SiC碳化硅功率半导体市场推广与销售赋能综合报告

BASiC基本半导体代理商SiC碳化硅功率半导体市场推广与销售赋能综合报告

倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半导体器件以及新能源汽车连接器。

倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！

倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和大于650V的高压硅MOSFET的必然趋势！

倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！

I. 战略定位：为何选择基本半导体 (BASiC Semiconductor)？—— 构建客户信任的基石

作为基本半导体的授权代理商，在向客户（尤其是大型工业和汽车客户）推广产品时，面临的首要挑战是建立品牌信任。客户的核心疑虑往往是：“这家新兴企业是否可靠？”。倾佳电子旨在提供一个强有力的“信任状” (Credentials Deck)，从公司血统、团队经验、资本实力和制造模式四个维度，系统性地解决客户的信任问题。

A. 公司背景与技术传承：源自剑桥与清华的顶尖团队

基本半导体的技术基底 (Technology DNA) 是世界一流的。公司的创始团队均拥有顶尖的国际学术背景。董事长汪之涵博士（清华大学学士、剑桥大学电力电子博士）和总经理和巍巍博士（清华大学学士、剑桥大学电力电子博士）均为国家重大人才计划专家 。

在推广中，应主动强调这一背景。这表明基本半导体的技术源头与国际功率半导体巨头在同一水平线，是基于电力电子的第一性原理（First Principles）来进行SiC器件的底层创新设计，而非简单的逆向工程或模仿。

B. 核心团队的行业经验：深谙客户需求的“内行”团队

如果说创始团队决定了公司的技术高度，那么核心执行团队则决定了产品的工程落地能力和质量标准。基本半导体在技术研发、营销运营和生产制造三大板块的核心团队成员，均来自客户所推崇的国际标杆企业 ：

技术研发团队： 曾就职于国际功率半导体TOP5的企业等。

营销运营团队： 曾就职于国际功率半导体TOP5的企业等。

生产制造团队： 曾就职于国际功率半导体TOP5的企业等。

这一团队构成传递出一个明确信号：基本半导体从成立之初，就是按照车规级 (IATF 16949) 和头部工业级 (VDA 6.3) 的标准来建立其研发、制造和品控流程的。团队深谙客户的设计痛点和质量红线。

C. 战略联盟与资本实力：巨头加持的产业协同效应

客户（特别是汽车和大型工业客户）对供应链安全和长期合作稳定性的考量，优先于单一的产品性能。基本半导体的战略股东背景是打消客户疑虑的最有力工具 ：全球汽车技术供应商 (Tier 1)。全球规模领先的轨道交通装备企业。头部汽车主机厂（OEM）。全球领先的半导体。

这些不仅是财务投资，更是深度绑定的产业战略联盟。既是投资者，也是基本半导体产品最严苛的应用验证者和核心客户。向客户推广时应明确指出：选择基本半导体，意味着享受与博世、中车同等级别的供应链保障和经过最严苛系统验证的产品。

D. 垂直整合 (IDM) 优势：自主可控的供应链

经历了全球芯片短缺后，客户对供应链的自主可控能力变得极为敏感。与大多数依赖代工的Fabless（无晶圆厂）设计公司不同，基本半导体是一家垂直整合制造商 (IDM)，其业务范围覆盖碳化硅外延生长、前段工艺（晶圆制造）和后段工艺（模块封装）。

公司在中国市场稳居“第一梯队” ，并已建成关键的制造基地：

深圳碳化硅晶圆制造基地（深圳光明）： 具备6英寸碳化硅MOSFET晶圆的制造能力 。

车规级模块封装基地（深圳、无锡）： 采用先进的SiC专用封装工艺，已通过ISO 9001与IATF 16949体系认证 。

在推广中，IDM模式是交付保障的核心卖点。基本半导体不完全依赖第三方代工厂的产能分配，在未来的供应波动中能为客户提供最稳定、最可靠的交付。

II. 核心产品组合：分立器件 (Discrete Devices)

本章节旨在全面展示基本半导体在分立器件领域的产品广度与技术深度，为销售团队提供完整的“弹药库”。

A. SiC MOSFET 产品线

基本半导体的SiC MOSFET产品线基于6英寸晶圆平台开发 1，覆盖了从650V到1700V的主流电压段，为不同应用提供了丰富的选择。

电压覆盖：

650V: 典型 RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)​ 低至 25mΩ25 mOmega25mΩ (B3M025065L) 和 40mΩ40 mOmega40mΩ (B3M040065Z)。主要应用于PFC（功率因数校正）、通信电源、AI服务器电源和户储逆变器 。

750V: 典型 RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)​ 低至 10mΩ10 mOmega10mΩ (B3M010C075H)。

1200V: 覆盖 11mΩ11 mOmega11mΩ 至 160mΩ160 mOmega160mΩ 的宽范围。主力产品包括 40mΩ40 mOmega40mΩ (B3M040120Z) 和 80mΩ80 mOmega80mΩ (B2M080120H)，广泛用于光伏逆变器、充电桩电源模块和储能变流器PCS 。

