选型手册：VS3508AP P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS3508AP是一款面向 - 30V 低压场景的 P 沟道增强型功率 MOSFET，支持 5V 逻辑电平控制，适配低压负电源切换、电源路径管理等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：P 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-30V，适配低压负电源场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)时典型值8.8mΩ，\(V_{GS}=-4.5V\)时典型值16mΩ，低压场景下传导损耗较低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=-10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时-50A（负号对应 P 沟道电流方向），\(T=100^\circ\text{C}\)时降额为-32A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：-200A（\(T=25^\circ\text{C}\)），满足瞬时大电流冲击需求。

二、核心特性

• 5V 逻辑电平控制：适配 5V 逻辑驱动电路，无需额外电平转换，简化系统设计；
• 低导通电阻：8.8~16mΩ 的阻性表现，降低低压负电源场景的功率损耗；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 56mJ，感性负载开关场景稳定性强；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	-30	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	-50	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=-10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): -50；\(T=100^\circ\text{C}\): -32	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	-200	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	56	mJ
最大功耗	\(P_D\)	40	W
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
结 - 壳热阻	\(R_{thJC}\)	3.1	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN5x6 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷，适配高密度电路板设计；
• 典型应用：
  • 低压负电源切换电路；
  • 电池供电设备的电源路径管理；
  • 中功率负载的负电源通断控制。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）