9月2日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 SK海力士本周宣布，他们已经开始基于其128层3D NAND闪存采样产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，他们推出了96层第5代3D NAND，但低价促使他们削减了产量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 近日，SK海力士在官网宣布，适用第四代10纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb）LPDDR4 移动端DRAM（动态随机存储器）产品已于7月初开始量产。 自从10纳米级DRAM产品开始，半导体
2021-07-12 10:57:065592 及高性能计算提供澎湃算力支持。 澜起科技第四代津逮 ® CPU，以英特尔 ® 第四代至强 ® 可扩展处理器（代号：Sapphire Rapids）为内核，通过了澜起科技安全预检测(PrC)测试，是面向本土市场的x86架构服务器处理器。相较上一代产品，第四代津逮 ® CPU采用先进的
2023-01-12 10:09:252188 
包括三星电子（Samsung Electronics）、美光（Micron）与东芝（Toshiba）为量产3D NAND Flash，纷投资建厂或以既有生产线进行转换，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:437470 受益于智能手机搭载的NAND Flash存储容量持续提升，以及PC、服务器、资料中心积极导入固态硬盘（SSD），NAND Flash需求正快速成长，各家存储器厂亦由2D NAND Flash加速转进
2017-02-07 17:34:129182 
电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002458 目前东芝已经提出了创纪录的96层堆叠3D闪存——第四代BiCS闪存。它的内部是如何工作的？一颗闪存芯片又是,如何演变成我们能看到的闪存颗粒？
2017-09-20 09:39:1426286 在三星、东芝存储器（TMC）、西部数据、美光、SK海力士等3D技术快速发展的推动下，不仅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及，2019下半年原厂将加快从64层3DNAND向96层
2019-07-05 09:11:117106 美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型，第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-03 09:24:154889 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出货全球首款176层3D NAND闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。这款176层NAND产品采用美光第五代3D NAND技术和第二代替换栅极架构。
2020-11-13 09:40:163599 第四代CSR8670开发板开发步骤Rev1.2
2017-09-30 09:06:52
全新的第四代北斗芯片，较上一代芯片有了全面的提升。芯片采用双核架构设计，计算能力提升100%；存储效能提升一个数量级；观测通道数提升一倍以上，可以跟踪更多卫星信号；工作功耗下降50%，为更多应用场景提供
2023-09-21 09:52:00
第四代移动通信技术是什么？有什么主要特点？第四代移动通信系统有哪些关键技术？
2021-05-26 07:07:28
）新推出的企业和数据中心固态硬盘外形尺寸（EDSFF） E1.S等行业标准，采用体积更小、且支持第四代PCIe的非易失性存储器高速（NVMe）固态硬盘。 这些固态硬盘要求控制器具备体积小和低功耗的特点
2020-11-23 06:10:45
MIMO-OFDM系统为什么能成为第四代移动通信领域研究的热点和重点？
2021-05-27 06:39:06
据我所知，第五代capsense相比第四代将电容（包括自电容+互电容技术）和电感触摸技术集成到了一起，snr信噪比是上一代的十多倍，同时功耗仅是上一代的十分之一。但是这张图在感应模式上第四代
2024-05-23 06:24:34
NAND只需要提高堆栈层数，目前多种工艺架构并存。从2013年三星推出了第一款24层SLC/MLC 3D V-NAND，到现在层数已经迈进200+层，并即将进入300+层阶段。目前，三星/西部数据
2024-12-17 17:34:06
娱乐等，未来AI实时应用、分析、移动性，对存储要求低延迟、高吞吐量、高耐久性、低功耗、高密度、低成本等。为了满足不断增长的需求，西部数据在2017年发布第四代96层3D NAND，Fab工厂每天可生产
2018-09-20 17:57:05
组合包括50多种解决方案，用于企业、数据通信、移动通信和显示等应用中的物理层一致性测试、特性分析和调试。同时适用于第三代标准和第四代标准的解决方案，提供自动测试设置和执行、内置报告选项、深入分析等多种
2016-06-08 15:02:10
接上篇横扫第四代串行测试文章，隔得太久大家可能忘记前排文章的内容了，这里就不重复叙述了，上篇直通车→横扫第四代串行测试一 随着各种重大行业规范不断进化，如PCIe，我们的测试测量工具也必须保持同步
2016-07-07 17:28:56
本文通过对本田第四代混合动力系统IMA的工作特性与主要零部件的分析研究，揭示了其基本的设计思想和工作原理，对于国内轻度混联混合动力汽车的研发具有一定的借鉴作用。
2021-05-12 06:08:11
是第一个推出1Tb级产品的公司。3D XPoint则是由英特尔和美光科技于2015年7月发布的非易失性存储器（NVM）技术。英特尔为使用该技术的存储设备冠名Optane，而美光称之为QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
阶段，可见未来5年工地对第四代强制式干混砂浆罐的需求会越来越大。 那么一款专业的工人专用空气净化施工产品应当是怎样的标准呢？ 第四代强制式干混砂浆罐的产品介绍： 搅拌机开机后，罐内的砂浆通过手动蝶阀或
