电子发烧友App

硬声App

扫码添加小助手

加入工程师交流群

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>今日头条>ZDRK 10V型先导式减压阀的详细介绍

ZDRK 10V型先导式减压阀的详细介绍

收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐
热点推荐

选型手册:VS1605ATM N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):100V,适配中压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\
2026-01-04 16:31:5647

选型手册:VSO009N06MS-G N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时6
2026-01-04 16:23:0960

选型手册:VSO011N06MS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时11m
2025-12-31 17:28:191246

选型手册:VS4618AE N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

增强功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):40V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V
2025-12-31 17:20:351311

选型手册:VSI008N10MS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VSI008N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用TO-251封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强
2025-12-30 10:55:5267

选型手册:VSO013N10MS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VSO013N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用SOP8封装,适配中压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强功率
2025-12-29 11:52:1680

选型手册:VS6880AT N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):68V,适配中压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时典
2025-12-26 11:58:4295

选型手册:VS8068AD N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):80V,适配中压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时9.0
2025-12-26 11:50:1393

选型手册:VSO012N06MS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时8.0
2025-12-25 16:31:17116

选型手册:VS5810AS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):58V,适配中压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时5.8mΩ、
2025-12-25 16:27:25121

选型手册:VSD090N10MS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VSD090N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用TO-252封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强
2025-12-25 16:14:53108

选型手册:VS6016HS-A N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时11mΩ
2025-12-24 13:12:28112

选型手册:VS6412ASL N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时典型值44
2025-12-24 13:10:04100

选型手册:VST012N06MS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\
2025-12-24 13:07:24114

选型手册:VS4N65CD N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):650V,适配高压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时典
2025-12-24 13:04:05104

选型手册:VSI080N06MS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\
2025-12-23 11:26:18176

选型手册:VSE090N10MS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VSE090N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强功率MOSFET,采用PDFN3x3封装,适配中压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强
2025-12-23 11:22:46175

选型手册:VS4080AI N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):40V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时典型值
2025-12-23 11:18:11195

能否详细介绍一下MOSFET在电机控制中的作用是什么?

能否详细介绍一下MOSFET在电机控制中的作用?
2025-12-22 13:11:42

选型手册:VS3522AA4 N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

增强功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):30V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V
2025-12-18 17:24:48475

选型手册:VSD007N06MS-G N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\
2025-12-17 18:11:42196

选型手册:VS6614GS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):60V,适配60V低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时典型
2025-12-17 18:09:01208

选型手册:VS6662GS N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时典型值6.
2025-12-15 15:36:24222

选型手册:VS2N7002K N 沟道增强小信号 MOSFET 晶体管

MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压小信号场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V、I_
2025-12-12 15:43:13303

选型手册:VS3622AP N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):30V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\
2025-12-10 14:53:13276

选型手册:VS3640AA N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):30V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时
2025-12-10 11:48:31227

选型手册:VS3510AE P 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

极击穿电压(\(V_{DSS}\)):-30V,适配低压负电源场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=-10V\)时典型值10mΩ,\(
2025-12-08 11:16:24222

选型手册:VS3508AP P 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):-30V,适配低压负电源场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=-10V\)
2025-12-05 09:51:31284

选型手册:VS3508AP-K P 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):-30V,适配低压负电源场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=-10V\)
2025-12-05 09:38:27258

选型手册:VSP003N10HS-G N 沟道增强功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VSP003N10HS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强功率MOSFET,支持10V逻辑电平控制,基于FastMOSII技术实现快速开关与高效能,适用于DC/DC转换器
2025-11-26 15:13:13226

数字阵列与无模型滑模控制的融合:航空发动机燃油计量新方法与实践

区别于电液伺服先导驱动的燃油计量滑阀方案,数字先导燃油计量滑阀新构型主要由计量滑阀、两个数字阵列、两个节流孔以及LVDT位移传感器组成。其中,数字阵列是由三个流量规格一致的数字并联连接而成,这种设计显著提高了系统的可靠性与容错能力。
2025-11-20 14:36:25482

