安世半导体1200V SiC MOSFET产品荣获两项行业大奖

近日，安世半导体在碳化硅（SiC）功率器件领域的技术实力再次获得行业权威认可。1200 V SiC MOSFET产品系列凭借卓越的创新设计与可靠性能，接连将两项行业大奖收入囊中：一项是由国际知名媒体集团【AspenCore】主办的全球电子成就奖(WEAA)——年度功率半导体产品奖；另一项则是由第三代半导体产业知名研究机构【行家说】评定的年度优秀产品奖。

年度功率半导体产品奖

奖项介绍：全球电子成就奖旨在表彰在全球范围内推动电子产业创新的杰出企业与产品。

产品优势：该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技术在封装环节的便捷优势以及通孔技术的高效散热能力，确保优异的散热效果。

应用市场：适合电动汽车充电基础设施、光伏逆变器、开关电源、不间断电源和电动机驱动。精准满足了众多高功率（工业）应用领域对分立式SiC MOSFET不断增长的需求，借助顶部散热技术的优势，该系列器件得以实现卓越的热性能表现。

年度优秀产品奖

奖项介绍：该奖项聚焦第三代半导体领域具有技术突破和市场价值的产品，旨在表彰那些具有行业表率的优秀企业、引领产业变革的创新技术和优秀产品。

产品优势：通过AEC-Q101车规认证的这款产品，集成了低开关损耗、高速开关性能、快速反向恢复和强健体二极管等特性，配合独立开尔文源极优化开关特性，展现出优异的导通电阻温度稳定性。

应用市场：该器件兼具优异的导通电阻温度稳定性和快速开关特性，使其成为大功率高压汽车应用（如电动汽车车载充电器、DC-DC转换器和辅助驱动系统）的理想选择。

持续创新，助力产业

从2019年确立第三代半导体战略方向，到2024年进行了对德国晶圆厂碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术领域的投资升级，安世半导体正逐步建立从设计到制造的全链路能力。其车规级SiC MOSFET等创新产品得以快速推向市场，并相继获得全球电子成就奖（WEAA）与第三代半导体优秀产品奖，标志着其技术实力获得了从行业到客户的双重验证。

未来，我们将继续携手合作伙伴，共同推动功率电子技术发展，助力实现更高效、更可持续的能源未来。

Nexperia (安世半导体)

Nexperia（安世半导体）总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有12,500多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia（安世半导体）的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半导体）为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia（安世半导体）拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。

Nexperia：效率致胜。