意法半导体斩获2025行家极光奖两项大奖-电子发烧友网

‍‍‍‍‍‍2025年12月3-4日，由“行家说三代半”主办的“碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”在深圳圆满落幕。意法半导体（ST）受邀出席，凭借在宽禁带半导体领域的技术突破与市场深耕，一举斩获两项大奖——“2025年度第三代半导体市场开拓领航奖”，以及ST首款专为电机控制设计的600V半桥功率GaN及驱动器GANSPIN611荣获的“2025年度优秀产品奖”！

▲图片来源：活动主办方行家说三代半

大会现场，意法半导体功率器件技术市场经理潘虹发表《不同氮化镓GaN技术路线的性能边界与市场应用探索》主题演讲，深度分享ST在分立功率氮化镓技术的布局思路，以及构建GaN合作生态的实践与未来展望。

▲图片来源：活动主办方行家说三代半

全栈布局：从技术到供应链的核心竞争力

作为功率电子领域的革新性技术，GaN正以其卓越性能重构各行各业的能源效率标准，而ST凭借深厚的技术积淀与全产业链布局，正成为这场变革的核心推动者。

ST PowerGaN为不同行业带来定制化解决方案。在消费电子与机器人领域，ST的100V系列产品，电阻低至1.5-3.5mΩ，完美适配移动快充、笔记本适配器、人形机器人电源；在服务器与数据中心，700V EN-FCLGA封装产品支持HVDC转换与中间总线变换器，助力实现高效供电；工业能源领域，从光伏直流优化器、户用微型逆变器到储能系统，23-70mΩ的700V产品提供稳定可靠的功率支撑；而在汽车领域，ST PowerGaN覆盖400V/800V车载充电机、DC-DC转换器、牵引逆变器等核心场景，100V到1200V全电压区间产品满足不同车型需求。

这些产品的卓越性能，源于ST前沿的技术平台与供应链布局。ST采用GaN-on-Silicon常关型技术，基于p-GaN工艺打造，从GaN外延到功率器件制造实现垂直整合，目前正推进8英寸晶圆的自研生产。在供应链方面，ST构建了全decoupled双源供应体系，意大利卡塔尼亚工厂将于2025年第二季度启动前端生产，2027年实现满产，配合多家成熟合作伙伴，确保产品稳定供应与技术差异化优势。

在产品规划上，ST PowerGaN呈现出全面覆盖、持续迭代的清晰路线。2025年，ST推出多款量产产品；2026-2027年，从30V低压到1200V高压，从单向导通到双向开关，从1.5mΩ到350mΩ不同导通电阻规格的产品将陆续落地，搭配多样化封装，满足从消费级到工业级、汽车级的全场景应用。

场景实证：GaN技术赋能多领域高效升级

数据中心领域是GaN的重要战场。在800VDC供电架构下，从高压整流到核心供电的三级功率转换，都离不开GaN器件的支撑。一个1MW规模的数据中心机柜，需要采购价值180万美元的GaN器件，其中低压GaN更是需求主力。ST的全系列产品覆盖650V、100V、30V等电压等级，凭借低损耗、高频率特性，助力数据中心实现更高能效、更小机房空间占用，降低整体运营成本。

在140W USB PD3.1充电器测试中，SGT080R70ILB产品相比竞品650V GaN器件，不仅击穿电压提升至700V，结壳热阻低至0.52℃/W，在115Vac电压下效率更优，230Vac全负载场景下效率表现稳定，且传导EMI性能与竞品持平，完全满足终端产品的严苛要求。

在洗衣机的电机控制测试中，SGT105R70ILB与传统IGBT的对比测试更能凸显GaN的优势。在100-300W功率区间，GaN器件的效率始终优于IGBT 5-8个百分点，功率损耗仅为IGBT的一半左右；即使在600W满负载稳态运行下，GaN的结温最高仅82.4℃，热性能优异，为消费电子设备的高可靠性提供坚实保障。

针对新能源汽车OBC应用场景，ST创新推出GaN双向开关（BDS）。这款产品采用横向HEMT结构，共享漏极漂移区，相比传统垂直结构器件大幅缩减芯片面积，可替代传统背对背开关，支持维也纳整流器、T型逆变器等拓扑，还能赋能电流源逆变器等新型拓扑方案。在OBC拓扑对比中，基于650V GaN BDS的矩阵DAB方案，效率和功率密度均优于SiC方案，AC电感体积更小，为汽车电驱系统的小型化、高效化提供了全新可能。