瑞能半导体第三代超结MOSFET技术解析（1）

随着AI技术井喷式快速发展，进一步推动算力需求，服务器电源效率需达97.5%-98%，通过降低能量损耗，来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇，瑞能半导体先发制人，推出的第三代超结MOSFET，能全面满足高效能需求。

特技抢先看

新一代芯片技术平台：大幅提升FOM优值，赋能高效系统。

创新的TOLL封装：较低的封装电阻、寄生电感、优秀的散热性能，提升系统热管理性能。

行业领先的功率密度：为小型化提供了卓越的解决方案，重塑性能标杆。

完整的产品组合：覆盖高低压单元，为客户提供一站式解决方案。

瑞能超结MOSFET技术路线

Cell pitch shrink

EPI with lower resistance

Shorter Pillar depth

瑞能 G1 超结 MOSFET

Trench gate technology

Qg reduction technology

Robust reverse

recovery

瑞能 G3 超结 MOSFET

瑞能 G4 超结 MOSFET

技术亮点大揭秘

业界顶尖比导通电阻（R(ON)sp）

行业领先抗雪崩耐量等级（EAS）

RDS(ON)与EOSS参数实现优异平衡性，比肩国际一线品牌

集成优化设计的快恢复二极管（FRD）特性，兼具强鲁棒性反向恢复能力与宽温域稳定性

完善的质量管控体系，执行全生命周期产品验证

依托多元化封装技术平台，提供客制化封装方案快速响应及可靠交付保障

瑞能超结MOSFET产品优势

RDS(ON)低温漂

在广泛的电流密度范围内，RDS(ON)保持稳定，在实际应用中对于客户而言更具指导意义；器件在宽温度范围内具有更高的一致性。

宽裕的安全余量

G3 超结 MOSFET 的整体性能与行业领导者相当，尽管在产量和工艺控制方面非常严格，瑞能仍然为客户保留了较大的VDS余量。

快恢复体二极管

体二极管Trr 小于 200 纳秒，换向速度 dIF/dt 超过 1000 A/us ，兼容软硬开关应用。

低电容

卓越的 NP 平衡，Eoss 和RDS(ON)/VDS之间实现了良好的平衡折衷，对效率要求高的应用十分友好。

优势详解