UCC27712-Q1 具有互锁功能的汽车级 1.8A/2.8A、620V 半桥栅极驱动器数据手册

UCC27712-Q1 是一款 620V 高压侧和低压侧栅极驱动器，具有 1.8A 拉电流和 2.8A 灌电流，旨在驱动功率 MOSFET 或 IGBT。

建议的 VDD 工作电压为 10V 至 20V（IGBT）和 10V 至 17V（功率 MOSFET）。
*附件：ucc27712-q1.pdf

UCC27712-Q1 具有保护功能，当输入保持开路或未满足最小输入脉冲宽度规格时，输出保持低电平。联锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外，该器件接受 10 V 至 22 V 的宽范围偏置电源，并为 VDD 和 HB 偏置电源提供 UVLO 保护。

该器件采用 TI 最先进的高压器件技术开发而成，具有强大的驱动功能，具有出色的噪声和瞬态抗扰度，包括其输入上的大负电压容差、高 dV/dt 容差、开关节点 （HS） 上的宽负瞬态安全工作区 （NTSOA） 和互锁。

该器件由一个以地为参考的通道 （LO） 和一个浮动通道 （HO） 组成，设计用于使用自举或隔离电源工作。该器件具有快速传播延迟和两个通道之间出色的延迟匹配。在 UCC27712-Q1 上，每个通道都由其各自的输入引脚 HI 和 LI 控制。

特性

• 符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车应用
  • 设备 HBM 分类等级 1C
  • 器件 CDM 分类等级 C4B
• 高侧和低侧配置
• 具有输出互锁和 150ns 死区时间的双输入
• HB 引脚上可完全运行高达 620V、700V 绝对最大值
• 10V 至 20V VDD 推荐范围
• 峰值输出电流 2.8A 灌电流，1.8A 拉电流
• dv/dt 抗扰度为 50 V/ns
• HS 引脚上高达 –11 V 的逻辑作电压
• 输入上的负电压容差为 –5 V
• 大负瞬态安全工作区
• 两个通道的 UVLO 保护
• 传播延迟小（典型值为 100ns）
• 延迟匹配（典型值为 12ns）
• 低静态电流
• TTL 和 CMOS 兼容输入
• 行业标准 SOIC-8 封装
• 所有参数均在 –40 °C 至 +125 °C 的温度范围内指定

参数

方框图

概述

UCC-Q是一款由Texas Instruments（TI）生产的V高侧和低侧栅极驱动器，适用于驱动功率MOSFET和IGBT。它专为汽车电子应用设计，如逆变器、车载充电器（PFC、相移全桥）以及汽车电机驱动（步进电机、风扇）等。该驱动器具备高电流输出能力（.A沉电流、.A源电流）、高dV/dt耐受性和宽负瞬态安全工作区（NTSOA），以及互锁和死区时间功能，防止两个输出同时导通。

主要特性

• ‌AEC-Q认证‌：适用于汽车电子应用。
• ‌高侧和低侧配置‌：包含一个地参考通道（LO）和一个浮动通道（HO）。
• ‌高电流输出‌：.A峰值沉电流，.A峰值源电流。
• ‌高电压耐受性‌：高达V的开关节点电压，V绝对最大值。
• ‌快速传播延迟‌：典型值为ns，匹配度典型值为ns。
• ‌保护特性‌：欠压锁定（UVLO）保护、输入浮动保护、最小输入脉冲宽度保护。
• ‌高dV/dt耐受性‌：V/ns。
• ‌宽负瞬态安全工作区‌（NTSOA）。
• ‌互锁和死区时间功能‌：防止高侧和低侧输出同时导通，提供ns的最小死区时间。

应用领域

• ‌汽车电子逆变器‌。
• ‌车载充电器‌（如PFC、相移全桥）。
• ‌汽车电机驱动‌（如步进电机、风扇）。

功能描述

输入与输出

• ‌独立输入控制‌：高侧（HI）和低侧（LI）输入分别控制高侧（HO）和低侧（LO）输出。
• ‌互锁功能‌：防止HO和LO同时导通，避免直通短路。
• ‌死区时间功能‌：在HI和LI输入互补或重叠时，保证HO和LO之间有ns的死区时间。

保护机制

• ‌UVLO保护‌：监测VDD和HB电压，低于阈值时关闭输出。
• ‌输入浮动保护‌：当输入引脚浮动时，将相应输出保持在低电平。
• ‌最小输入脉冲宽度保护‌：输入脉冲宽度不满足要求时，保持输出在低电平。

电气特性

• ‌低静态电流‌：有助于降低系统功耗。
• ‌TTL和CMOS兼容输入‌：方便与不同控制器接口。
• ‌宽温度范围‌：支持-°C至+°C的工作温度范围。

典型应用

UCC-Q适用于驱动各种功率MOSFET和IGBT，特别是在需要高侧驱动的桥式拓扑中。典型应用包括同步降压转换器、同步升压转换器、半桥/全桥隔离拓扑以及三相电机驱动应用。

设计指南

• ‌电源设计‌：确保VDD和HB电压在推荐范围内，并添加合适的旁路电容。
• ‌输入滤波‌：建议添加RC滤波器以减少输入噪声。
• ‌自举电容选择‌：根据开关频率和负载条件选择合适的自举电容。
• ‌栅极电阻选择‌：选择合适的栅极电阻以优化开关性能并限制振铃。
• ‌布局考虑‌：尽量缩短高电流路径的长度，并保持控制地和功率地分离。

封装与订购信息

• ‌封装类型‌：SOIC-。
• ‌温度范围‌：-°C至+°C。
• ‌RoHS合规性‌：符合RoHS标准。