制器BR-300G获欧盟CE认证
2025-06-12 13:47:53
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作为国内MOSFET功率器件研发的先行者之一,新洁能始终致力于功率半导体核心技术的突破,其研发团队持续创新,正式推出第三代SGT产品Gen.3 SGT MOSFET,电压涵盖25-150V系列产品
2025-06-11 08:59:59
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继X60和X100之后,进迭时空正在基于开源香山昆明湖架构研发第三代高性能处理器核X200。与进迭时空的第二代高性能核X100相比,X200的单位性能提升75%以上,达到了16SpecInt2006
2025-06-06 16:56:07
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的困难。特别对于第三代半导体的测试,LET-2000D有着较高的系统带宽和测试精度,可以有效准确的测量出实际的器件参数。 硬件优势>>>■ 采用LECROY
2025-06-05 10:02:46
力钛科LETAK功率器件静态参数测试系统,集多种测量功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性
2025-06-05 09:49:14
Silicon Labs(芯科科技)第三代无线开发平台SoC代表了下一代物联网无线产品开发趋势,该系列产品升级了三大功能特性:可扩展性、轻松升级、顶尖性能,因而得以全面满足未来物联网应用不断扩增
2025-06-04 10:07:39
927 ,与来自高校、科研机构及产业链企业的多位专家,围绕“第三代半导体未来发展的趋势及当下面临的问题”等议题展开深入交流。施俊先生也为大家带来了《SiC功率器件的技术发展和应用,面临挑战和未来趋势》主题演讲。
2025-05-26 18:07:03
1482 随着电子技术的快速发展,半导体材料的研究与应用不断演进。传统的硅(Si)半导体已无法满足现代电子设备对高效能和高频性能的需求,因此,第三代半导体材料应运而生。第三代半导体主要包括氮化镓(GaN
2025-05-22 15:04:05
1951 瑞能G3 超结MOSFET Analyzation 瑞能超结MOSFET “表现力”十足 可靠性表现 可靠性保障 •瑞能严谨执行三批次可靠性测试,确保产品品质。 •瑞能超级结 MOSFET
2025-05-22 13:59:30
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随着AI技术井喷式快速发展,进一步推动算力需求,服务器电源效率需达97.5%-98%,通过降低能量损耗,来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇,瑞能半导体先发制人,推出的第三代超结MOSFET,能全面满足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35
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近日,英飞凌的磁传感器门类再添新兵,第三代3D霍尔传感器TLE493D-x3系列在经历两代产品的迭代之后应运而生。
2025-05-22 10:33:42
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从清华大学到镓未来科技,张大江先生在半导体功率器件十八年的坚守!近年来,珠海市镓未来科技有限公司(以下简称“镓未来”)在第三代半导体行业异军突起,凭借领先的氮化镓(GaN)技术储备和不断推出的新产品
2025-05-19 10:16:02
电子发烧友网综合报道 消息人士指出,日本 TDK 公司正加速推进第三代硅阳极电池的量产进程,将出货时间从原计划的第三季度提前至 6 月底。 这款电池的核心技术在于将负极材料由传统石墨替换为硅材料
2025-05-19 03:02:00
2928 恩智浦半导体发布采用16纳米FinFET技术的新一代S32R47成像雷达处理器,进一步巩固公司在成像雷达领域的专业实力。S32R47系列是第三代成像雷达处理器,性能比前代产品提升高达两倍,同时改进
2025-05-12 15:06:43
53628 制造与封测领域优质供应商榜单。本届大会以\"新能源芯时代\"为主题,汇集了来自功率半导体、第三代材料应用等领域的行业专家与企业代表。
作为专注电子测试测量领域的高新技术企业,麦科
2025-05-09 16:10:01
第三代半导体材料SiC(碳化硅)凭借其高击穿电压、低导通电阻、耐高温等特性,在新能源汽车、工业电源、轨道交通等领域展现出显著优势。然而,SiC器件的高频开关特性也带来了动态测试的挑战:开关速度可达纳
2025-04-22 18:25:42
683 
SC2020晶体管参数测试仪/半导体分立器件测试系统-日本JUNO测试仪DTS-1000国产平替 专为半导体分立器件测试而研发的新一代高速高精度测试机。
2025-04-16 17:27:20
0 关键词:双脉冲测试,上管测试,下管测试,电源完整性测试套件宽禁带半导体作为第三代半导体功率器件的代表,正在电源处理领域发挥着日益重要的作用。这类材料凭借其高能量密度、高工作频率以及耐高温等天然优势
2025-04-11 15:00:14
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新的机遇和挑战。为了更好地解读产业格局,探索未来的前进方向,行家说三代半与行家极光奖联合策划了 《第三代半导体产业-行家瞭望2025》 专题报道。 日前, 意法半导体意法半导体中国区-功率分立和模拟产品器件部-市场及应用副总裁Francesco MUGGERI 接受
2025-04-10 09:18:41
3665 随着新能源电动汽车行业的蓬勃发展,其动力系统的关键组件:IGBT及SiC MOSFET驱动件需求量十分可观;为更好地迎合上述市场的需求,金升阳推出了高性能的第三代插件式单路驱动电源QA_(T)-R3S系列(“T”为贴片式封装)。
2025-04-09 17:25:26
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近日,国内首家智能汽车第三代E/E架构AI SoC芯片及解决方案商欧冶半导体宣布,已成功完成数亿元人民币B2轮融资。本轮融资由国投招商、招商致远资本及聚合资本共同投资。
2025-03-25 09:48:28
854 日前,广东领益智造股份有限公司(简称“领益智造”)2025年供应商大会于广东深圳领益大厦成功召开。纳微达斯(无锡)半导体有限公司(简称“纳微半导体”)凭借领先的第三代功率半导体技术,与领益智造
2025-03-14 11:51:04