2017-06-16 11:00:57
本文从基本概念、接入系统、关键技术等几个方面全面介绍了第四代移动通信系统，并简单介绍了OFDM 技术在第四代移动通信中的应用。
2009-11-28 11:46:59
42 iPod nano(第四代)功能指南手册
2009-12-10 15:29:1259 Intel 第四代Xeon®可扩展处理器Intel第4代Xeon® 可扩展处理器设计旨在加速以下增长最快工作负载领域的性能：人工智能 (AI)、数据分析、网络、存储器和高性能计算 (HPC) 。这些
2024-02-27 12:19:48
9294第四代智VCD维修解码板使用说明
第四代智能VCD维修解码板新增功能：1、增加目前市面上最流行的LED数码屏
2009-04-28 15:39:251718
第四代TOPSwitch?GX系列单片开关电源
摘要：TOPSwitch?GX是美国PowerIntegratio
2009-07-08 11:12:031478 浅析第四代移动通信
引言 移动通信技术飞速发展，已经历了3个主要发展阶段。每一代的发展都是技术的突破和观念的创新。第一代起源于20世纪80年
2010-01-23 10:19:451394 第四代iPhone细节曝光
北京时间2月9日早间消息，美国数码产品维修网站iResQ今天刊文，曝光了苹果第四代iPhone的更多细节及图片，第四代iPhone要比当前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00937 第四代iPhone细节曝光
2010-02-22 10:25:18522 S2C在中国推出ALLEGRO公司的广播级、第四代H.264 High Profile编码器。相对于前面三代，第四代的特点是支持MVC(3D)、支持低延迟、支持低比特率、支持蓝光和B帧
2011-07-21 09:07:091903 第四代移动通信技术研究，很好的网络资料，快来下载学习吧。
2016-04-19 11:30:480 SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产，韩联社26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 14:15:111317 
而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70nm，48层的闪存堆栈厚度为3.5μm，层厚度减少到
2018-06-03 09:50:556262 ，第一代3D NAND闪存的成本也符合预期，堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了，今年底就要大规模量产了。
2018-08-03 16:15:031683 美系存储器大厂美光（Micron）3D NAND技术逐渐成熟后，开始拓展旗下产品线广度，日前耕耘工业领域有成，将推出影像监控边缘储存解决方案，32GB和64GB版microSD卡抢先问世，预计2018年第1季128GB和256GB版会开始送样，同年第2季量产。下面就随小编一起来了解一下相关内容吧。
2018-08-07 09:46:001013 紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器（NAND Flash）报捷，已自主开发完成最先进的64层3D NAND芯片专利，预计明年完成生产线建置、2020年量产，震撼业界。
2018-08-13 09:45:002770 上周，美光系与英特尔推出了64层3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架构相较于TLC（3bits/cell）容量更大，使得单颗Die容量可高达1Tb，备受市场高度关注
2018-08-22 16:25:462599 vivo X23第四代屏幕指纹，追求稳定和高效手机的屏幕指纹对于vivo来说，已然到了第四代，经过了前面几代的不断进步，vivo X23上搭载的屏幕指纹技术在硬件基础得到稳定提升的同时，识别效率也是
2018-08-24 15:12:433143 赵伟国认为，中国的集成电路已经初步摆脱了抄人家、学人家的状态。他透露，紫光会在今年底量产32层64G的存储器，在明年会量产64层128G的存储器，并同步研发128层256G的存储器。
2018-08-26 10:38:153176 市场。SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数从36层起步，不过真正量产的是48层堆栈的3D NAND闪存，MLC类型的容量128Gb，TLC类型的也可以做到256Gb容量。 Intel/美光：容量
2018-10-08 15:52:39780 今年8月初，NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 6月15日，三星电子宣布已经开始量产第四代64层256Gb V-NAND，与48层256Gb V-NAND相比，生产效率将提高30%以上。东芝/西部数据、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 技术确实降低了每千兆字节的成本。本报告展示了目前市场上四家存储器制造商的最新一代3D NAND闪存的技术和成本分析。
2018-12-11 09:28:467716 长江存储科技（YMTC）本周早些时候表示，已经开始批量生产采用专有Xtacking架构的64层3D NAND存储器。
2019-09-09 10:22:162374 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241455 美光科技已经流片第一批第四代3D NAND存储芯片，它们基于美光全新的RG架构。该公司有望在2020年生产商用第四代3D NAND内存，但美光警告称，使用新架构的存储芯片将仅用于特定应用，因此明年其3D NAND成本削减将微乎其微。
2019-10-08 16:25:154507 美光宣布，已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并计划在明年投入量产。
