三星电子将扩大尖端DRAM/NAND产量

核心提示：据悉，日前，三星电子在第三季度财报电话会议上宣布，将扩大尖端存储器的供应，包括10nm第四代（1a）和第五代（1b）DRAM内存以及

据悉，日前，三星电子在第三季度财报电话会议上宣布，将扩大尖端存储器的供应，包括10nm第四代（1a）和第五代（1b）DRAM内存以及第七代和第八代V-NAND闪存等，而不会进行任何下调。

三星电子副总裁Kim Jae-jun表示：“对于生成式人工智能（AI）等高性能产品运行至关重要的尖端存储的需求正在迅速增长。另一方面，由于去年以来存储行业的资本投资削减，我们先进节点工艺的扩展受到限制。”

Kim Jae-jun补充道：“三星电子将通过维持投资来进一步巩固其在尖端存储器市场的地位，以确保其中长期竞争力。”三星电子负责半导体业务的DS部门计划每年投资47.5万亿韩元的资本支出。

然而，Kim Jae-jun解释说，对于一些传统产品，该公司正在继续调整产量以使库存正常化，“将进行选择性的生产调整，以在短时间内使库存正常化。NAND闪存的供应削减幅度将大于DRAM。”

同日，三星电子公布第三季度财报业绩，合并销售额67.4047万亿韩元，营业利润为2.4336万亿韩元。三星电子销售额较去年第三季度下降12.21%，但较今年第二季度增长12.3%；营业利润较去年同期下降77.57%。不过，这一数字明显高于市场预测的1.8358万亿韩元。

特别是三星DS部门的经营业绩有所改善，营业利润达到2万亿韩元以上。该公司公布的营业亏损为3.75万亿韩元，与第一季度的4.58万亿韩元和第二季度的4.36万亿韩元相比，亏损大幅缩小。

三星电子涵盖家电和移动业务的DX部门销售额达44.2万亿韩元，营业利润达3.73万亿韩元；以智能手机为主的移动体验和网络部门创造了3.3万亿韩元的营业利润；消费电子和视觉显示部门创造了3800亿韩元的营业利润；三星显示实现营业利润1.94万亿韩元；汽车电子子公司哈曼实现营业利润4500亿韩元。