1400V: 典型 RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)​ 低至 10mΩ10 mOmega10mΩ (B3M010140Y) 和 20mΩ20 mOmega20mΩ (B3M020140H)。这一电压等级专为 1000VDC1000 V_{DC}1000VDC​ 系统（如光伏逆变器）设计，提供了更高的安全裕量和系统可靠性 。

1700V: 典型 RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)​ 为 600mΩ600 mOmega600mΩ (B2M600170H)，适用于工业辅助电源等高压应用。

封装形式：

提供全系列插件式和贴片式封装，包括TO-247-3, TO-247-4 (四脚开尔文源极，优化开关性能), TO-263-7, T2PAK-7, SOT-227, 以及高散热效率的TOLL和TOLT封装 。

第三代 (B3M) 技术的关键特性：

低开关损耗： B3M技术将品质因数 (FOM) 降低了30%，开关损耗进一步降低，更适合高频使用。

高抗干扰性： 提高了 Ciss/CrssC_{iss}/C_{rss}Ciss​/Crss​ 比值，显著降低器件在串扰行为下的误导通风险。

高一致性 (关键卖点)： B3M产品的 VGS(th)V_{GS(th)}VGS(th)​ 和 RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)​ 偏差非常小，可不经分选直接并联使用。

推广洞察： “可不经分选直接并联”是针对大功率客户（如储能变流器PCS）的巨大卖点。传统上，客户需要花费大量测试和筛选成本来匹配并联的MOSFET，以避免均流问题和热点。基本半导体的B3M技术为客户节省了这一成本，并显著提高了大功率设计的可靠性和良率。

B. SiC SBD（肖特基二极管）产品线

SiC SBD是替代传统硅基FRD（快恢复二极管）的理想选择，其核心优势在于零反向恢复特性。

产品型谱：

650V: 覆盖 4A 至 80A，并提供 60A×260A times 260A×2 等共阴/共阳配置。

1200V: 覆盖 3A 至 100A，并提供 60A×260A times 260A×2 / 80A×280A times 280A×2 / 100A×2100A times 2100A×2 等多芯片配置。

2000V: 提供 40A 产品。

封装形式：

覆盖TO-220, TO-220F, TO-247, TO-252, TO-263, SOT-227等全系列封装 1。

应用优势：

替代硅基FRD，消除反向恢复损耗 (QrrQ_{rr}Qrr​)，从而显著降低与之串联的开关管（IGBT或MOSFET）的开通损耗 (EonE_{on}Eon​)。

支持系统工作在更高频率，从而缩小磁性元件（电感、变压器）的体积和成本。

降低EMI（电磁干扰）和散热器需求。

III. 分立器件的性能实证：与竞品的深度对标分析

本章节为FAE（现场应用工程师）和销售团队提供精确打击竞品的“数据子弹”。核心策略是：用实测数据证明基本半导体的产品在客户最关心的工况下（即高温、高压、动态开关）表现优异。

A. [关键卖点 1] 1200V 40mΩ (B3M040120Z) - 工业与光伏主力

1200V 40mΩ 是光伏逆变器、充电桩模块等应用中的“黄金规格”。基本半导体的B3M040120Z在此规格上展现了卓越的综合性能。

静态参数对标 (Tj=25°C & 175°C) 1

品牌	型号	工艺技术	RDS(ON)​@25∘C (mΩ)	RDS(ON)​@175∘C (mΩ)	VGS(th)​@175∘C (V)	Crss​ (pF)	QG​ (nC)	FOM (RDS(ON)​∗QG​)
BASIC	B3M040120Z	平面栅 G3	40	75	1.9	6	85	3400
C***	C3M0040120K	平面栅 G3	40	68	2.2	5	99	3960
I***	IMZA120R040M1H	沟槽栅 M1H	39	77	3.6	11	39	1521
O***	NTH4L040N120M3S	平面栅 M3S	40	80	/	7	75	3000
S***	SCT040W120G3-4	平面栅 G3	40	70	2.2	10	56	2240
R***	SCT3040KR	沟槽栅 G4	40	78	3.3	27	107	4280
数据来源：1, p. 9

动态双脉冲测试对标 (VDS=800V,ID=40A,Rg=8.2ΩV_{DS}=800V, I_{D}=40A, R_g=8.2OmegaVDS​=800V,ID​=40A,Rg​=8.2Ω) 1

测试项目	B3M040120Z (BASIC)	C3M0040120K (C*)**	IMZA120R040M1H (I*)**	单位
Tj=125∘CT_{j}=125^{circ}CTj​=125∘C
EonE_{on}Eon​ (开通损耗)	767	765	820	µJ
EoffE_{off}Eoff​ (关断损耗)	151	231	180	µJ
EtotalE_{total}Etotal​ (总损耗)	918	996	1000	µJ
QrrQ_{rr}Qrr​ (反向恢复电荷)	0.54	0.50	0.57	µC
数据来源：1, p. 13

“对于您的1200V应用（如光伏逆变器或充电桩），我们的B3M040120Z是综合性能的赢家。请看这份双脉冲对比数据 1：在125°C的实际工作结温下，我们的器件总开关损耗 (EtotalE_{total}Etotal​) 仅为918 µJ，分别优于C的996 µJ和I的1000 µJ。

我们实现这一优势的关键在于关断损耗 (EoffE_{off}Eoff​) ，我们的151 µJ是三款中最低的，比C***低了34%。更低的总损耗意味着您的系统效率更高，发热更少，散热器可以设计得更小。