2019-10-14 16:04:321180 存储行业随着物联网时代的来临也迎来了一波新的发展机遇，近日，根据最新消息显示，美系存储巨头，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构，将于明年开始小范围量产。
2019-11-18 15:33:471043 NAND闪存巨头三星电子宣布开始量产业界首款消费级QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64层3D堆叠，单芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 金山云宣布基于全新Intel Cascade Lake CPU、最新六通道DDR4内存的第四代云服务器正式上线。
2020-03-19 13:44:592974 日前，美光发布第二季度财报，其在电话会议中美光透露，即将开始批量生产其基于公司新的RG（replacement gate）架构的第四代3D NAND存储设备。
2020-04-07 14:36:082868 据证券时报消息，长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示，128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工，从中长期来看，这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片 X2－6070研发成功，已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-05-04 10:39:003612 解析中国乃至全球 3D 打印行业发展现状及趋势，以及 UNIZ 在新品发布后的战略解读。 此次，UNIZ 在进博会上发布了两款产品，分别对应 B 端和 C 端用户，其中 IBEE，就是搭载了第四代光固化技术的消费级产品。李厚民介绍，光固化技术的发展，大致分为四代：第一代是激光光固
2020-11-06 17:17:462548 据美媒Anandtech报道，美光日前宣布了其第五代3D NAND闪存，新一代产品拥有破纪录的176层构造。报道指出，新型176L闪存是自美光与英特尔的存储器合作解散以来推出的第二代产品，此后美光从浮栅（ floating-gate）存储单元设计转变为电荷陷阱（charge-trap）单元。
2020-11-10 14:56:593477 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-10 16:22:392315 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212924 美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构。 美光科技表示，与美光的上一代大容量 3D NAND 产品相比，176 层 NAND 将数据读取和写入延迟缩短了 35% 以上。美光的 176 层
2020-11-12 13:04:572623 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696 / s，高于其96层和128层闪存的 1200MT/s。与 96L NAND相比，读（写）延迟提高了35% 以上，与128LNAND 相比，提高了25%以上。美光表示其176层3D NAND已开始批量生产
2020-11-13 14:25:132185 日前，存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储的应用效能。
2020-11-20 17:10:122392 据报道，SK hynix日前发布了其最新一代的3D NAND。据介绍，新产品具有176层电荷charge trap单元。在美光宣布他们的176L NAND开始以Crucial品牌产品发货之后，SK hynix是第二家达到这一层数的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822 NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着2D NAND容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:493617 发展至今，NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久，存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”，2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:374583 AN65--第四代LCD背光技术
2021-04-19 11:43:336 wifi技术标准第四代是第四代移动通信技术的意思，第五代就是第五代移动通信技术，那么这两代之间有什么区别呢？
2022-01-01 16:43:0041538 美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 层 NAND 率先在生产中将 3D NAND堆叠层数扩展到超过 200 层，可谓存储创新的分水岭。此项突破性技术得益于广泛
2022-07-28 09:49:5922968 第四代半导体我们其实叫超禁带半导体，它分两个方向，一是超窄禁带，禁带宽度（指被束缚的价电子产生本征激发所需要的最小能量）在零点几电子伏特（eV），比超窄禁带更窄的材料便称为导体；
2022-08-22 11:10:3918941 物联网的发展推动了对高性能存储设备需求的激增。基于此，研华发布全新第四代SQFlash PCIe SSD解决方案产品：SQF 930与SQF ER-1。
2022-10-12 09:25:161403 服务器客户 韩国首尔2023年1月12日 /美通社/ -- SK海力士12日宣布，公司研发的第四代10纳米级（1a）DDR5服务器DRAM获得了英特尔（Intel®）近期上市的全新第四代Xeon®服务器
2023-01-12 21:32:261496 作为全球首款支持第四代Intel至强可扩展处理器平台的高端存储，这种先发优势是非常明显的，PCIe5.0、DDR5、CXL、QAT硬件加速器等新硬件形态的支持，都会大大提高MS9000G3的性能，同时降低单位功耗，实现绿色节能的效果。