3895 SO1400是专为第三代光耦器件设计的全自动测试系统,集成1400V高压测试与1A大电流驱动能力。本设备采用军工级测试架构,满足工业4.0标准下对光耦器件的在线质量检测与可靠性验证需求,适用于新能源、智能电网等高可靠性应用场景。
2025-03-13 12:05:29
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亮点 :国产企业级NVMe主控芯片领军者,第三代PCIe 4.0芯片已量产,正在研发7nm PCIe 5.0产品,客户覆盖数据中心与云计算头部企业。
8. 知存科技(WITINMEM)
领域 :存算一体
2025-03-05 19:37:43
一谈起低轨卫星,大家势必会说起马斯克的星链。一谈起相控阵天线,大家还是绕不开马斯克的星链。星链给大家打了个样,一众企业在模仿,试图实现超越和跟随。最近,拆了一台第三代星链终端。但是,看不懂,完全
2025-03-05 17:34:16
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近日,威睿电动汽车技术(宁波)有限公司(简称“威睿公司”)2024年度供应商伙伴大会于浙江宁波顺利召开。纳微达斯(无锡)半导体有限公司(简称“纳微半导体”)凭借在第三代功率半导体中的技术创新和协同成果,喜获“优秀技术合作奖”。
2025-03-04 09:38:23
969 SemiQ最新发布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代产品基础上实现突破性升级,芯片面积缩小20%,开关损耗更低,能效表现更优。该产品专为电动汽车充电桩、可再生能源系统、工业
2025-03-03 11:43:43
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硅基半导体经过多年发展,其性能逐渐接近极限,在进一步降本增效的背景下,第三代宽禁带半导体氮化镓功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48
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生长4英寸导电型氧化镓单晶仍沿用了细籽晶诱导+锥面放肩技术,籽晶与晶体轴向平行于[010]晶向,可加工4英寸(010)面衬底,适合SBD等高功率器件应用。 在以碳化硅和氮化镓为主的第三代半导体之后,氧化镓被视为是下一代半导体的最佳材
2025-02-17 09:13:24
1340 一、引言随着科技的不断发展,功率半导体器件在电力电子系统、电动汽车、智能电网、新能源并网等领域发挥着越来越重要的作用。近年来,第三代宽禁带功率半导体器件以其独特的高温、高频、高耐压等特性,逐渐
2025-02-15 11:15:30
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近日,在深圳举办的行家说第三代半导体年会——碳化硅&氮化镓产业高峰论坛上,闻泰科技半导体业务凭借其领先产品“针对工业和可再生能源应用的CCPAK封装GaN FET”荣获「GaN年度优秀产品奖」。这一荣誉不仅是对闻泰科技半导体业务技术创新的认可,更是对其在第三代半导体领域深耕细作成果的肯定。
2025-02-14 17:24:30
1020 2025 亚洲国际功率半导体、材料及装备技术展览会将于2025年11月20-22日在广州保利世贸博览馆举办;展会将汇聚全球优质品牌厂商齐聚现场,打造功率半导体全产业链创新展示、一站式采购及技术交流平台,集中展示半导体器件、功率模块、第三代半导体、材料、封装技术、测试技术、生产设备、散热管理等热门产品
2025-02-13 11:49:01
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近日,中国在太空成功验证了首款国产碳化硅(SiC)功率器件,这一突破性进展标志着第三代半导体材料有望牵引中国航天电源系统升级换代,为中国航天事业以及相关制造业的转型升级注入强大动力。 2024年11
2025-02-11 10:30:06
1343 在《意法半导体新能源功率解决方案:从产品到应用,一文读懂(上篇)》文章中,我们着重介绍了ST新能源功率器件中的传统IGBT和高压MOSFET器件,让大家对其在相关领域的应用有了一定了解。接下来,本文将聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半导体产品以及其新能源功率解决方案。
2025-02-07 10:38:50
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来源:新华网 我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件 以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉,我国在太空
2025-02-05 10:56:13
517 、新能源、医疗健康、智能制造等领域。 电子科技领域,多个半导体相关项目上榜,涉及传感器、半导体封测、半导体器件、第三代半导体等产业,上榜半导体项目如下: 山东先导智感电子科技有限公司的激光雷达及传感器件生产项目、山东浪潮华光光电子公司的
2025-01-15 11:04:25
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本文介绍第三代宽禁带功率半导体的应用 在电动汽车的核心部件中,车用功率模块(当前主流技术为IGBT)占据着举足轻重的地位,它不仅决定了电驱动系统的关键性能,还占据了电机逆变器成本的40%以上。鉴于
2025-01-15 10:55:57
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全球第三代半导体产业发展迅速,成为半导体技术研究的前沿和产业竞争的焦点。在新能源汽车等应用市场快速发展的推动下,国内外厂商正在积极布局碳化硅业务,发展前景究竟如何? 随着全球科技的飞速发展,半导体
2025-01-08 17:23:51
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电子发烧友网站提供《EE-230:第三代SHARC系列处理器上的代码叠加.pdf》资料免费下载
2025-01-08 14:43:01
0 电子发烧友网站提供《EE-220:将外部存储器与第三代SHARC处理器和并行端口配合使用.pdf》资料免费下载
2025-01-06 16:12:11
0 在半导体器件的实际部署中,它们会因功率耗散及周围环境温度而发热,过高的温度会削弱甚至损害器件性能。因此,热测试对于验证半导体组件的性能及评估其可靠性至关重要。然而,半导体热测试过程中常面临诸多挑战
2025-01-06 11:44:39
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