利用APSYS半导体器件开发出SiC基IGBT计算模型

成果展示：SiC基IGBT模型（ver.1.0）

作为十四五规划和2035年远景目标中科技前沿领域重点攻关方向，碳化硅（SiC）基绝缘栅双极型晶体管（IGBT）肩负众望。尽管目前碳化硅功率MOSFET的阻断电压已经可以做到10 kV，但作为一种缺乏电导调制的单极性器件，进一步提高阻断电压将会面临通态电阻升高的问题。理论计算表明，20 kV的碳化硅功率MOSFET需要制备厚度超过172 μm的漂移区，则其通态特征电阻将会显著增大，可超过245 mΩ·cm2。因此实现高压大电流功率器件（>7kV，>100A）的希望寄托于既能利用电导调制效应降低通态压降又能利用MOS栅降低开关功耗、提高工作频率的SiC基IGBT上。

我司技术团队利用APSYS半导体器件设计平台开发出了SiC基IGBT计算模型(ver.1.0)，可以得到输入输出特性曲线及正反向击穿电压等各种电学特性。此模型可直观展示SiC基IGBT器件内部工作原理，为分析器件内部机理提供了重要的参考价值，对于研发高性能的SiC基IGBT有着重要的指导意义。

图 SiC基IGBT输入输出特性曲线（左）正反向击穿特性（右）

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硅基时代的黄昏：为何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？

，助力电力电子行业自主可控和产业升级！倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和平面高压硅基MOS

2025-05-30 16:24:03

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什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模块/模组？特性是什么？主要应用哪里？

MOSFET高输入阻抗与BJT低导通压降，形成四层半导体复合结构（PNPN排列），支持600V以上高压场景 ‌ 功能特性 ‌：兼具高频开关与高电流承载能力，导通功耗仅为传统器件的1/5~1/10 ‌ SiC（碳化硅）功率器件 ‌ 第三代宽禁带半导体技术的代表： ‌ 材料优势 ‌：禁带宽度达3.3eV（硅的3倍）

2025-05-26 14:37:05

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IGBT模块吸收回路分析模型

尽管开关器件内部工作机理不同，但对于吸收电路的分析而言，则只需考虑器件的外特性，IGBT关断时模型可以等效为电压控制的电流源，开通时可以等效为电压控制的电压源。下面以下图所示的斩波器为例提出一般

2025-05-21 09:45:30

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从清华大学到镓未来科技，张大江先生在半导体功率器件十八年的坚守！

从清华大学到镓未来科技，张大江先生在半导体功率器件十八年的坚守！近年来，珠海市镓未来科技有限公司（以下简称“镓未来”）在第三代半导体行业异军突起，凭借领先的氮化镓（GaN）技术储备和不断推出的新产品

2025-05-19 10:16:02

国产SiC碳化硅功率模块全面取代进口IGBT模块的必然性

国产SiC模块全面取代进口IGBT模块的必然性 ——倾佳电子杨茜 BASiC基本半导体一级代理倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC

2025-05-18 14:52:08

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IGBT器件的防静电注意事项

IGBT作为功率半导体器件，对静电极为敏感。我将从其静电敏感性原理入手，详细阐述使用过程中防静电的具体注意事项与防护措施，确保其安全稳定运行。

2025-05-15 14:55:08

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闻泰科技半导体业务IGBT驱动能效升级

随着新能源汽车、工业自动化、可再生能源的快速发展，IGBT的市场需求持续增长。闻泰科技半导体业务积极布局IGBT领域，迎接广阔发展机遇，为未来增长提供动力。

2025-05-14 09:51:23

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功率半导体器件IGBT模块:PPS注塑加工案例

IGBT模块是一种重要的功率半导体器件，具有结构简单、容量大、损耗低等优点，被广泛应用于各种高功率电子设备中。绝缘栅极双极晶体管（IGBT）功率模块将MOSFET的高效和快速开关能力与双极晶体管

2025-04-16 08:06:43

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碳化硅VS硅基IGBT：谁才是功率半导体之王？

在半导体技术的不断演进中，功率半导体器件作为电力电子系统的核心组件，其性能与成本直接影响着整个系统的效率与可靠性。碳化硅（SiC）功率模块与硅基绝缘栅双极型晶体管（IGBT）功率模块作为当前市场上

2025-04-02 10:59:41

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Keithley高压静电计的SiC器件兆伏级瞬态击穿特性研究

一、引言 1.1 SiC材料在高压电力电子领域的应用背景碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的代表，其物理特性（如3.3 eV的禁带宽度、3.7×106 V/cm的临界击穿电场、高热导率等

