在第三代半导体器件的研发与性能评估中,对半桥电路上管进行精确的电压与电流参数测试,是优化电路设计、验证器件特性的关键环节。一套科学、可靠的测试方案可为技术开发提供坚实的数据支撑,加速技术迭代与产业化应用。

一、电压测试:高压瞬态信号的精确捕获
半桥上管在开关瞬态过程中会产生快速变化的高压信号,必须采用具备宽量程、高带宽及快速响应能力的测试系统,方能准确捕获电压波形,为器件耐压评估与电路应力分析提供可靠依据。
二、电流测试:多方案灵活适配
针对不同测试场景,电流测量可采用以下三种方案:
1.高精度分流器方案
选用高带宽、强抗干扰能力的隔离型分流器,阻值可定制,适用于高精度电流采样;
2.罗氏线圈(Rogowski Coil)可插拔方案
便于快速拆装,实现电气隔离,适配多电流规格测试需求;
3.固定式霍尔传感器方案
支持高频大电流测量,具备优异的隔离安全性,适用于长期监测与极端工况测试。
三、信号传输与隔离:确保测试链路完整性
通过专用隔离探头、光纤传输或差分信号调理装置,有效抑制共模干扰与地环路噪声,保障高压侧信号在传输过程中的保真度与系统安全性。
四、方案价值
本测试体系可全面、精确地获取半桥上管的关键电参数,为第三代半导体器件建模、驱动优化及系统可靠性验证提供量化依据,推动第三代半导体技术在高效功率变换领域的深度应用。
审核编辑 黄宇
-
电压电流
+关注
关注
1文章
174浏览量
13034 -
第三代半导体
+关注
关注
3文章
172浏览量
7777
发布评论请先 登录
破产、并购、产能扩张减速——盘点2024年全球第三代半导体行业十大事件
CINNO出席第三代半导体产业合作大会
材料与应用:第三代半导体引领产业升级
基本半导体B3M平台深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用
电镜技术在第三代半导体中的关键应用
SiC碳化硅第三代半导体材料 | 耐高温绝缘材料应用方案
第三代半导体的优势和应用领域
瑞能半导体第三代超结MOSFET技术解析(1)
是德示波器如何精准测量第三代半导体SiC的动态特性
第三代半导体器件封装:挑战与机遇并存
第三代半导体厂商加速出海
第三代半导体对防震基座需求前景?
第三代半导体产业高速发展
第三代宽禁带半导体:碳化硅和氮化镓介绍

第三代半导体半桥上管电压电流测试方案
评论