同时，我们的静态米勒电容 (CrssC_{rss}Crss​) 仅为6 pF ，确保了极快的开关速度和高可靠性。”

B. [关键卖点 2] 650V 40mΩ (B3M040065Z) - PFC 与服务器电源主力

650V是PFC、通信电源和AI服务器电源的主力战场。B3M040065Z在此表现出卓越的高温能效。

静态参数对标 (Tj=25°C & 175°C) 1

品牌	型号	工艺	RDS(ON)​@25∘C (mΩ)	RDS(ON)​@175∘C (mΩ)	Ciss​/Crss​	QG​ (nC)	VGS​ (V)
BASIC	B3M040065Z	G3	40	55	220	60	-4/18
Infineon	IMZA65R039M1H	G1	39	55	93	41	0/18
Infineon	IMZA65R040M2H	G2	40	65	172	28	0/18
CREE	C3M0045065K	G3	45	61	203	63	-4/15
ST	SCT040W65G3-4	G3	40	61	66	37.5	-5/18
数据来源：1, p. 19

动态双脉冲测试对标 (VDS=400V,ID=20AV_{DS}=400V, I_{D}=20AVDS​=400V,ID​=20A) 1

测试项目	B3M040065Z (BASIC)	C3M0045065K (CREE)	SCT040W65G3-4 (ST)	单位
Tj=125∘CT_{j}=125^{circ}CTj​=125∘C
EonE_{on}Eon​ (开通损耗)	132	136	124	µJ
EoffE_{off}Eoff​ (关断损耗)	34	55	57	µJ
EtotalE_{total}Etotal​ (总损耗)	166	191	181	µJ
数据来源：1, p. 23

“对于您的650V应用（如服务器电源PFC、户储逆变器），我们的B3M040065Z在两个关键点上完胜竞品：

第一，请看高温静态数据 ：在175°C时，我们的 RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)​ 仅为 55mΩ55 mOmega55mΩ，显著低于 Infineon G2、CREE G3 和 ST G3（均为 61mΩ61 mOmega61mΩ - 65mΩ65 mOmega65mΩ）。这意味着您的导通损耗更低。

第二，请看高温动态数据 ：在125°C时，我们的总开关损耗 (EtotalE_{total}Etotal​) 仅为166 µJ，是所有对比产品中最低的，比CREE (191 µJ) 低13%，比ST (181 µJ) 低8%。这主要归功于我们 34μJ34 mu J34μJ 的超低关断损耗 (EoffE_{off}Eoff​) ，比竞品低近40%。

第三，我们的 Ciss/CrssC_{iss}/C_{rss}Ciss​/Crss​ 比值高达220 ，远超所有对手（ST仅为66）。这提供了业内最佳的抗米勒干扰能力，使您的半桥设计极其稳健，杜绝误导通风险。”

IV. 核心产品组合：工业级与车规级功率模块 (Power Modules)

针对大功率客户（如储能PCS、大功率充电桩、电机驱动），模块是主战场。推广逻辑不仅在于芯片性能，更在于先进的封装技术和经过验证的系统级可靠性。

A. 工业模块技术亮点

高可靠性封装技术：Si3N4Si_3N_4Si3​N4​ AMB 基板

基本半导体的工业模块（如Pcore™ E1B/E2B, 62mm系列）普遍引入了高性能 Si3N4Si_3N_4Si3​N4​（氮化硅）AMB（活性金属钎焊）陶瓷基板和高温焊料 。

性能对比：

Al2O3Al_2O_3Al2​O3​ (氧化铝)：导热率低 (24 W/mK)，抗弯强度中等 (450 N/mm2N/mm^2N/mm2)。

AIN (氮化铝)：导热率高 (170 W/mK)，但机械性能差，易碎（抗弯强度350 N/mm2N/mm^2N/mm2）。

Si3N4Si_3N_4Si3​N4​ (氮化硅)： 实现了导热与可靠性的最佳平衡。导热率高 (90 W/mK)，且抗弯强度极高 (700 N/mm2N/mm^2N/mm2)，热膨胀系数 (2.5 ppm/K) 与SiC芯片更匹配。

推广价值： SiC芯片功率密度高，热冲击大。Si3N4Si_3N_4Si3​N4​ 基板凭借其出色的机械强度和抗热冲击能力，在1000次温度冲击试验后仍保持良好的结合强度，而 Al2O3Al_2O_3Al2​O3​ / AIN 则可能出现分层1。这是模块长期可靠运行的保证。

内置SiC SBD的性能优势

这是一个关键的技术差异点。SiC MOSFET的体二极管 (Body Diode) 性能较差（VFV_FVF​ 高，且长时间导通存在双极性退化风险）。基本半导体的Pcore™模块（如E1B, E2B）内置了SiC SBD作为续流二极管 。

带来的三大优势：

更低续流损耗： SBD的管压降 (VSD) 远低于体二极管。例如BMF240R12E2G3 (E2B) 在200A下的 VSDV_{SD}VSD​ 仅为 1.91V1.91V1.91V，而竞品W***的体二极管压降高达 5.45V5.45V5.45V 。这能大幅降低系统死区时间内的续流损耗。