SI13305/SI13303非隔离5V 3.3V经济、紧凑的供电解决方案

色环电感| 无需π滤波或安规电容过EMI | 输入免高压电解电容 简化设计:集成650V功率管,无需输入高压电容和π滤波电路 精准输出:5V/3.3V±3% | 典型应用条件输出电压纹波<10
2025-11-19 18:07:14

压电与电磁驱动导叶机构控制的性能对比研究:频响、启闭与静态流量特性

压电驱动液阻全桥先导控制的核心在于其独特的液阻网络设计,该网络由固定液阻和可变液阻组合构成,形成类似电桥的液压回路。在控制的左侧腔体,进出口处均设置有固定液阻,这使得该腔内压力保持相对稳定。
2025-11-17 10:05:38290

原厂直供H8064A 低功耗DC-DC降压恒压芯片60V48V24V降压12V5V3.3V4A大电流IC方案 实地架构 自举供电

使用。H8064A带使能控制,可以大大省外围器件,更加适合电池场合使用,具有很高的方案性价比。 特性 高性价比 宽电压输入范围 10V 至 60V 大输出电流 4A 集成功率 MOS 管 外围器件少 输出短路
2025-11-14 18:24:43

中科微电ZK60G270GN沟道增强功率场效应晶体管(MOSFET)

阈值电压典型值(V_GS (th)_Typ)1.5V(伏特)漏极电流(@V_GS=10V)270A(安培)导通电阻典型值(@V_GS=10V)1.2mΩ(毫欧)导通
2025-10-22 17:55:440

ZK30N100T N沟道增强功率MOSFET技术手册

、设计与应用提供全面技术支撑。漏源击穿电压(VDSS)     30V典型栅极阈值电压(V GS(th)_Typ)      1.5V栅源电压 10V 时漏极电流(ID)    90A栅源电压 10V 时典型导通电阻(RDS(
2025-10-16 16:23:010

隔离开关电源:选择正激转换器还是反激转换器

本文将详细讨论隔离开关电源(SMPS),并介绍相关应用中常用的正激和反激隔离转换拓扑。我们将研究各种SMPS器件的优缺点,以及它们在不同功率水平下的适用性。本文旨在帮助读者清楚地了解如何为特定应用选择正确的隔离拓扑。
2025-10-13 16:56:004546

压力传感器模拟电压5V10V有啥区别?

定制设计保持竞争优势,另一些则具备独特优点。本文讨论的输出类型均需至少10VDC供电(0–10V和1–10V输出需12VDC)。0.5–4.5V比率输出传统上由5
2025-09-30 12:05:10677

TXG1020 ±10V,2位固定方向接地电平转换器技术手册

TXG102x 是一款 2 位、固定方向、非电流基电压和接地电平转换器,可支持 1.71V 至 5.5V 之间的逻辑电平转换和高达 ±10V 的接地电平转换。与传统的电平转换器相比,TXG102x
2025-09-28 14:58:27993

‌TXG102x系列2位±10V地电平转换器技术文档摘要

TXG102x 是一款 2 位、固定方向、非电流基电压和接地电平转换器,可支持 1.71V 至 5.5V 之间的逻辑电平转换和高达 ±10V 的接地电平转换。与传统的电平转换器相比,TXG102x
2025-09-28 14:54:121132

防爆多设计的核心挑战:航空航天流体控制系统的“安全稳压器”

在航空航天、船舶兵器等尖端工业领域,流体控制系统的精度与可靠性直接关系到装备的安全性和性能极限。作为这一领域的核心元件,防爆压力、流量、方向、比例(以下简称“防爆多”)如同流体管路中的“智能
2025-09-25 11:11:40282

组合的集成化设计哲学:如何实现安全与单向的功能融合?

在现代航空、航天及高端工业液压系统中,组合(CombinationValve)是一种高度集成的关键控制元件,它融合了安全(溢流)和单向(止回阀)的功能,并可根据系统需求集成压力调节、流量
2025-09-25 11:08:13428

如何实现48V输入转12V/5V 2A输出的完整方案呢?用振邦微AH7691D

实现48V输入转12V/5V 2A输出的电源方案,需要综合考虑效率、成本、体积和可靠性等因素。振邦微电子的AH7691D是一款高性能的降压DC-DC转换器芯片,非常适合此类应用。下面将详细介绍
2025-09-17 17:00:591000

