一起来了解半导体分立器件测试系统

一、核心技术特性

‌高精度测试能力‌

电压测试范围覆盖0-3300V（可扩展），分辨率达1mV；电流测试范围0-2500A，分辨率最低至0.1nA，测试精度控制在0.2%+2LSB

采用脉冲测试法（脉宽300μs-5ms）抑制温升，结合Kelvin四线消除接触电阻误差，确保大功率器件极限参数准确性

‌高效智能化操作‌

单参数测试速度达0.5ms/参数，百点I-V曲线生成仅需数秒

支持自动分档编程与16Bin分选机对接，量产测试效率达10,000件/小时

‌全兼容测试范围‌

覆盖硅基器件至第三代半导体（SiC/GaN），支持IGBT、MOSFET、晶闸管等12类器件40+静态/动态参数测试

模块化夹具适配TO/SOT/QFN等封装，无需额外设备

二、关键测试功能

测试类型	核心参数示例	应用场景
‌静态特性‌	VGE(th)、BVDSS、RDS(on)、漏电流（低至1.5pA）	来料检验/失效分析
‌动态特性‌	开关时间（10ns-10s）、Qg栅极电荷、反向恢复时间	器件选型/可靠性验证
‌极限参数‌	SOA安全工作区、雪崩耐量、热阻特性	研发验证/车规认证(AEC-Q101)

三、系统应用场景

‌工业制造‌：电力设备产线IGBT模块分选、新能源汽车电控系统器件检验

‌科研教育‌：高校半导体特性教学演示、研究所SiC器件热稳定性评估

‌国防军工‌：航天元器件可靠性筛选（累计超500万只器件验证）

四、典型系统配置

以西安中昊芯测SC2010/SC2020为代表的新一代国产设备具备：

主机单元 + 温控夹具套件（-55℃~+150℃模拟）

专业测试软件（LabVIEW平台开发，支持CSV/Excel导出）

门极过电保护适配器与自诊断代码系统

审核编辑 黄宇