消除双极性退化 (Bipolar Degradation)： 避免了体二极管导通，从根本上消除了因堆垛层错 (Stacking Fault) 扩展导致的 RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)​ 上升和器件失效风险 。

更高可靠性： 实测证明，在普通SiC MOSFET体二极管导通运行1000小时后，RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)​ 波动高达42%，而内置SBD的本产品，RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)​ 变化率在3%以内 。

B. 工业模块产品系列概览

Pcore™2 E1B/E2B 系列： 采用行业通用封装，内置SBD，高性能 Si3N4Si_3N_4Si3​N4​ AMB基板。适用于大功率充电桩、APF、PCS、高端焊机 。

Pcore™2 34mm 系列： 采用BASiC第三代芯片，高性能DCB和高温焊料。适用于高端工业焊机、感应加热、工业变频器 。

Pcore™2 62mm 系列： 采用BASiC第三代芯片，高性能 Si3N4Si_3N_4Si3​N4​ AMB基板，低杂散电感 (<14nH< 14nH<14nH)，带Cu基板。适用于储能系统、大功率焊机、辅助牵引 。

其他系列： 包括Pcore™ E3B (ANPC三电平), Pcore™ 12 EP2 (双三相桥) 等 。

C. 车规级模块与应用：终极的可靠性证明

车规级市场是半导体行业要求最严苛的金字塔尖。基本半导体在车规市场的成功是其产品可靠性的最强背书。

车规级产品系列：

Pcore™ M6 (HPD): 三相全桥模块，750V/1.9mΩ750V/1.9mOmega750V/1.9mΩ (700A) / 1200V/2.2mΩ1200V/2.2mOmega1200V/2.2mΩ (600A)。

Pcore™ 2 (DCM): 半桥模块，750V/1.4mΩ750V/1.4mOmega750V/1.4mΩ (920A) / 1200V/1.6mΩ1200V/1.6mOmega1200V/1.6mΩ (720A)。

Pcore™ M1 (TPAK): 单开关模块。

先进封装技术：

采用银烧结 (Silver Sintering) 工艺，PinFin（针鳍）散热基板，实现高散热效率和高电流密度。

极低的杂散电感（DCM封装 < 5.5nH5.5 nH5.5nH），为高速开关提供保障 。

量产应用案例：

H品牌： G/H车型，800V平台，250kW峰值功率，2023年已上市。

A品牌： V/R车型，400V平台，165kW峰值功率，2024年已上市。

Z品牌： A/B车型，准900V平台，峰值功率 579kW579kW579kW - 600kW600kW600kW，2024-2025年上市。

“我们知道您在工业/光伏/储能应用中对可靠性要求极高。我们的车规级模块已经大批量搭载在H品牌、A品牌、Z品牌等头部车企的800V和准900V平台上 ，峰值功率高达600kW，这些车型都在路上跑。汽车主驱电控是地球上对功率半导体要求最严苛的应用，远超工业和光伏。我们的SiC经受住了车规的考验，用在您的储能PCS或充电桩上，可靠性是降维打击。”

V. 功率模块的性能实证：与竞品的深度对标分析

本章节为大功率模块客户提供精确的对标数据，重点突出基本半导体在高温、大电流工况下的开关性能和可靠性优势。

A. [关键卖点 3] BMF240R12E2G3 (E2B封装) - 充电桩与PCS主力

静态参数对标 (Tj=25∘CT_j=25^{circ}CTj​=25∘C)

项目	测试条件	BMF240R12E2G3 (BASIC)	CAB006M12GM3 (W*)**	FF6MR12W2M1H (I*)**	单位
VSDV_{SD}VSD​ (续流压降)	VGS=−4V,ISD=200AV_{GS}=-4V, I_{SD}=200AVGS​=−4V,ISD​=200A	1.911	5.452	4.861	V
VGS(th)V_{GS(th)}VGS(th)​	ID=78mAI_{D}=78mAID​=78mA	4.311	3.008	4.050	V
RDS(ON)R_{DS(ON)}RDS(ON)​	VGS=18V,ID=150AV_{GS}=18V, I_{D}=150AVGS​=18V,ID​=150A	5.701	4.036	4.412	mΩmOmegamΩ
CrssC_{rss}Crss​	VDS=800VV_{DS}=800VVDS​=800V	36.900	52.919	59.584	pF
数据来源：1, p. 20-22

动态双脉冲测试对标 (VDC=800V,Rg=3.3ΩV_{DC}=800V, R_g=3.3OmegaVDC​=800V,Rg​=3.3Ω) 1

测试项目	工况 (ID​)	BMF240R12E2G (BASIC)	CAB006M12GM3 (W*)**	FF6MR12W2M1H (I*)**	单位
Tj=125∘CT_{j}=125^{circ}CTj​=125∘C
EonE_{on}Eon​ (开通损耗)	150A	5.89	5.12	5.49	mJ
EoffE_{off}Eoff​ (关断损耗)	150A	1.66	3.01	2.61	mJ
EtotalE_{total}Etotal​ (总损耗)	150A	7.55	8.13	8.10	mJ
EonE_{on}Eon​ (开通损耗)	400A	14.66	15.90	15.39	mJ
EoffE_{off}Eoff​ (关断损耗)	400A	6.16	11.31	8.85	mJ
EtotalE_{total}Etotal​ (总损耗)	400A	20.82	27.21	24.24	mJ
数据来源：1, p. 25