ISOC 124P 电容隔离隔离放大器:±10V 输入 + 高精度属性

 ISOC 124P 作为一款专为高精度信号隔离设计的电容隔离器件,其 “±10V 输入” 与 “高精度” 属性的结合,使其在众多工业与医疗应用场景中具备显著优势。在输入特性上,±10V
2025-09-11 16:42:42

电容隔离 ±10V 输入高精度隔离放大器 ISOC 124P

,能有效阻断地环路噪声与共模干扰,为工业自动化、医疗电子等对信号纯净度要求严苛的场景提供可靠保障。同时,该器件支持 ±10V 宽范围输入,完美适配工业传感器、数据采
2025-09-11 15:05:29

TPSI3050隔离开关驱动器技术解析与应用指南

Texas Instruments TPSI3050/TPSI3050-Q1增强开关驱动器是一款完成集成的器件,与外部电源开关结合使用时,可构成完整的隔离固态继电器 (SSR)。当标称栅极驱动电压为10V、峰值拉电流和灌电流为1.5/3.0A时,可以选择多种外部电源开关来满足各种应用需求。
2025-09-03 10:23:16734

10V动态CS高灵敏度触摸ASIC---HT0301K

 华太半导体(Hottek-semi)推出1-12按键系列高性能ASIC触摸芯片:高可靠、超强抗干扰。动态CS:10V,EFT:4KV,ESD:8KV,全系列可做隔空触摸(去弹簧应用、节省
2025-08-18 10:32:14

‌REF102 10V精密电压参考芯片技术文档总结

REF102 是一款精密的 10V 基准电压源。漂移 激光微调至工业级最高 2.5ppm/°C C 级 温度范围。REF102 实现了其精度 没有加热器。这导致低功耗、快速预热、 稳定性好,噪音低
2025-08-15 18:20:541344

使用非隔离电源的触控项目,遇到CS注入电流10v 动态CS,在触控扫描F上触摸按不动,怎么解决?

你好,在使用非隔离电源开发 触控项目,在进行10V cs注入电流测试时,发现在触控扫描频点的倍频上触摸无法按动的情况,例如触控扫描频点2M,即在CS过程中,但测试进行到2M/4M/6M/8M等时候
2025-08-08 07:18:20

LMC7660 1.5V10V 开关电容器电压转换器数据手册

该LMC7660是一款CMOS电压转换器,能够将+1.5V至+10V范围内的正电压转换为相应的负电压-1.5V至-10V。该LMC7660是行业标准 7660 的引脚对引脚替代品。该转换器的特点是:无需外部二极管即可在整个温度和电压范围内工作、低静态电流和高功率效率。
2025-08-05 14:24:491031

AET3156AP 增强P沟道增强MOSFET,替代数据手册

ATE3156AP/ATE3156AS是一款高性能MOSFET,具有VDS=-30V和ID=-10A的特性,典型导通电阻为15mΩ(VGS=-10V,ID=-10A)和19mΩ(VGS=-4.5V
2025-07-28 16:34:370

PD快充诱骗协议芯片XSP25支持5V9V10V11V12V15V20V电压档位

产品端(或sink受电端)使用Type-C接口连接充电器获取它的9V10V等电压给产品供电,可以使用充电器的大电流直接供电,相比于传统的每个产品搭配一个充电器的方式更加的简单,相较于使用5V升压到9V等方式,这种既没有发热,而且电流也可以做到更大。
2025-07-26 09:38:10728

中低压MOS管MDD3407数据手册

低导通电阻 @栅源电压=-10V -5V 逻辑电平控制
2025-07-10 14:21:480

中低压MOS管MDD50N06D数据手册

RDS(导通电阻) ≤17毫欧 @ VGS=10V ID=20A  高开关速度  增强dv/dt能力
2025-07-09 16:05:320

SL3041H降压开关稳压器:高效能、120V宽电压范围的电源管理芯片

的降压开关稳压器。它专为宽输入电压范围设计,能够在10V至120V的输入电压下稳定工作,提供高达1.5A的输出电流。这种高效的电源转换能力,使其在移动设备、汽车系统、电池供电系统以及电动车车载设备等
2025-07-09 14:34:22

