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第三代半导体半桥上管电压电流测试方案

PRBTEK 来源:PRBTEK 作者:PRBTEK 2025-11-19 11:01 次阅读
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在第三代半导体器件的研发与性能评估中,对半桥电路上管进行精确的电压与电流参数测试,是优化电路设计、验证器件特性的关键环节。一套科学、可靠的测试方案可为技术开发提供坚实的数据支撑,加速技术迭代与产业化应用。

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一、电压测试:高压瞬态信号的精确捕获

半桥上管在开关瞬态过程中会产生快速变化的高压信号,必须采用具备宽量程、高带宽及快速响应能力的测试系统,方能准确捕获电压波形,为器件耐压评估与电路应力分析提供可靠依据。

二、电流测试:多方案灵活适配

针对不同测试场景,电流测量可采用以下三种方案:

1.高精度分流器方案

选用高带宽、强抗干扰能力的隔离型分流器,阻值可定制,适用于高精度电流采样

2.罗氏线圈(Rogowski Coil)可插拔方案

便于快速拆装,实现电气隔离,适配多电流规格测试需求;

3.固定式霍尔传感器方案

支持高频大电流测量,具备优异的隔离安全性,适用于长期监测与极端工况测试。

三、信号传输与隔离:确保测试链路完整性

通过专用隔离探头、光纤传输或差分信号调理装置,有效抑制共模干扰与地环路噪声,保障高压侧信号在传输过程中的保真度与系统安全性。

四、方案价值

本测试体系可全面、精确地获取半桥上管的关键电参数,为第三代半导体器件建模、驱动优化及系统可靠性验证提供量化依据,推动第三代半导体技术在高效功率变换领域的深度应用。

审核编辑 黄宇

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