瑞能半导体第三代超结MOSFET技术解析（2）
瑞能G3 超结MOSFET
Analyzation
瑞能超结MOSFET “表现力”十足
可靠性表现
可靠性保障
•瑞能严谨执行三批次可靠性测试，确保产品品质。
•瑞能超级结 MOSFET 在可靠性检验中，不仅展现出样本间的高度一致性，更实现了零老化问题。
•瑞能超级结 MOSFET 展现出卓越的抗静电(ESD)能力。
升温表现
测试环境
测试平台:
1200W服务器电源
输入:
220VAC, 50HZ
工作频率：
62KHZ
器件温升曲线对比
器件温升@100%负载
WSJ3M65R065D的温升明显低于竞品。
效率表现
测试平台：1200W服务器电源
输入电压：220VAC，50HZ
工作频率：62KHZ
测量结果
采用WSJ3M65R065D系统整体效率比采用 Competitor A或Competitor B提升了约0.1%。
Solution
瑞能在服务器电源中的解决方案
瑞能方案
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原文标题：瑞能半导体第三代超结MOSFET（下）：数据中心能效的“六边形战士”
文章出处：【微信号：weensemi，微信公众号：瑞能半导体】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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