AP10P04MI -10A -40V SOT23-3L永源微P管场效应管

= -10aR DS(ON) < 35mΩ @ V GS =-10V(类型:27mΩ)应用程序电池保护负荷开关不间断电源
2025-06-30 09:52:040

AP8N10MI 永源微8A100V SOT23-3n沟道增强模式MOSFET

DS(ON) < 100mΩ@ V GS =10V (Type:80mΩ)应用程序有照明负荷开关PSE
2025-06-30 09:50:050

AP3P10MI 永源微100V p沟道增强模式MOSFET

描述AP3P10MI采用先进的沟槽技术提供优良的rds (ON),低栅极电荷和在低至5V的栅极电压下工作。这装置适合作为电池保护或其他开关应用。一般特征vds = -100v I d = -3aR DS(ON) < 350mΩ @ V GS =-10V应用程序电池保护负荷开关不间断电源
2025-06-30 09:46:490

二级减压阀不锈钢汇流排自动切换装置1/4不锈钢管道

高压金属波纹管316一端接指定钢瓶(不含钢瓶接头),另一端接一级减压阀(1/4NPT),内部洁净,耐压6000PS    1/4NPT两备两用半自动切换器含进
2025-06-23 17:03:55

二级减压阀不锈钢报警器装置汇流排压力传感器

316L不锈钢无缝管,无擦伤,适于弯曲和扩口,表面光洁,管道经过光亮退火(BA级),超声波清洗,内外抛光 高压金属波纹管:316一端接指定钢瓶(不含钢瓶接头),另一端接一级减压阀(1
2025-06-20 17:08:41

10V到1500V全覆盖:安科瑞直流绝缘监测仪的光储充“安全适配力”

在光储充一体化蓬勃发展的今天,安全始终是行业发展的基石。安科瑞 AIM-D 系列直流绝缘监测仪,以其 10V 到 1500V 的全覆盖电压范围、高精度的监测性能、智能的诊断功能和丰富多样的产品型号,为光储充系统的安全运行提供了全方位、多层次的保障。
2025-06-20 10:03:03499

DCDC30v降压24V12V2.5A 快充恒压芯片方案H4010 同步整流高效率

H4010 是一种同步降压 DC - DC 转换器芯片,以下是其详细介绍: 主要特性: 电压范围:内置 30V 耐压 MOS,输入范围为 5V - 24V。通过调节 FB 端口的分压电阻,可输出
2025-06-16 14:20:52

TPS629211-Q1 采用 SOT-583 封装的汽车类 3V10V、1A、高效率、低 IQ 同步降压转换器数据手册

TPS629211-Q1是一款专为汽车应用设计的1A同步降压DC-DC转换器,支持3V10V的宽输入电压范围。该器件符合AEC-Q100标准,具有高效能、小尺寸和高度灵活性等特点,适用于高级驾驶辅助系统(ADAS)、汽车信息娱乐和仪表集群、车身电子和照明系统等应用。
2025-06-08 17:03:27601

Analog Devices Inc. AD-PAARRAY3552R-SL参考设计板特性/应用/框图

AD3553R高速双通道16位数模转换器(DAC),以支持GaN栅极的超快亚微秒电压稳定时间。AD-PAARRAY3552R-SL参考设计板支持-10V至+10V的宽栅极偏置电压。该板具有可配置的上电和断电时序,提高了操作程序的灵活性和控制能力。
2025-06-07 14:09:07722

TPS62992-Q1 汽车类 3V10V、2A 低 IQ 同步降压转换器数据手册

范围内支持 ± 1.5% 的高 V OUT 精度,并通过 DCS-Control 拓扑增强了负载瞬态性能。3V10V 的宽输入电压范围支持各种标称输入,如 9V 电源轨、单节或多节锂离子电池以及 5V 或 3.3V 电源轨。
2025-06-06 16:58:58562

TPS62993-Q1 汽车类 3V10V、3A 低 IQ 同步降压转换器数据手册

范围内支持 ± 1.5% 的高 V OUT 精度,并通过 DCS-Control 拓扑增强了负载瞬态性能。3V10V 的宽输入电压范围支持各种标称输入,如 9V 电源轨、单节或多节锂离子电池以及 5V 或 3.3V 电源轨。
2025-06-06 16:51:31628

振弦表面应变计与点焊应变计如何选择?

