广电计量出席半导体功率器件标准与检测研讨会

核心导读

当前，全球半导体产业正处于技术迭代与格局重塑的关键时期，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体在新能源汽车、服务器电源、光伏储能、高密度电源等领域有着广泛的应用。10月14日，正值第56个世界标准日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会、广电计量主办，无锡广电计量承办的半导体功率器件标准与检测研讨会在无锡顺利举行，汇聚行业权威专家，分享前沿技术议题，以标准引领技术创新，质量护航“中国芯”崛起。

标准引领

标准成为产业发展战略的重要部分

活动以“创‘芯’赋能 标准筑基”为主题，第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长、中国科学院半导体研究所原副所长杨富华，广电计量党委副书记、总经理明志茂出席活动并致辞，无锡市新吴区科学技术协会副主席张少波，来自半导体产业链上下游的技术专家、高校学者、企业代表约150人参会。广电计量总经理助理、无锡广电计量总经理储程晨作开场主持。

第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长、中国科学院半导体研究所原副所长杨富华致辞中强调，标准已从传统意义上的产品互换和质量评判的依据，上升为产业整体发展战略的重要组成部分，成为事关产业发展的基础性、先导性和战略性工作。希望以标准为引领，以创新为驱动，共同构建开放、共享、可持续的第三代半导体产业生态体系。

广电计量党委副书记、总经理明志茂在致辞中表示，广电计量将积极推动新技术、新方法、新工具、新标准和新体系的“五新”能力构建，加强半导体全链条标准化体系建设，同时推动“AI+检测”深度融合，构建覆盖半导体全生命周期的数字化质量保障服务平台，为第三代半导体产业从材料创新到终端产品升级全程保驾护航。

干货满满

大咖汇聚为行业发展建言献策

研讨会主题紧扣半导体国家战略，汇聚复旦大学、上海交通大学、西安交通大学、东南大学、电子科技大学、华北电力大学、中电科五十五所、广电计量、忱芯科技、飞仕得等半导体产业上下游权威专家，分享SiC、GaN功率器件标准与检测等技术议题，为促进功率电子的规模应用，服务新兴市场开拓注入“智慧力量”。其中，广电计量集成电路测试与分析事业部副总经理李汝冠作《支撑新兴市场开拓的SiC MOSFET标准体系布局与应用实施》主题分享。

东南大学副教授魏家行作《碳化硅功率MOS器件及可靠性研究进展》主题分享

中电科五十五所高级工程师张国斌作《面向模块应用的SiC MOSFET芯片测试筛选技术》主题分享

杭州飞仕得设备事业部首席技术官刘伟作《SiC MOSFET功率器件可靠性筛选方法与解决方案》主题分享

华北电力大学副教授李学宝作《碳化硅器件芯片级电流测量方法及应用》主题分享

上海交通大学副教授王亚林作《T/CASAS 061 SiC MOSFET模块局部放电试验方法》主题分享

广电计量集成电路测试与分析事业部副总经理李汝冠作《支撑新兴市场开拓的SiC MOSFET标准体系布局与应用实施》主题分享

第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长兼标准化委员会秘书长高伟担任上午场主持人

忱芯科技总经理毛赛君作《碳化硅功率器件 dv/dt 鲁棒性评估指南》IEC CDV 63672 ED1 解读&SiC MOSFET HTFB测试挑战与解决方案》主题分享

复旦大学研究生项载满作《SiC MOSFET浪涌可靠性及失效分析研究》主题分享

复旦大学研究生罗涛作《SiC MOSFET雪崩失效机理分析和仿真研究》主题分享

电子科技大学教授陈万军作《p-GaN栅HEMT器件栅极过压可靠性研究》主题分享

西安交通大学副教授周翔作《GaN器件电源模块的管理芯片发展趋势》主题分享

广东工业大学教授贺致远作《P-GaN HEMT动态阈值电压测试方法》主题分享

深圳平湖实验室工程师王小明作《P-GaN HEMT功率器件短路试验方法》主题分享

无锡广电计量副总经理陈振担任下午场主持人

此外，与会嘉宾分批参观了无锡广电计量实验室，深入了解广电计量在集成电路与失效分析等领域的技术实力和服务能力。

在半导体领域，广电计量是国内领先的半导体质量评价与可靠性解决方案提供商，公司聚焦先进半导体及超大规模集成电路国产自主可控需求，构建性能功能测试、可靠性及失效机理分析评估、芯片设计与制程分析、质量等级认证、功能安全评估和量产与批产测试筛选等全栈式检测与技术咨询服务能力。

未来，广电计量将持续深耕半导体材料及器件领域，加强产业链上下游协同合作，着力构建“产学研检用”深度融合的产业生态，以技术之力为产业链赋能，加速推动我国第三代半导体自主可控和国产化进程。