力钛科LETAK功率器件静态参数测试系统,集多种测量功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、nA级漏电流测量能力等特点。支持高压模式下功率器件结电容测试,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
硬件优势>>>
力钛科LETAK功率器件静态参数测试系统,配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法灵活,能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。
■ 高电压达8000V(最大扩展至10kV)
■ 大电流达6000A(多模块并联)
■ nA级漏电流μΩ级导通电阻
■ 高精度测量0.1%
■ 模块化配置可添加或升级测量单元
■ 测试效率高、自动切换、一键测试
■ 兼容多种封装根据测试需求定制夹具
软件特点>>>
■ 测试主机内部采用的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,测试精度为0.1%
■ 最高支持8000V电压输出,且自带漏电流测量功能
■ 栅极-发射极,最大支持30V/10A脉冲电流输出与测试,可测试低至pA级漏电流
■ 电容特性测试包括输入电容、输出电容、以及反向传输电容测试,频率最高支持1MHz
■ 集电极-发射极,最大支持6000A高速脉冲电流,典型上升时间为15us,且具备电压高速同步采样功能
测试夹具>>>
针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体,IGBT、SiC、MOS、GaN等产品,力钛科提供整套测试夹具解决方案,可用于TO单管,半桥模组等产品的测试,后期可根据客户需求来定制化相对应封装。
系统参数>>>
项目 | 参数 | 范围 | 精准度 | |
集电极-发射极 | 电压 | 300V -- 8000V | ±0.1% | |
电流 | 5A -- 6000A | ±0.1% | ||
电压上升沿 | 5ms | N/A | ||
电流上升沿 | 15μs | N/A | ||
最小电压脉宽 | 1ms | ±100uS | ||
电流脉宽 | 50μs~500μs | ±5μs | ||
漏电流测试范围 | 1nA~100mA |
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栅极-发射极 | 电压 | 0--300V | ±0.1% | |
电流 | 0--30 | ±0.1% | ||
最小电压分辨率 | 30μV | N/A | ||
最小电流分辨率 | 1pA | N/A | ||
电容测试 | 频率范围 | 10Hz~1MHz | ±0.01% | |
电容值范围 | 0.01pF~9.9999F | ±0.05% |
