大陆三星东芝纷纷增产 3D NAND竞争白热化

　　厂商争相投资，3D NAND Flash前景不妙？据传三星电子平泽厂（Pyeongtaek）将提前投产，SK海力士（SK Hynix）、东芝（Toshiba）、美光（Micron）产能也将于明年下半全面开出，届时3D NAND可能会从供不应求、呈现供给过剩的状况。

　　BusinessKorea 6日报道，NAND需求爆发，据悉三星电子决定平泽厂完工时间提前三个月，改在明年三、四月开始生产第四代64层3D NAND。三星平泽厂完工，加上原本的华城（Hwaseong）厂，届时三星3D NAND产能将从当前水准提高两倍、至32万片。

　　SK海力士也准备生产3D NAND，仁川厂M14线无尘室正在装设仪器，估计第二代36层3D NAND可在今年第二季出货、第三季量产。第四季将加码投资第三代48层3D NAND，估计未来3D NAND将占SK海力士产出的一半。

　　与此同时，大陆厂商武汉新芯也打算砸下巨资打造新厂，该公司与美商Spansion共同研发3D NAND。日厂东芝则与Western Digital（西部数据）携手，准备量产3D NAND。

　　韩媒etnews 4日报道，业界消息称，NAND Flash价格一路向上，三星决定平泽厂将提前三个月投产。目前平泽厂的建筑工事进入尾声，正修筑工厂外墙，预料12月完工，紧接着要开始设备投资，购买无尘室设施和晶圆生产仪器等。

　　多名设备业人士表示，三星若想在2017年初装设备仪器，现在就得下单，据称三星不久后就会开始发出订单。外界预料，平泽厂将名为18代线，明年第二季季初或季中开始营运，负责生产第四代64层3D NAND Flash。第一阶段每月产量为4~5万片12寸晶圆，约为18代线总产量的1/4（总产量为20万片）。估计第一阶段投资金额为27.2~31.7亿美元（181.4亿~211.4亿人民币）。

　　韩国媒体朝鲜日报日文版报道，三星8月11日宣布，第4代V-NAND Flash（3D NAND）产品将在2016年Q4（10-12月）开卖，该款产品将采64层堆叠。三星指出，借由采用64层堆叠技术，每片晶圆的储存容量可较现行技术提高30%、能有效改善成本竞争力。

　　三星为全球第一家量产3D NAND的厂商，于2013年研发出堆叠24层的3D NAND之后，就逐步将技术升级至32层、48层，此次则进一步提升至64层。

　　东芝7月27日发布新闻稿宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND制程技术，并自当日起领先全球同业开始进行样品出货，且预计将透过甫于7月完工的四日市工厂“新第2厂房”进行生产。

　　四大豪门现状

　　在主要的NAND厂商中，三星最早量产了3D NAND，其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星至少2年时间，Intel、美光去年才推出3D NAND闪存，Intel本月初才发布了首款3D NAND闪存的SSD，不过主要是面向企业级市场的。

　　这四大豪门的3D NAND闪存所用的技术不同，堆栈的层数也不一样，而Intel在常规3D NAND闪存之外还开发了新型的3D XPoint闪存，它跟目前的3D闪存有很大不同，属于杀手锏级产品，值得关注。

　　四大NAND豪门的3D NAND闪存规格及特色

　　上述3D NAND闪存中，由于厂商不一定公布很多技术细节，特别是很少提及具体的制程工艺，除了三星之外其他厂商的3D NAND闪存现在才开始推向市场，代表性产品也不足。

　　（一）三星：最早量产的V-NAND闪存

　　三星是NAND闪存市场最强大的厂商，在3D NAND闪存上也是一路领先，他们最早在2013年就开始量产3D NAND闪存了。在3D NAND路线上，三星也研究过多种方案，最终量产的是VG垂直栅极结构的V-NAND闪存，目前已经发展了三代V-NAND技术，堆栈层数从之前的24层提高到了48层，TLC类型的3D NAND核心容量可达到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。

　　值得一提的是，三星在3D NAND闪存上领先不光是技术、资金的优势，他们首先选择了CTF电荷撷取闪存（charge trap flash，简称CTF）路线，相比传统的FG（Floating Gate，浮栅极）技术难度要小一些，这多少也帮助三星占了时间优势。

　　有关V-NAND闪存的详细技术介绍可以参考之前的文章：NAND新时代起点，三星V-NAND技术详解

　　（二）东芝/闪迪：独辟蹊径的BiCS技术

　　东芝是闪存技术的发明人，虽然现在的份额和产能被三星超越，不过东芝在NAND及技术领域依然非常强大，很早就投入3D NAND研发了，2007年他们独辟蹊径推出了BiCS技术的3D NAND——之前我们也提到了，2D NAND闪存简单堆栈是可以作出3D NAND闪存的，但制造工艺复杂，要求很高，而东芝的BiCS闪存是Bit Cost Scaling，强调的就是随NAND规模而降低成本，号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低，也意味着成本更低。

　　东芝和闪迪是战略合作伙伴，双方在NAND领域是共享技术的，他们的BiCS闪存去年开始量产，目前的堆栈层数是48层，MLC类型的核心容量128Gb，TLC类型的容量可达256Gb，预计会在日本四日市的Fab 2工厂规模量产，2016年可以大量出货了。