2025-03-31 13:36:51

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MOSFET与IGBT的区别

的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。 SMPS的进展一直以来，离线式SMPS产业由功率半导体产业的功率元件发展所推动。作为主要的功率开关器件IGBT、功率MOSFET和功率二极管正不断

2025-03-25 13:43:17

碳化硅（SiC）MOSFET替代硅基IGBT常见问题Q&A

碳化硅（SiC）MOSFET作为替代传统硅基IGBT的新一代功率器件，在电动汽车、可再生能源、高频电源等领域展现出显著优势，随着国产碳化硅MOSFET技术、成本及供应链都日趋完善，国产SiC碳化硅在

2025-03-13 11:12:48

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全球功率半导体变革：SiC碳化硅功率器件中国龙崛起

功率器件变革中SiC碳化硅中国龙的崛起：从技术受制到全球引领的历程与未来趋势当前功率器件正在经历从传统的硅基功率器件持续跃升到SiC碳化硅材料功率半导体的历史变革：倾佳电子杨茜致力于推动国产

2025-03-13 00:27:37

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SiC MOSFET的短路特性和短路保护方法

在光伏逆变器、车载充电器及牵引逆变器等应用领域中，由第三代半导体材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由传统硅基（Si）制成的Si IGBT。

2025-03-12 10:35:58

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北京市最值得去的十家半导体芯片公司

融资，技术覆盖芯片制造关键环节。总结以上企业覆盖了车规芯片、AI计算、晶圆制造、存储技术等核心领域，展现了北京在半导体产业链的全面布局。若需更完整名单或细分领域分析，可参考相关来源

2025-03-05 19:37:43

国产SiC器件飞跨电容三电平取代2000V器件两电平MPPT升压方案

基本半导体碳化硅MOSFET B3M013C120Z与二极管B3D80120H2组合大组串逆变器MPPT升压方案优势分析以及全面取代老旧的2000V器件两电平MPPT升压方案成为趋势一、方案

2025-03-03 17:01:16

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见证功率半导体历史：SiC碳化硅MOSFET价格首次低于IGBT！

进入2025年以来，全行业出现SiC碳化硅MOSFET价格开始低于传统IGBT的现象，比行业认知提前十几年见证功率半导体历史拐点：SiC碳化硅MOSFET价格开始低于IGBT！主要源于技术突破、产能

2025-03-03 16:28:22

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SiC MOS管的结构特点

（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）作为SiC基半导体器件的重要组成部分，具备高效率、高温工作和高频特性等优点，已在多个领域得到了实际应用。本文将详细探讨SiCMOS管的结构特点以及其在不同领域的实际应用。

2025-03-03 16:03:45

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华大半导体与湖南大学成功举办SiC功率半导体技术研讨会

近日，华大半导体与湖南大学在上海举办SiC功率半导体技术研讨会，共同探讨SiC功率半导体在设计、制造、材料等领域的最新进展及挑战。

2025-02-28 17:33:53

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高频感应电源国产SiC碳化硅模块替代英飞凌IGBT模块损耗计算对比

模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！倾佳

2025-02-10 09:41:15

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高频电镀电源国产SiC碳化硅模块替代富士IGBT模块损耗对比

2025-02-09 20:17:29

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半导体常用器件

半导体常用器件的介绍

2025-02-07 15:27:21

湿度大揭秘！如何影响功率半导体器件芯片焊料热阻？

近年来，随着电力电子技术的快速发展，功率半导体器件在风力发电、光伏发电、电动汽车等户外工况中的应用日益广泛。然而，这些户外环境往往伴随着较高的湿度，这对功率半导体器件的运行可靠性构成了严峻挑战

2025-02-07 11:32:25

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意法半导体新能源功率器件解决方案

在《意法半导体新能源功率解决方案：从产品到应用，一文读懂（上篇）》文章中，我们着重介绍了ST新能源功率器件中的传统IGBT和高压MOSFET器件，让大家对其在相关领域的应用有了一定了解。接下来，本文将聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半导体产品以及其新能源功率解决方案。

2025-02-07 10:38:50

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光伏MPPT设计中IGBT、碳化硅SiC器件及其组合方案对比

在光伏系统的最大功率点跟踪（MPPT）设计中，IGBT、碳化硅（SiC）器件及其组合方案的选择直接影响系统效率、成本和可靠性。

2025-02-05 14:41:38

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功率器件热设计基础知识

功率器件热设计是实现IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠运行的基础。掌握功率半导体的热设计基础知识，不仅有助于提高功率器件的利用率和系统可靠性，还能有效降低系统成本。本文将从热设计的基本概念、散热形式、热阻与导热系数、功率模块的结构和热阻分析等方面，对功率器件热设计基础知识进行详细讲解。

2025-02-03 14:17:00

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