在现代工程安全监测领域,振弦应变计凭借高精度和稳定性,成为桥梁、隧道、水工结构等关键设施健康监测的重要工具。但是很多人对于不同型号的应变计不知道如何做出选择,下面就以南京峟思VWS-10F表面
2025-05-29 11:10:39502

GP9301B将0V10V的模拟电压输入,线性转换成0%-100%占空比PWM信号输出

 GP9301B将0V10V的模拟电压输入,线性转换成0%-100%占空比的PWM信号输出。 GP9301BM将0V10V的模拟电压输入,线性转换成0%-100%占空比的PWM信号,并且将
2025-05-29 10:15:070

UCC27712 带互锁的 1.8-A/2.8-A、620V 半桥驱动器数据手册

UCC27712 是一款 620V 高侧和低侧栅极驱动器,具有 1.8A 拉电流和 2.8A 灌电流,旨在驱动功率 MOSFET 或 IGBT。 建议的 VDD 工作电压为 10V 至 20V(IGBT)和 10V 至 17V(功率 MOSFET)。
2025-05-19 11:10:37779

UCC27712-Q1 具有互锁功能的汽车级 1.8A/2.8A、620V 半桥栅极驱动器数据手册

UCC27712-Q1 是一款 620V 高压侧和低压侧栅极驱动器,具有 1.8A 拉电流和 2.8A 灌电流,旨在驱动功率 MOSFET 或 IGBT。 建议的 VDD 工作电压为 10V 至 20V(IGBT)和 10V 至 17V(功率 MOSFET)。
2025-05-19 11:00:20798

UCC27710 带互锁功能的 0.5A/1.0A、620V 半桥栅极驱动器数据手册

UCC27710 是一款 620V 高压侧和低压侧栅极驱动器,具有 0.5A 拉电流和 1.0A 灌电流,旨在驱动功率 MOSFET 或 IGBT。 建议的 VDD 工作电压为 10V 至 20V(IGBT)和 10V 至 17V(功率 MOSFET)。
2025-05-19 10:21:08628

中软国际先导工程服务介绍

?国产化预研验证不仅是技术替代,更是管理模式与生态体系的重构。中软国际推出“先导工程”服务,通过分阶段验证、生态协同与技术创新,让国产ERP有望实现突破,为数字中国建设提供坚实底座。
2025-05-15 17:39:43793

TPSI3050-Q1 具有集成 10V 栅极电源的汽车增强隔离开关驱动器数据手册

TPSI3050-Q1 是一款完全集成的隔离开关驱动器,与外部电源开关结合使用时,可形成完整的隔离固态继电器 (SSR)。凭借 10V 的标称栅极驱动电压和 1.5/3.0A 的峰值拉电流和灌
2025-05-08 09:45:12597

TPSI3050 具有集成 10V 栅极电源的隔离开关驱动器数据手册

TPSI3050 是一款完全集成的隔离开关驱动器,与外部电源开关结合使用时,可形成完整的隔离固态继电器 (SSR)。凭借 10V 的标称栅极驱动电压和 1.5/3.0A 的峰值拉电流和灌电流
2025-05-08 09:27:02740

替代LT1021-5-7-10高精度基准电压源

的温漂:最大值为 3ppm/°C初始精度:±0.05%低噪声:典型值为 4.7μVrms (0.1Hz~10Hz,5V)支持微调输出电压输出支持双向电流:±10mA应用A/D和 D/A 转换器精准稳压器数字电压表惯性导航系统便携基准源
2025-05-07 15:43:41

请问如何设置AD5545的满量程输出为0.1V,1V,10V 三个档位?

1. VREF 输入设置为10V, 是否可以通过外部电阻的方式设置增益为,0.01,0.1,1?RFB 引脚不接到外部运放的输出端。 运放的输出端接不同的电阻到DAC IOUT的引脚,通过这种方式设置不同的增益?
2025-04-28 07:33:16

TLV172 适用于成本敏感应用的单路、36V10MHz、低功耗运算放大器技术手册

的失调电压和温漂、10MHz 高带宽和 10V/µs 压摆率,且在工作温度范围内的静态电流仅有 2.3mA(最大值)
2025-04-24 09:57:24694

TLV2172 适用于成本敏感应用的双路、36V10MHz、低功耗运算放大器技术手册

的失调电压和温漂、10MHz 高带宽和 10V/µs 压摆率,且在工作温度范围内的静态电流仅有 2.3mA(最大值)
2025-04-24 09:53:20657

先导膜片电磁如何工作,先导电磁的结构性能原理?