“针对您的大功率充电桩或储能PCS应用，我们的E2B封装BMF240R12E2G3优势极其明显：

续流损耗：我们的模块内置SBD1，在200A续流时，压降 VSDV_{SD}VSD​ 仅为 1.91V1.91V1.91V。而W和I使用体二极管，压降高达 5.45V5.45V5.45V 和 4.86V4.86V4.86V 。在系统死区时间内，您的续流损耗将降低60%以上。

开关损耗：请看125°C高温下的实测数据 。在150A时，我们的 EtotalE_{total}Etotal​ (7.55 mJ) 是最低的。在400A的重载工况下，我们的优势更明显：EtotalE_{total}Etotal​ 仅 20.82mJ20.82 mJ20.82mJ，比W*** (27.21 mJ) 低23% ，比I*** (24.24 mJ) 低14% 。

损耗来源：我们的巨大优势来自于超低的关断损耗 (EoffE_{off}Eoff​) 。在400A时，我们的 EoffE_{off}Eoff​ 仅 6.16mJ6.16 mJ6.16mJ，而W和I分别高达 11.31mJ11.31 mJ11.31mJ 和 8.85mJ8.85 mJ8.85mJ。

更低的总损耗 + 更低的续流损耗 = 您的系统效率最高，发热最低，可靠性最强。”

B. [关键卖点 4] BMF540R12KA3 (62mm封装) - 大功率电机驱动

静态参数对标 (Tj=25∘CT_j=25^{circ}CTj​=25∘C & 150°C)

静态参数（RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)​ 约 2.5mΩ2.5 mOmega2.5mΩ, VGS(th)V_{GS(th)}VGS(th)​ 约 2.7V2.7V2.7V）与CREE的CAB530M12BM3非常接近，表明是直接对标产品。

动态双脉冲测试对标 (VDS=600V,Rg=2ΩV_{DS}=600V, R_g=2OmegaVDS​=600V,Rg​=2Ω)

测试项目	工况 (ID​)	BMF540R12KA3 (BASIC)	CAB530M12BM3 (CREE)	单位
Tj=175∘CT_{j}=175^{circ}CTj​=175∘C
EonE_{on}Eon​ (开通损耗)	270A	8.32	10.3	mJ
EoffE_{off}Eoff​ (关断损耗)	270A	5.51	7.94	mJ
EtotalE_{total}Etotal​ (总损耗)	270A	13.83	18.24	mJ
EonE_{on}Eon​ (开通损耗)	540A	16.42	20.09	mJ
EoffE_{off}Eoff​ (关断损耗)	540A	14.21	20.2	mJ
EtotalE_{total}Etotal​ (总损耗)	540A	30.63	40.29	mJ
数据来源：1, p. 43-44; 1, p. 8-9

“对于您的500A以上的大功率电机驱动（或光伏逆变器），我们的62mm模块 (BMF540R12KA3) 提供了惊人的性能。请看这份在175°C结温、540A电流的极限工况下的对比数据 ：

我们的开通损耗 (EonE_{on}Eon​) 比CREE低18% (16.42mJ16.42 mJ16.42mJ vs 20.09mJ20.09 mJ20.09mJ)。

我们的关断损耗 (EoffE_{off}Eoff​) 比CREE低30% (14.21mJ14.21 mJ14.21mJ vs 20.2mJ20.2 mJ20.2mJ)。

最终，我们的总开关损耗 (EtotalE_{total}Etotal​) 仅为 30.63mJ30.63 mJ30.63mJ，而CREE高达 40.29mJ40.29 mJ40.29mJ 。这意味着在同等工况下，我们的模块开关损耗降低了整整24% 。这对您的散热设计、系统成本和长期可靠性来说，是一个决定性的优势。”

VI. 应用场景的量化价值：SiC vs. IGBT 仿真对比 (PLECS)

本章节是最高阶的推广策略：不再是“我的芯片比对手好”，而是“我的芯片能让您的系统产生革命性变化”。这是从“元件思维”到“系统思维”的转变，用PLECS仿真数据直观地展示客户的商业价值。

A. [推广案例 1：工业电源]

应用分析： 工业电源（H桥拓扑）传统上使用20kHz的IGBT。客户的核心诉求是减小体积、减轻重量（便携性）和节能。

仿真对比： BMF80R12RA3 (SiC, 34mm模块) vs. 某品牌高速IGBT (1200V 100A)。

仿真条件： H桥拓扑, VDC=540VV_{DC}=540VVDC​=540V, Pout=20kWP_{out}=20kWPout​=20kW, TH=80∘CT_H=80^{circ}CTH​=80∘C 。

焊机H桥拓扑结构仿真结果 (单开关损耗)