2023-04-27 11:46:243489 
现预计苹果自研的5G调制解调器要等到2025年才能进入大规模生产。因此，第四代iPhone SE的发布时间也会相应延后。第四代iPhone SE的计划也随之被推迟了。
2023-06-25 15:20:432392 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划，预计在2024年推出第九代3D NAND，其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:293142 基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25% 此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案，采用了232层3D TLC NAND闪存；速度提升很大，可以达到最高
2023-07-19 19:02:211823 采用AMD 3D V-Cache技术的第四代AMD EPYC处理器进一步扩展了AMD EPYC 9004系列处理器，为计算流体动力学(CFD)、有限元分析(FEA)、电子设计自动化(EDA)和结构分析等技术计算工作负载提供更强大的x86 CPU。
2023-08-14 14:38:111128 
最近，三星集团援引业界有关负责人的话表示，计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后，将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052015 Sk海力士期望通过在无锡工厂完成第四代D-RAM制造环节中的部分工艺流程，随后将芯片运回韩国总部利川园区进行EUV处理，最后送回无锡工厂进行后续操作。尽管第四代产品仅需一层使用EUV工艺，但公司仍认为增加的成本是合理可承受的。
2024-01-16 14:06:582000 三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND （3D NAND） 闪存芯片，这是继之前的236层第八代V-NAND后的显著提升，也代表着当前行业中最高的可量产堆叠层数。
2024-04-18 09:49:201500 2024年4月18日，国民技术第四代可信计算芯片NS350 v32/v33系列产品正式发布并开始量产供货。NS350 v32/v33是一款高安全、高性能、超值可信密码模块2.0 （TCM 2.0）安全芯片，适用于PC、服务器平台和嵌入式系统。
2024-04-18 16:22:421701 
2024年4月18日，国民技术第四代可信计算芯片NS350v32/v33系列产品正式发布并开始量产供货。NS350v32/v33是一款高安全、高性能、超值可信密码模块2.0（TCM2.0）安全芯片
2024-04-19 08:24:101553 
ATX是一款平台型产品，沿用AT平台并搭载第四代芯片架构，升级了光机设计和激光收发模块。
2024-04-20 10:49:181628 国民技术近日正式推出了其第四代可信计算芯片NS350 v32/v33系列，并已开始量产供货。这款芯片是高性能、高安全性的TCM 2.0安全芯片，能够满足PC、服务器平台和嵌入式系统等不同领域的需求。
2024-05-13 15:17:252303 7月10日，雅虎财经独家报道了亚马逊网络服务（AWS）即将推出的重大技术进展——其第四代Graviton处理器，即Graviton4芯片。这一重要信息由AWS的计算与人工智能产品管理总监拉胡尔·库尔卡尼在德克萨斯州奥斯汀的亚马逊芯片研发中心亲自披露。
2024-07-10 15:51:391262 知名存储品牌美光近日正式宣布，搭载其研发的第九代（G9）3D TLC NAND闪存技术的固态硬盘产品已然问世，并已批量上市，成为全球业内首家成功跨越此历史性阶段的制造商。该产品所采用的堆叠层数高达
2024-07-31 17:11:171680 日前,国内全栈式3D扫描解决方案提供商积木易搭在国内市场上新了新一代消费级手持3D扫描仪Moose,这也是积木易搭推出的第四代消费级手持3D扫描仪。 据介绍,Moose属于积木易搭推出的新一代高精度
2024-08-28 17:25:471047 意法半导体(简称ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对
2024-10-12 11:30:592195 电子发烧友网站提供《AN65-第四代LCD背光技术.pdf》资料免费下载
2025-01-09 14:12:250 据外媒曝料称三星已量产第四代4nm芯片。报道中称三星自从2021年首次量产4nm芯片以来，每年都在改进技术。三星现在使用的是其最新的第四代4nm工艺节点（SF4X）进行大规模生产。第四代4nm工艺
2025-03-12 16:07:1713208 Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 车规级碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，专为严苛的汽车环境设计。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持续工作，助力动力总成系统实现最大性能。
2025-08-11 16:54:232328 在CITE 2020上，紫光集团带来了大量产品，其中包括长江存储的128层QLC三维闪存和新华三半导体高端路由器芯片EasyCore等。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 2030年实现1000层堆叠的3D NAND存储器。 3D NAND似乎已经成为各大存储企业竞相追逐的“工业明珠”，包括三星、海力士、美光、铠侠、长江存储等都在这一领域投入大量资源，而比拼的就是堆叠层数。 3D NAND 为何如此重要？ 随着数字化信息的爆炸性增长，对对存储容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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