电磁有两个主要部分:螺线管和阀门。螺线管将电能转换为机械能,机械能又以机械方式打开或关闭阀门。直动阀门只有一个小流量回路,如图的E部分所示(该部分在下面被称为先导)。在此示例中,隔膜先导通过使用它来控制通过更大孔的流量,从而使这个小的先导流量倍增。
2025-04-20 17:47:551626

先导隔膜电磁常开与常闭状态下的原理模式

当阀门接收到电信号时,会形成一个磁场,该磁场会吸引覆盖先导孔的柱塞升起,从而导致系统压力(保持隔膜/活塞关闭)下降。  随着隔膜/活塞顶部的系统压力降低,隔膜/活塞另一侧的整个系统压力将隔膜/活塞抬离主孔,从而允许介质流过阀门。
2025-04-20 16:22:11834

如何在计算机上安装麒麟操作系统Kylin V10 SP3

麒麟操作系统 Kylin V10 SP3 是一款基于 Linux 的操作系统,广泛应用于政府、企业和个人用户。本文将详细介绍如何在计算机上安装麒麟操作系统 Kylin V10 SP3,帮助您顺利完成安装并开始使用。
2025-04-11 15:32:353557

UCC28220 双交错 PWM 控制器,具有可编程最大占空比 10V/8V UVLO数据手册

% 占空比之间的任何值。 UCC28220 的 UVLO 导通阈值为 10 V,适用于 12 V 电源,而 UCC28221 的导通阈值为 13 V,适用于需要更宽 UVLO 迟滞的系统。两者都具有 8V 关断阈值。
2025-04-03 14:51:331249

KP1469A必易微大功率PWM 和 0-10V 调光谐振降压LED 控制芯片

KP1469 是一款适合大功率应用的高效率准谐振降压 LED 控制器。通过内置的高精度调光控制算法,芯片具备高调光精度和高调光深度的特点。KP1469 可以通过 VSET 设置最大电流,并且兼容
2025-03-29 09:31:09

OPA892 具有超低总谐波失真的、2GHz 10V/V稳定0.95nV√Hz运算放大器技术手册

可提供卓越的交流性能,带宽为 290MHz,压摆率为 700V/µs,稳定时间为 30ns (0.1%),增益为 10V/V。OPAx892 在增益为 10 或更高以及 –9 或更低时保持稳定。这些
2025-03-20 11:48:491381

OPA2892 2GHz、10V/V稳定增益、0.95nV/√Hz、超低THD运算放大器技术手册

可提供卓越的交流性能,带宽为 290MHz,压摆率为 700V/µs,稳定时间为 30ns (0.1%),增益为 10V/V。OPAx892 在增益为 10 或更高以及 –9 或更低时保持稳定。这些
2025-03-18 14:50:041128

TPS769系列 具有使能功能的 100mA、10V、低 IQ、低压差稳压器数据手册

(固定版本)或 1.2V 至 5.5V(可调版本)。 宽输入电压范围使该器件成为采用稳压电源轨(如 10V 或 12V)工作的不错选择。新芯片的电压范围高达 16V。此范围允许 LDO 为各种应用产生偏置电压。这些应用包括功率微控制器 (MCU) 和处理器。
2025-03-14 16:08:08880

TPS769-Q1系列 汽车级,100mA 10V 低 IQ带使能功能的低压差稳压器数据手册

(固定版本)或 1.2V 至 5.5V(可调版本)。 宽输入电压范围使该器件成为采用稳压电源轨(如 10V 或 12V)工作的不错选择。新芯片的电压范围高达 16V。此范围允许 LDO 为各种
2025-03-13 10:24:23745

48V转12V,48V转24V耐压100V芯片SL3041替换LMR16030

电压(10V至100V)可提供最大3A电流的高效率输出,可在移动环境输入的条件下实现各种降压电源变换的应用。SL3041 安全保护机制包括逐周期峰值限流、软启动、输出短路保护和过温保护。SL3041
2025-02-27 15:39:50

DCDC降压100V耐压芯片 SL3041,输出可调 3A电流,替换LM2576HV

工作在宽 输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压(10V至100V)可提供最大3A电流的 高效率输出,可在移动环境输入的条件下实现各种降压电源变换的应用。 SL3041 安全保护机制
2025-02-26 16:46:52

用DSP28335外部接口与DAC7724通信,程序测试一直不对,输出的值一直是-10V,为什么?