模块型号	开关频率 (fsw​)	导通损耗 (W)	开通损耗 (W)	关断损耗 (W)	总损耗 (Per MOS/IGBT) (W)	H桥总损耗 (W)	整机效率 (H桥)
B*** (IGBT)	20kHz	37.66	64.26	47.23	149.15	596.6	97.10%
F*** (IGBT)	20kHz	37.91	41.39	22.08	101.38	405.52	98.01%
BMF80R12RA3 (SiC)	70kHz	16.67	48.2	10.55	66.68	239.84	98.82%
BMF80R12RA3 (SiC)	80kHz	15.93	38.36	12.15	80.29	321.16	98.42%
数据来源：1, p. 37; 1, p. 17

“我们知道，焊机市场竞争激烈，客户要求设备更轻、更节能。但使用IGBT，您被限制在20kHz，导致您的变压器和电感又大又重。

我们不只是卖您一颗SiC芯片，我们卖给您一个系统升级的可能。请看这份20kW焊机的PLECS仿真 ：如果您用我们的BMF80R12RA3模块，您可以将开关频率从20kHz提升到80kHz（4倍）。

这意味着：

高频化： 您的磁性元件（变压器、电感）体积和成本可以降低至少50% ，焊机重量大幅下降。

高效率： 即使在4倍的频率下，您的H桥总损耗也从596W（B** IGBT）降低到321W*，下降了46%。

高效益： 整机效率从97.10%提升到98.42% ，响应速度更快，焊接工艺控制更精准。

这是实现下一代高频、便携、高效焊机的唯一途径。”

B. [推广案例 2：电机驱动/大功率储能]

应用分析： 大功率电机驱动（变频器、伺服）或储能PCS。客户的核心诉求是功率密度（在给定体积内输出更大功率）和全负载范围的效率。

仿真对比： BMF540R12KA3 (SiC, 62mm模块) vs. 某IGBT (FF800R12KE7)。

仿真条件： VDC=800VV_{DC}=800VVDC​=800V, TH=80∘CT_H=80^{circ}CTH​=80∘C, 三相逆变器 1。

推广路径1：追求极致效率 (仿真任务1：固定出力仿结温) 1

工况： 固定输出 300Arms300 A_{rms}300Arms​， fsw=6kHzf_{sw}=6kHzfsw​=6kHz (对标IGBT)。

模块类型	型号	载频 (fsw​)	单开关总损耗 (W)	效率 (%)	最高结温 (Tj​)
IGBT	FF800R12KE7	6 kHz	1119.71	97.25%	129.14°C
SiC	BMF540R12KA3	6 kHz	185.35	99.53%	102.7°C
SiC	BMF540R12KA3	12 kHz	242.66	99.39%	109.49°C
数据来源：1, p. 55; 1, p. 20

推广话术（针对节能型客户）：

“在同等300A负载和6kHz频率下 ，用我们的SiC模块替换IGBT，您的逆变器损耗将降低83%（从1120W降至185W），效率从97.25%飙升至99.53%。结温下降近27°C。这意味着您可以大幅缩小散热器，甚至取消风扇，实现更高可靠性的液冷或自然冷却系统。”

推广路径2：追求极致功率密度 (仿真任务2：固定结温仿出力)

工况： fsw=6kHzf_{sw}=6kHzfsw​=6kHz，限制最高结温 Tj≤175∘CT_j le 175^{circ}CTj​≤175∘C ，反推最大输出电流。

模块类型	型号	载频 (fsw​)	最高结温 (Tj​)	最大相电流 (Arms​)
IGBT	FF800R12KE7	6 kHz	175°C	446
SiC	BMF540R12KA3	6 kHz	175°C	556.5
数据来源：1, p. 58; 1, p. 23

推广话术（针对性能型客户）：

“如果您想在现有的62mm封装和散热设计上压榨出最大功率 1，我们的SiC模块是您的不二之选。在相同的175°C结温极限下，IGBT最多只能跑到446A。而我们的BMF540R12KA3可以稳定输出556.5A——这比IGBT提升了近25%的功率！您可以在不改变任何结构设计的前提下，推出一个功率高25%的新型号产品。”

VII. 赢得客户信任：可靠性与车规级认证

本章节用于打消客户对“新品牌”和“国产”在耐用性上的顾虑，是销售谈判后期的关键支撑材料。

A. 工业级可靠性验证

基本半导体执行完整的工业级可靠性验证标准，对标一线大厂，确保产品在严苛环境下的长期稳定性 。

基本半导体可靠性验证标准 (部分)

No.	Stress (测试项目)	Abbr (缩写)	Conditions (测试条件)	Test duration (时长)	Standard (标准)
1	高温反偏	HTRB	Tj=175∘CT_j=175^{circ}CTj​=175∘C, VDS=100%BVV_{DS}=100%BVVDS​=100%BV	1000 H	MIL-STD-750 / JEDEC
2	高温栅偏 (正压)	HTGB (+)	Tj=175∘CT_j=175^{circ}CTj​=175∘C, VGS=22VV_{GS}=22VVGS​=22V	1000 H	JEDEC JESD22-A-108
3	高温栅偏 (负压)	HTGB (-)	Tj=175∘CT_j=175^{circ}CTj​=175∘C, VGS=−10VV_{GS}=-10VVGS​=−10V	1000 H	JEDEC JESD22-A-108
4	高压高湿高温反偏	HV-H3TRB	Ta=85∘CTa=85^{circ}CTa=85∘C, RH=85%RH=85%RH=85%, VDS=80%BVV_{DS}=80%BVVDS​=80%BV	1000 H	JEDEC JESD22-A-101
5	高压蒸煮	AC	Ta=121∘CTa=121^{circ}CTa=121∘C, RH=100%RH=100%RH=100%, 15psig	96 H	JEDEC JESD22-A-102
6	温度循环	TC	−55∘C-55^{circ}C−55∘C to 150∘C150^{circ}C150∘C	1000 cycles	JESD22-A104
7	间歇工作寿命	IOL	△Tj≥100∘Ctriangle T_j ge 100^{circ}C△Tj​≥100∘C	15000 cycles	MIL-STD-750
数据来源：1, p. 35

B. 车规级AEC-Q101认证

基本半导体已有多款产品通过了严苛的AEC-Q101车规级认证 。

已认证产品： AB2M080120H (1200V 80mΩ) 已通过AEC-Q101认证 。

认证资质： 公司提供了AEC-Q101可靠性测试报告（报告编号 R202401195774-00EN），证明其产品（如AB2M040120Z）符合AEC-Q101-Rev E标准。

产品型谱： 在产品型录中，AB2M080120H、AB2M040120Z等多款产品均已获得汽车级认证 。

推广策略： 必须主动出示可靠性报告 1 和车规级认证 3。向客户表明，基本半导体的产品不仅符合工业标准，更通过了要求高出一个数量级的AEC-Q101认证。结合第四章节的头部车企量产案例 1，形成“实验室数据 + 市场验证”的双重保险，彻底打消客户对可靠性的顾虑。

VIII. 加速客户设计导入 (Design-In)：完整的驱动与电源解决方案

本章节是代理商实现价值最大化的关键。不要只卖一颗MOSFET，要卖“MOSFET + 驱动 + 电源”的方案包。这能锁定客户设计，提高客户粘性，并解决客户最大的技术痛点。

A. [技术痛点分析] 为何SiC MOSFET设计门槛高？——米勒效应 (Miller Phenomenon)

向客户（尤其是从IGBT转SiC）推广时，必须首先揭示SiC的设计痛点，才能体现基本半导体“整体解决方案”的价值。

原理： 1在半桥电路中，当上管Q1开通时，桥臂中点电压快速上升（高dv/dt）。该dv/dt会驱动下管Q2的栅漏间寄生电容（米勒电容 CgdC_{gd}Cgd​）流过米勒电流 IgdI_{gd}Igd​ (Igd=Cgd×dv/dtI_{gd} = C_{gd} times dv/dtIgd​=Cgd​×dv/dt)。

SiC的特殊性：

极低的 VGS(th)V_{GS(th)}VGS(th)​： SiC的开启电压仅为 1.8V1.8V1.8V - 2.7V2.7V2.7V，而IGBT通常为 5.5V5.5V5.5V。

极高的 dv/dtdv/dtdv/dt： SiC开关速度远快于IGBT。

恶果： 高 IgdI_{gd}Igd​ 在Q2的关断电阻 RgoffR_{goff}Rgoff​ 上产生一个正向电压尖峰 (Vspike=Igd×RgoffV_{spike} = I_{gd} times R_{goff}Vspike​=Igd​×Rgoff​)。这个 VspikeV_{spike}Vspike​ 极易超过SiC的低 VGS(th)V_{GS(th)}VGS(th)​，导致Q2被误导通 (False Turn-on)，形成上下桥臂直通，烧毁模块。

B. [解决方案 1：驱动] BTD5350M芯片的主动米勒钳位功能

实测证据 (最强卖点)：

基本半导体使用B2M040120Z搭建了双脉冲平台，实测了米勒钳位的作用 。

米勒钳位作用实测对比 (VDS=800V,ID=40AV_{DS}=800V, I_{D}=40AVDS​=800V,ID​=40A)

栅极关断电压	无米勒钳位 (下管 VGS​ 尖峰)	有米勒钳位 (BTD5350M) (下管 VGS​ 尖峰)	结论
0V	7.3V	2V	7.3V >> 2.7V (VthV_{th}Vth​)，必然误导通！ 钳位后安全。
-4V	2.8V	0V	2.8V ≈ 2.7V (VthV_{th}Vth​)，仍处在误导通边缘！ 钳位后绝对安全。
数据来源：1, p. 31-32; 1, p. 40-41

“您在设计SiC驱动时，最大的噩梦就是米勒误导通。请看这份实测波形 ：即使用0V关断，下管的 VGSV_{GS}VGS​ 会被抬高到 7.3V7.3V7.3V，这会立即导致短路。

而使用我们的BTD5350M驱动芯片 ，其主动米勒钳位功能会在关断期间提供一个超低阻抗路径，将尖峰钳制在2V以下，彻底杜绝误导通。即使您使用-4V负压 ，我们的钳位功能也能将 2.8V2.8V2.8V 的危险尖峰降至0V。这是我们为您提供的‘交钥匙’的可靠性方案。”