我是用DSP28335外部接口与DAC7724通信,DA芯片的引脚除了数据载入LDAC和复位用普通IO口控制外,其余都和DSP28335外部接口的相应引脚相连,程序测试一直不对,输出的值一直是-10V,而且我只是让通道A输出,可是其他的3个通道也是-10V ,这个是怎么回事?
2025-02-06 07:54:22

DSP28335驱动DAC7724,输出一直是-10V,请问这是什么情况?

我是用DSP28335驱动DAC7724芯片,12根数据线和2根地址线我是直接和DSP的外部接口相连,然后LDAC、RESET、CS、RW四个引脚是配置普通的IO口来控制,输出一直是-10V,请问
2025-02-06 07:32:05

开启hyper v,开启hyper v详细操作步骤

就为大家介绍开启hyperv的详细操作步骤。    Hyper-V是微软提供的虚拟化技术,允许用户在单一物理硬件上运行多个操作系统。以下是开启Hyper-V详细步骤,适用于Windows10专业版、企业版以及Windows11专业版和企业版。    一、检查系统要求
2025-01-23 10:01:075835

2025年度先导智算专项正式启动

日前,在系统能力培养研究专家组的指导下,全国大学生计算机系统能力大赛组委会携手中科曙光,结合智能计算创新设计赛(先导杯)共同发起的“先导智算专项”正式启动。
2025-01-23 09:29:261191

谁能详细介绍一下track-and-hold

在运放和ADC芯片的数据手册中经常看到track-and-hold,谁能详细介绍一下track-and-hold?
2025-01-20 09:10:12

使用±10V给电后ADS1282EVM板上的其中一颗OPA1632发热严重,单独给ADS1282EVM板供±10V同样发热,为什么?

最近购得ADS1282EVM-PDK开发套件,两板组合使用±10V给电后ADS1282EVM板上的其中一颗OPA1632发热严重,单独给ADS1282EVM板供±10V同样发热,没有接错线供电肯定没问题,大家帮帮忙。
2025-01-09 07:24:33

ADS1293如何才能接入10V有效值的共模电压?

(1)因为法规要求,需要给ADS1293的各导联输入口加上10V有效值的共模50hz工频电压,而ADs1293内置最大输入为VCC,也就是3.3V,如何才能接入10V有效值的共模电压? (2)心电各导联的参考地是什么?如果接浮地的设备也应该有一个参考的吧 以上请帮忙解答下,急用,谢谢
2025-01-09 06:41:50

CD4050B的VCC供电改成10V后就没有信号输出了,为什么?

TI的大师们,我想把单片机产生的3.3VPWM信号,通过CD4050B 转成10V的PWM信号,发现不行。当CD4050B的VCC供电为5V的时候是可以把单片机产生的3.3VPWM信号转成5V的PWM信号,但CD4050B的VCC供电改成10V后就没有信号输出了,请问是什么问题?望指教,谢谢!
2025-01-08 06:29:18

请问DAC7724的基准电压正负10V有没有芯片可以直接生成?

请问DAC7724的基准电压正负10V(VREFH、VREFL)有没有芯片可以直接生成,如果有的话请问是芯片的型号是什么?还有它的模拟供电电压正负15V(VCC、VSS)可以用哪种电源芯片直接生成?还有这两种电源芯片的输入最好都是5V。谢谢!
2025-01-08 06:04:46

怎样的电路适合ADC能采集+ - 10V的信号?

请问在3V量程的ADC单电源供电情况下怎样的电路适合ADC能采集+ - 10V的信号 最好是直流耦合
2025-01-06 07:24:33

已全部加载完成