C. [解决方案 2：电源] BTP1521x + 专用变压器

痛点： SiC需要+18V（充分导通）和-5V（可靠关断）的隔离电源，传统方案复杂且不可靠。

方案： 基本半导体提供正激DCDC电源芯片 BTP1521x（SOP-8/DFN封装, 6W）1+ 双通道隔离变压器 TR-P15DS23-EE13 。

参考设计： 提供完整应用电路图 1。使用BTP1521F驱动变压器，副边通过简单的全桥整流和稳压管，即可产生 VISO−VS≈+18VV_{ISO}-V_S approx +18VVISO​−VS​≈+18V 和 COM−VS≈−5VCOM-V_S approx -5VCOM−VS​≈−5V 的双路隔离电源，总功率4W，频率477kHz。

“您不需要自己设计复杂的SiC驱动隔离电源。我们提供包括BTP1521x电源芯片和专用变压器在内的完整参考设计 。您只需要复制这个电路，就能获得为我们驱动芯片 (BTD5350M) 完美适配的+18V/-5V电源。我们把最复杂的设计工作都完成了。”

D. [解决方案 3：驱动板] BSRD系列参考设计

产品： BSRD-2427 (用于34mm模块), BSRD-2503 (用于62mm模块) 。

价值： 这是一个“即插即用” (Plug-and-Play) 的驱动板，集成了上述所有方案（BTP1521x + 变压器 + BTD5350M）。

“为了让您最快速度评估我们的模块，我们还提供即插即用的BSRD系列驱动板 。它已经搭载了我们优化的电源和驱动芯片。您可以直接用它来搭建双脉冲平台，一天之内就能复现我们提供的优异测试数据。这能让您的项目评估周期缩短数周。”

IX. 总结：面向重点应用的推广策略与产品选型

深圳市倾佳电子有限公司（简称“倾佳电子”）是聚焦新能源与电力电子变革的核心推动者：
倾佳电子成立于2018年，总部位于深圳福田区，定位于功率半导体与新能源汽车连接器的专业分销商，业务聚焦三大方向：
新能源：覆盖光伏、储能、充电基础设施；
交通电动化：服务新能源汽车三电系统（电控、电池、电机）及高压平台升级；
数字化转型：支持AI算力电源、数据中心等新型电力电子应用。
公司以“推动国产SiC替代进口、加速能源低碳转型”为使命，响应国家“双碳”政策（碳达峰、碳中和），致力于降低电力电子系统能耗。
需求SiC碳化硅MOSFET单管及功率模块，配套驱动板及驱动IC，请添加倾佳电子杨茜微芯（壹叁贰 陆陆陆陆 叁叁壹叁）

A. 市场策略总结：四大支柱

讲出身 (Trust): 清华/剑桥背景，IDM自主可控 。

讲性能 (Performance): 展示高温下的 EtotalE_{total}Etotal​ 和 RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)​ 对标数据 。

讲应用 (Value): 展示PLECS仿真结果，量化SiC带来的系统级优势（高频、高效、高功率密度）。

讲方案 (Solution): 销售“芯片+驱动+电源”的整体方案，解决客户米勒钳位和电源设计的核心痛点 。

B. 目标市场产品选型推荐表

以下表格汇总了针对四大核心工业应用的产品选型推荐，可作为客户拜访的速查指南 。

重点应用产品选型指南

目标应用	功率等级	推荐拓扑	推荐SiC MOSFET分立器件	推荐SiC MOSFET模块	配套驱动/电源 IC	关键卖点
125kW 工商业储能PCS	> 100kW	T型三电平 / ANPC	B3M013C120Z (1200V13.5mΩ1200V 13.5mOmega1200V13.5mΩ) * 24	BMF240R12E2G3 (E2B) * 4	BTD5350M, BTD25350M, BTP1521P	高效率, 低损耗, 高可靠性
APF (有源电力滤波器)	35A	三相VSI	B2M040120Z (1200V40mΩ1200V 40mOmega1200V40mΩ) * 6	-	BTD5350M, BTP1521P	高频化（降低LCL成本），低损耗
	100A	三相VSI	-	BMF008MR12E2G3 (E2B) * 3	BTD25350M, BTP1521P	高功率密度，内置SBD
	150A	三相VSI	-	BMF240R12E2G3 (E2B) * 3	BTD25350M, BTP1521P	模块化方案，大电流
充电桩电源模块	60kW	三相PFC + LLC	辅助电源: B2M600170R	BMF240R12E2G3 (E2B) * 3	BTD25350M, BTP1521P	高频高效（LLC），高可靠性 (见V.A节)
逆变焊机	250-350A	H桥 (全桥)	B2M080120Z (1200V80mΩ1200V 80mOmega1200V80mΩ) * 8	-	BTD5350M, BTP1521P	高频（减小磁芯），高可靠性
	350-500A	H桥 (全桥)	B2M040120Z (1200V40mΩ1200V 40mOmega1200V40mΩ) * 8	BMF80R12RA3 (34mm) * 2	BTD25350M, BTP1521P	见VI.A节仿真数据，高频高效
	> 500A (切割机)	H桥 (全桥)	B2M030120Z (1200V30mΩ1200V 30mOmega1200V30mΩ) * 8	BMF160R12RA3 (34mm) * 2	BTD25350M, BTP1521P	极致功率密度
电机驱动 / 伺服	> 20kW	三相VSI	-	BMF540R12KA3 (62mm)	BSRD-2503 (驱动板)	见VI.B节仿真数据，25%功率提升

审核编辑 黄宇